「エッチング速度」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

結晶成長時に（０００１）Ｃ面で成長した領域とＣ面以外の結晶面であるファセット面で成長した領域との段差は、エッチング速度及びエッチング量を制御することで、０．３μｍ以下となるように形成されている。例文帳に追加

The level difference between an area grown on (0001)C plane and an area grown on a facet plane being a crystal surface other than the C-plane is controlled to be ≤0.3 μm by controlling the etching speed and the etching amount. - 特許庁

本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法では、ｎ型半導体層３と、発光層４と、ｐ型半導体層５の積層構造からなるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０を相対的に遅い第１速度でドライエッチングした後に、最終的に第１速度よりも速い第２速度でＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０をエッチングする。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element comprises the steps of dry etching a group III-V nitride-based semiconductor layer 10 of a laminated structure of an n type semiconductor layer 3, a luminous layer 4, and a p type semiconductor layer 5 at a relatively low first rate, and thereafter etching the group III-V nitride-based semiconductor layer 10 at a final rate faster than the first rate. - 特許庁

窒素分子及び硫黄分子の少なくとも一方を含む化合物を含有し、該化合物が被研磨層の研磨摩擦、エッチング速度、研磨速度及び面内均一性の内の少なくとも一つを制御することを特徴とする研磨液。例文帳に追加

The polishing solution contains a compound including, at least, either of nitrogen molecules and sulfur molecules, and at least, one of the polishing friction, etching rate, polishing rate, and surface uniformity of the layer to be polished is controlled by the compound. - 特許庁

第一アンダーコート絶縁膜２は従来通りの方法で形成してよいが、第二アンダーコート層３は、第一アンダーコート絶縁膜２よりも堆積速度を遅くし、フッ酸によるエッチング速度を遅くする。例文帳に追加

The first undercoat insulation film 2 may be formed by a conventional method but the second undercoat insulation film 3 is formed at a deposition rate lower than that of the first undercoat insulation film 2 and etching rate by hydrofluoric acid is lowered. - 特許庁

低いエッチング速度を維持しつつ、高いＣＭＰ速度を得ることにより、信頼性の高い金属膜の埋込みパターンを効率よく形成することができるＣＭＰ用研磨剤を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing compound for chemical mechanical polishing (CMP), with which a high-reliability metal film embedding pattern can be formed efficiently, by obtaining a high CMP speed, while maintaining a low etching speed. - 特許庁

高いＣＭＰ速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させることにより、信頼性の高い金属膜の埋込みパターンを効率よく形成することができる、ＣＭＰ用研磨剤及び研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing compound in which reliable embedded pattern of a metal film can be formed efficiently by fully decreasing etching rate while maintaining high CMP speed, and to provide a polishing method therefor. - 特許庁

スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive oxide as a target enabling high deposition rate of an oxide semi-conductor film by the sputtering, and high etching rate of the deposited oxide semi-conductor film. - 特許庁

高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。例文帳に追加

The present invention describes an interferometric method and an apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thin film using a flash lamp providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width. - 特許庁

高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプ３５を用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。例文帳に追加

The present invention describes an interferometric method and an interferometric apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thing film using a flash lamp 35 providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width. - 特許庁

エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇させ、金属表面の腐食とディシングの発生を抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨液を提供する。例文帳に追加

To provide polishing liquid for metal, which enables high-reliability buried pattern formation of a metal film by sufficiently increasing the polishing speed while keeping the etching speed low, and thus suppressing erosion and dishing of a metal surface. - 特許庁

本発明ではデューティー比２０〜７０％でパルスプラズマＣＶＤ法による成膜を行うことで、通常の連続発振の場合に比べて成膜速度、エッチング速度のみを遅くすることができる。例文帳に追加

It is possible to reduce only a film growing speed and an etching speed for making a film by using a pulsed plasma CVD method with a duty ratio of 20-70% compared to a conventional CVD method with continuous oscillation. - 特許庁

好ましい研磨速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させ、デッシングの発生や銅表面の荒れを抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする研磨液を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing solution which is capable of reducing an etching rate sufficiently as keeping a preferable polishing rate, restraining the occurrence of dishing and a dry area from occurring in the surface of a copper, and forming a very reliable buried pattern composed of a metal film. - 特許庁

