Etching Speciesとは 意味・読み方・使い方

The half-width of an etching profile of an active-species gas is set to one wavelength (a) and moreover set in the range of half-wavelength (a) or smaller of nanotography.例文帳に追加

活性種ガスのエッチングプロファイルの半値幅は、ナノトポグラフィの波長ａ以下、且つ、その２分の１以上の範囲とする。 - 特許庁

A substance under a supercritical state, in which the etching reaction species are contained, is used preferably as the treating fluid.例文帳に追加

処理流体としては、エッチング反応種を含有させた超臨界状態の物質が好適に用いられる。 - 特許庁

The side wall of the step of the semiconductor device constituted of the principal surface and side wall of the device is etched, by controlling an impressing direction of a magnetic field or impressing directions of a magnetic field and an electric field upon etching species and by utilizing the reaction between the etching species and side wall.例文帳に追加

主表面と側壁とから構成される段差を有する半導体装置の段差の側壁を、エッチング種に磁界又は磁界と電界の印加方向を制御すること、エッチング種と側壁の反応を利用することで、エッチングすることにより上記課題を解決する。 - 特許庁

With respect to an etching process in which a polycrystalline silicon layer 12 formed on a semiconductor silicon wafer 10 is patterned in accordance with a resist pattern 13, plasma of a mixed gas containing SF_6 for isotropic etching and HBr for anisotropic etching is utilized for an etching gas species.例文帳に追加

半導体シリコンウェハ１０上の多結晶シリコン層１２をレジストパターン１３に従ってパターニングするエッチング工程に関し、エッチング用のガス種に、等方性エッチング用としてのＳＦ_6と、異方性エッチング用としてのＨＢｒとを含む混合ガスのプラズマを利用する。 - 特許庁

The dry etcher comprises an evacuatable chamber 5, a chemical species generating source 2 mounted in the chamber 5 for generating a chemical species 3 having etching actions, and a substrate holder 1 disposed in the chamber 5 for holding a plurality of substrates 4 under process to expose them to the chemical species 3, thereby etching the surface of each substrate.例文帳に追加

ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。 - 特許庁

Neutral chemical species generally provide higher isotropic and material-selective etching than charged particles, so that this magnetic field tends to increase etching isotropy and material selectivity.例文帳に追加

中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。 - 特許庁

By adjusting the generation factor of fluorine active species, planarization etching, and the like, of an insulating film 36 and an SOG film 38 is performed in selective etching.例文帳に追加

そしてこれらフッ素系活性種の生成比率を調整すれば、選択エッチングにおいて絶縁膜３６とＳＯＧ膜３８との平坦化エッチング等を実施することが可能になる。 - 特許庁

In the second etching process, after measuring the intensities of the light component having the selected wavelength among the wavelengths of the lights emitted from the activated species present in the processing chamber, the etching is stopped, based on a change of the intensity of the light component.例文帳に追加

第２エッチング工程では、処理室内に存在する活性種から生じた光のうち、選択された波長を有する光成分の強度を測定し、その強度の変化に基づいてエッチングを停止する。 - 特許庁