「etching step」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The etching step is performed by wet etching in which an etchant is used.例文帳に追加

エッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用いる。 - 特許庁

A de-smearing step (S21) is performed after a pattern etching step (S5).例文帳に追加

パターンエッチング（Ｓ５）の後に、デスミヤ処理（Ｓ２１）を行う。 - 特許庁

In the step (G), the etching resist is removed.例文帳に追加

（Ｇ）エッチングレジストを除去する工程。 - 特許庁

The selective etching step is performed by a two-step plasma etching method of first anisotropic etching and second isotropic etching having different etching conditions.例文帳に追加

選択食刻工程は食刻条件が異なる第１の異方性食刻と第２の等方性食刻からなる二段階のプラズマ食刻方法で行なう。 - 特許庁

At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step.例文帳に追加

二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第１エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第１エッチング段階より遅い条件で第２エッチング段階に移行する。 - 特許庁

A third etching step employs an etching method in which an etching rate to the first to third films is higher than that in the second etching step.例文帳に追加

第３のエッチング工程には、第１乃至第３の膜に対するエッチングレートが第２のエッチング工程よりも高いエッチング方法を採用する。 - 特許庁

DETECTION METHOD OF ETCHING END POINT IN DRY SEMICONDUCTOR ETCHING STEP例文帳に追加

半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法 - 特許庁

A microfabrication method for a substrate comprises a thin film formation step, a V-shaped trench formation step, a thin film etching step, a substrate etching step, and a thin film elimination step.例文帳に追加

基板の微細加工方法は、薄膜形成過程と、Ｖ字溝形成過程と、薄膜エッチング過程と、基板エッチング過程と、薄膜除去過程と、からなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated silicon substrate comprises a step of alkali-etching silicon wafers 11, 12.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１，１２をアルカリエッチする。 - 特許庁

Wet etching can be employed in the step for etching the surface.例文帳に追加

また、表面をエッチングする工程をウエットエッチングにより行なうことができる。 - 特許庁

Gas of a fluorine system is used as etching gas in this first etching process step.例文帳に追加

この第１エッチング工程では、エッチングガスとしてフッ素系のガスを用いる。 - 特許庁

This method for processing the semiconductor wafer, wherein a chambering step, lapping step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that, in the etching step, an acid-etching is performed after an alkali etching, in which acid-etching is performed with acid-etching liquid consisting of hydrogen fluoride, nitric acid, phosphoric acid, and water.例文帳に追加

面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

In the first step of an etching process, a rough control step is carried out on the condition that an etching rate becomes comparatively high.例文帳に追加

エッチング過程の当初は、比較的エッチングレートが高くなる条件で粗調整ステップが実行される。 - 特許庁

The Cu etching step is performed using an etching liquid in which Ag is not dissolved.例文帳に追加

Ｃｕエッチング工程は、Ａｇを溶解しないエッチング液を用いて実施する。 - 特許庁

In the etching method, an etching step is repeated, wherein the etching step comprises a step wherein the glass is soaked in a glass-etching liquid containing hydrofluoric acid for ≤120 sec and a subsequent washing step wherein an etching reaction product is removed from the glass surface.例文帳に追加

エッチング方法は、フッ酸を含有させたガラスエッチング液に、ガラスを１２０秒以内の時間で浸漬する工程と、この工程の後にエッチング反応生成物をガラス表面から除去する洗浄工程と、からなるエッチング工程を繰り返し行う。 - 特許庁

A second etching step employs an etching method in which an etching rate to the first film is higher than that in the first etching step, and an etching rate to "a layer provided below and in contact with the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁

A second etching step employs an etching method in which the etching rate to the first film is higher than that in the first etching step and the etching rate to "the layer in contact with the bottom of the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁

In the etching step, the opening of the trench is enlarged by etching the silicon film deposited in the first deposition step.例文帳に追加

エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。 - 特許庁

To reduce step level differences after wet etching in an embedded structure.例文帳に追加

埋め込み構造のウエットエッチング後の段差を低減する。 - 特許庁

This reduction layer 16 can be removed by wet etching (Fig. 1(g): etching step).例文帳に追加

この還元層１６は、ウェットエッチングで除去することができる（図１（ｇ）：エッチング工程）。 - 特許庁

STEP-DIFFERENCE MEASURING APPARATUS, ETCHING MONITOR USING THE SAME, AND ETCHING METHOD例文帳に追加

段差測定装置並びにこの段差測定装置を用いたエッチングモニタ装置及びエッチング方法 - 特許庁

The method for forming a silicon film includes a first deposition step, an etching step, and a second deposition step.例文帳に追加

シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。 - 特許庁

Etching gas being used in the step (b) contains sulfur fluoride.例文帳に追加

工程（ｂ）で使用されるエッチングガスは、フッ化硫黄を含む。 - 特許庁

The dry etching apparatus uses the cathode electrode as the cathode electrode 4 of the dry etching apparatus for executing etching step of the semiconductor device.例文帳に追加

このカソード電極をドライエッチング装置のカソード電極４に用いて半導体装置のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