生産性が高く金属配線のディッシングとエロージョンが小さい半導体デバイスを得るために、金属の研磨速度が大で、エッチング速度が小で、かつ研磨摩擦が小さい研磨液を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid which can achieve a high polishing rate for metal, a low etching rate and a reduced polishing friction, to adapt for producing a semiconductor device having a metal interconnection of a reduced dishing and erosion with a high productivity. - 特許庁

エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇させ、金属表面の腐食とディシングの発生を抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨液を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing agent for a metal capable of increasing polishing speed sufficiently while keeping an etching speed as low, suppressing the corrosion and dishing of the surface of a metal and enabling the formation of a highly reliable embedded pattern of the metal membrane. - 特許庁

ある実施形態では、固化すると第１のエッチング速度を有するインプリント可能な媒体の第１の分量６０を基板の第１の領域上に提供するステップと、固化すると第２の異なるエッチング速度を有するインプリント可能な媒体の第２の分量６２を基板の第２の異なる領域上に提供するステップとを含むインプリントリソグラフィ方法が提供される。例文帳に追加

The imprint lithography method includes a step of providing a first amount 60 of an imprintable medium having a first etching rate when solidified on a first area of a substrate and a step of providing a second amount 62 of an imprintable medium having a second etching rate different from the first etching rate when solidified on a second area different from the first area on the substrate. - 特許庁

自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、酸化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとワード配線、あるいはコンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reliable method of forming a contact plug for preventing short-circuiting between the contact plug and a word line or between the contact plug and a bit line by using a material having an etching speed ratio of 100 or larger for etching speed of a silicon oxide film as an interlayer film forming the self-aligned contact plug. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板１１０と、半導体基板に形成されたトレンチ１３６と、トレンチの内部に充填され、ウェットエッチング速度がトレンチの下端部近傍よりもトレンチの上端部近傍において遅く尚且つ半導体基板の表面と平行な面内においてはほぼ均一なウェットエッチング速度を有する素子分離部１６０とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 110; a trench 136 formed on the semiconductor substrate; and an element isolation 160 filled in the trench and having a wet etching speed which is slow at the wet etching speed near the upper end of the trench as compared with the near of the lower end of the trench, and which is substantially uniform in a plane parallel to the front surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

半導体基板２１の表面部分に溝２２が形成され、膜２３で埋め込まれており、溝２２の内部のＡ点まで膜２２に対してエッチングを行う場合、Ａ点まで不純物イオンを注入することで、基板表面のＢ点からＡ点までのエッチング速度が、Ａ点から溝底面のＣ点までの速度よりも速くなる。例文帳に追加

In this method of manufacturing, grooves 22 formed on a surface of a semiconductor substrate 21 are filled with film 23, and in etching the film 23 down to point A inside grooves 22, etching rate from point B at the substrate surface to point A can be higher than the rate from point A to point C at the bottom of the grooves by implanting impurity ions down to point A. - 特許庁

下部導電部２３６上に共振器１０を形成し、共振器１０の最下層となる第１の誘電体層１０ａ´のエッチング速度が、第１の誘電体層１０ａ´上に形成される第２の誘電体層１０ｂ´のエッチング速度より低くなるように共振器１０にコンタクトホール２０を形成する。例文帳に追加

The resonator 10 is formed on the lower conductive part 236 and the contact hole 20 is formed on the resonator 10 so that etching speed of a first dielectric layer 10a' to be the lowermost layer of the resonator 10 becomes lower than etching speed of a second dielectric layer 10b' formed on the first dielectric layer 10a'. - 特許庁

多層配線構造の形成において、下層配線１．１ａ上に下層配線と同一パターンの第１の絶縁膜６．６ａを形成し、第１の絶縁膜のエッチング速度が、下層配線１．１ａの配線間絶縁膜となる第２の絶縁膜７のエッチング速度より大きくなるようにする。例文帳に追加

In forming a multilayer interconnect structure, a first insulating film 6, 6a is formed on a lower interconnect layer 1, 1a, the first layer having the same interconnect pattern as the lower interconnect layer; and etching speed of the first insulating film is set faster than that of a second insulating film 7 which becomes an interconnect insulating film between 1 and 1a of the lower interconnect layer. - 特許庁

水素を用いた熱分解において、水素濃度を規定してエッチング速度を制御することで、半導体装置の製造方法の加工精度を向上させる。例文帳に追加

To improve processing accuracy of a semiconductor device manufacturing method by specifying a hydrogen concentration to control an etching rate in pyrolysis using hydrogen. - 特許庁

反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、広いフォーカス深度マージンを与える、リソグラフィー用反射防止膜を提供すること。例文帳に追加

To provide an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, causing no intermixing with a photoresist layer, having a high dry etching rate compared to the photoresist and giving a wide focus depth margin. - 特許庁

プラズマイオンの速度を容易に調節でき、異方性、選択性、膜均質度及び工程再現性に優れるエッチング工程に利用可能な電磁気誘導加速器を提供する。例文帳に追加

To provide an electromagnetic induction accelerator capable of easily adjusting the velocity of plasma ion and excellent in anisotropy, selectivity, film homogeneity and process reproducibility, and usable for an etching process. - 特許庁

フレクチャタイプの磁気および容量回路加速度計用のプルーフマスは、溶融シリカパドル上にエッチングまたはパターニングされるなど、溶融シリカパドル上に一体的に形成された１つまたは複数の隆起パッドを含む。例文帳に追加

A proof mass for flexure type, magnetic and capacitance circuit accelerometer includes one or more protruding pads integrally formed on a fused silica paddle, such as being etched or patterned on the fused silica paddle. - 特許庁

プラズマによる基板表面のエッチングを抑えつつ、カーボンナノチューブの成長速度の向上を図ることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma CVD apparatus capable of increasing the growth rate of a carbon nanotube while suppressing the etching on a surface of a substrate by plasma. - 特許庁

リン酸と硝酸と酢酸と水の混合液にエチレングリコールまたはグリセリンを混合することでＡｇ系合金膜のエッチング速度を制御でき、微細配線の加工が容易になった。例文帳に追加

Ethylene glycol or glycerin is mixed in mixed liquid of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water, so that etching rate of an Ag based alloy film can be controlled, and working of a fine wiring is facilitated. - 特許庁

フルオロカーボンガスを含むクリーニングガスにおけるエッチング反応の速度向上を図り、クリーニング効果を高めることができるクリーニングガス及びこのクリーニングガスを使用したクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning gas capable of improving cleaning effects by speeding up etching reaction in the cleaning gas containing fluorocarbon gas, and a cleaning method employing the cleaning gas. - 特許庁

半導体エッチング液は、ｐ−ＡｌＧａＡｓの上クラッド層７に対するｐ−ＧａＡｓのキャップ層９の溶解速度比が１０〜２０である有機酸／過酸化水素系混合溶液を用いる。例文帳に追加

As the semiconductor etchant, an organic acid/hydrogen peroxide mixed solution is used which has a 10 to 20 dissolving speed ratio of a cap layer 9 of p-GaAs to a clad layer 7 of p-AlGaAs. - 特許庁

半導体表面上で犠牲酸化物層を成長させ、ライン要素の第１サブセットを、ドーパント種を含むイオン注入ビームに露出させて、この第１サブセットをドープし、そのエッチング速度を変化させる。例文帳に追加

A sacrifice oxide layer is caused to grow on the surface of a semiconductor, a first subset of line elements is exposed to ion injection beams including dopant seeds, the first subset it doped, and its etching rate is varied. - 特許庁

半導体デバイス製造時に金属配線を高速に研磨可能で、金属配線のエッチング速度を抑制することができる金属研磨剤組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a metal polishing material composition which can polish metal wiring at high speed when manufacturing semiconductor devices and can reduce the etching rate of the metal wiring. - 特許庁

さらに、この第１ポリシリコン層３９よりもリン濃度が低く、エッチング速度が遅い第２ポリシリコン層４０を、第１ポリシリコン層３９上に形成する。例文帳に追加

Furthermore, a second polysilicon layer 40 where the concentration of phosphor is lower than the first polysilicon layer 39, and the etching rate is smaller is formed on the first polysilicon layer 39. - 特許庁

フォトレジスト画像は円筒形の金属チューブ材の表面に現像され、チューブ材上の各部位における制御された可変のエッチング速度が実現できる。例文帳に追加

The photoresist image is developed on the surface of the cylindrical metallic tube which is subjected to an etching process in a controlled variable etching rate at selected sites. - 特許庁

これにより、ハロゲン系プラズマ環境下でのエッチング速度が５ｎｍ／ｍｉｎ以下であり、かつ、可視・赤外領域での透過率が１０％以上である透光性酸化イットリウム焼結体を得る。例文帳に追加

Thus, the light-transmitting yttrium oxide sintered compact having an etching rate of 5 nm/min or lower in a halogen plasma environment and having a transmittance of at least 10% in the visible and infrared regions can be obtained. - 特許庁

ウェットエッチング速度が向上し、ポリイミドの微細加工を可能とし、且つ生産性を向上させることが可能なポリイミド金属積層体、およびそれから製造されるハードディスク用サスペンションを提供すること。例文帳に追加

To provide a polyimide/metal laminate having an increased wet etching speed, enabling the fine processing of a polyimide and capable of being enhanced in productivity, and a suspension for a hard disk manufactured from it. - 特許庁

テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。例文帳に追加

Another method for forming layers having tapered edges includes the deposition of a layer in which the upper portion is etchable at a faster rate than the lower portion. - 特許庁

そのため、入射した光子エネルギによって電子が励起されることが抑制されるので、半導体ウェハ４６表面に電位が発生することが抑制され、延いてはエッチング速度の変化が抑制される。例文帳に追加

Since electron is restrained from being excited by injected photon energy, generation of electric potential in the surface of the semiconductor wafer 46 is restrained and change of etching velocity is consequently checked. - 特許庁

圧電素子の近傍で高密度の補助的なプラズマを発生させ、圧電素子から見たプラズマ・インピーダンスを低下させ、エッチング電流を増加させて調整速度を向上させた圧電素子の周波数調整装置を提供する。例文帳に追加

To provide a frequency adjusting device for a piezoelectric element which is improved in adjusting speed by increasing an etching current by generating auxiliary plasma of high density nearby the piezoelectric element and decreasing plasma impedance viewed from the piezoelectric element. - 特許庁

ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもＡｒＦエキシマレーザーのような短波長でのｋ値及び屈折率ｎが所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a composition for forming a resist underlay film having a large selection ratio in a dry etching rate and showing a desired k value and a refractive index n at a short wavelength such as ArF excimer laser light. - 特許庁

熱化学気相堆積の膜に比較してエッチング速度、水素濃度、およびストレスなどの改善された特性を有する膜を与える方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for providing films having improved characteristics such as an etching rate, the concentration of hydrogen, and stress as compared to the films by thermal chemical vapor deposition. - 特許庁

また、ノズルの毎分の揺動回数は、被エッチング材２の搬送速度を、その搬送方向におけるノズル間のピッチと整数で割った値に等しくなるように設定されている。例文帳に追加

The times of swing of the nozzles per minute are set so that the transfer rate of the substrate 2 may be equal to the value resulting by dividing the pitch among the nozzles in the transfer direction by an integer. - 特許庁

半導体装置の製造プロセスにおけるエッチング時間を短縮化し、半導体装置における動作速度の向上および低消費電力化を実現する。例文帳に追加

To increase operation speed and reduce power consumption of a semiconductor device by shortening the etching time in the manufacturing proc ess of the semiconductor device. - 特許庁

その結果、導入した反応ガスやラジカルが基板１５と壁面の間を流れず、基板１５と基板１５の間を流れるので、反応速度が速く、均一なエッチングを行うことができる。例文帳に追加

Since the introduced reaction gas and radical do not flow between the substrate 15 and the wall face but flows between the substrates 15, etching can be carried out uniformly at high rate of reaction. - 特許庁

この蓄積を減らし、平均エッチング速度を増大させるために、側壁保護付着物を、シランと第２のフッ素含有ガスとを含む混合物を用いて第２のプラズマを形成することによって定期的に薄くする。例文帳に追加

In order to reduce the accumulation and increase the average etch rate, the side wall protecting attachment is made thinner periodically by forming a second plasma using a mixture containing silane and a second fluorine-contained gas. - 特許庁

半導体基板上の酸化膜や窒化膜のエッチングとダメージを抑制し、かつ、非常に高速度で均一にレジストをアッシングすることを可能とするアッシング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ashing device for suppressing the etching and damage of an oxide film or a nitride film on a semiconductor substrate, and for uniformly ashing resist at an extremely high speed. - 特許庁

このアンモニア水に上記試料を３時間浸漬して上記窓部のシリコン基板、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜におけるエッチング速度を求めた。例文帳に追加

This sample is dipped in the ammonium water for three hours, and an etching speed in the silicon substrate, the silicon oxide film, and the silicon nitride film of a window part is acquired. - 特許庁