In this case, the liquid chemical of the high etching speed of the first oxidized film is used in the etching of the first step, and the liquid chemical of a low etching speed is used in the etching of a second step.例文帳に追加

ここで、第１ステップのエッチングで、第１の酸化膜のエッチング速度の大きな化学薬液が用いられ、第２ステップのエッチングで、エッチング速度の小さい化学薬液が用いられる。 - 特許庁

To prevent etching of an etching object film by residual etching gas when exhaust efficiency of the residual etching gas by an etching step can be enhance to a large extent and next an ashing step to be continuously executed is executed.例文帳に追加

エッチングステップによる残留したエッチングガスの排気効率を大幅に高めることができ，次に連続して実行されるアッシングステップを実行したときに，残留したエッチングガスによる被エッチング膜のエッチングを防止する。 - 特許庁

An etching process comprises a first step and a second step at least repeated once.例文帳に追加

エッチング処理は、少なくとも１回繰り返す第１のステップと、第２のステップを含む。 - 特許庁

The second photolithographic step includes an etching step of two different stages of processing conditions.例文帳に追加

第２フォトリソグラフィ工程は、加工条件の異なる２段階のエッチング工程を含む。 - 特許庁

The wet-etching step uses a hydrofluoric acid-based etching liquid using a Cr film 6 as a mask.例文帳に追加

ウェットエッチング工程において、Ｃｒ膜６をマスクとしてフッ酸系エッチング液を用いている。 - 特許庁

In a step of etching the silicon of a photodiode, at least two steps of etching are executed as follows.例文帳に追加

フォトダイオードのシリコンをエッチングする工程において、少なくとも次の２段階のエッチングを行う。 - 特許庁

In this etching step, a waveshape-like etching pattern is adopted on the layer 105.例文帳に追加

このエッチング工程において、ｐ型層１０５上に周辺が波形状のエッチングパタンを採用する。 - 特許庁

This method of detecting etching end point includes a step of etching a prescribed portion of a semiconductor wafer 5, by dipping the wafer 5 in an etchant 18 put in an etching system 1 and a step of stopping the etching by deciding the end point of the etching, according to the amount of emission of an etching gas 26 generated during etching the wafer 5.例文帳に追加

エッチング装置１内のエッチング液１８に半導体ウエハ５を浸漬し、当該ウエハ５の所定の部位をエッチングする工程と、半導体ウエハ５のエッチング時に発生するエッチングガス２６の発生量に応じて、エッチングの終点を決定しエッチングを停止させる工程を備える。 - 特許庁

In this case, the used mask has a two-step structure, and a lot of etching seeds are involved in etching in comparison with a single-step structure.例文帳に追加

ここで用いるマスクは２段構造を有しており、１段構造に比べてより多くのエッチング種をエッチングに関与させる。 - 特許庁

The copper foil 26 is removed during etching in an intermediate processing step.例文帳に追加

銅箔２６は、中間処理工程のエッチング時に除去される。 - 特許庁

Further, if a re-exposing step of re-exposing is conducted between the photolithography step and the etching step, the blackening step may be omitted.例文帳に追加

また、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程の間に再露光する再露光工程を行えば、黒化処理工程を省略してもよい。 - 特許庁

The method for manufacturing the array substrate comprises the step of patterning the three-layer metal film 5 at stages of just etching by wet etching using a mixed acid (first etching).例文帳に追加

まず、混酸を用いるウェットエッチングによりジャストエッチングの段階まで三層金属膜５をパターニングする（第１のエッチング）。 - 特許庁

This patterning method includes at least three steps of etching processes, in which a fluorine-containing gas is used for etching at a first step, a chlorine-containing gas is used for etching at a second step, and a bromine-containing gas is used for etching at a third step.例文帳に追加

このパターニング法は、少なくとも３段階のエッチングプロセスを含み、第一の段階ではフッ素を含むガスが、第二の段階では塩素を含むガスが、第三の段階では臭素を含むガスがエッチングのために使用される。 - 特許庁

Furthermore, in between a first silicon layer etching step and an adhesion layer etching step, a boundary etching step of etching the boundary between the first silicon layer and the adhesion layer by a plasma of mixture of first and second gases is executed.例文帳に追加

加えて、第１シリコン層のエッチング工程と接着層のエッチング工程との間には、第１ガスと第２ガスとの混合ガスのプラズマにより、第１シリコン層と接着層との境界をエッチングする境界エッチング工程を実施する。 - 特許庁

A fine pattern is joined to a substrate W1 by a first group of the coating step and a micropattern forming step by etching a transfer step, and a second group of a coating step and a micropattern forming step by etching the transfer step.例文帳に追加

第１群の被覆工程と転写工程エッチングによる微細パターン形成工程と、第２群の被覆工程と転写工程エッチングによる微細パターン形成工程とによって、微細パターンを基材Ｗ１につなげて形成する。 - 特許庁

Next, the insulation film 110 is removed; in a second etching step, a hard mask pattern is formed by using the first and second auxiliary patterns as an etching mask; and in a third etching step, the etching target film 101 is formed, by using the hard mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

続いて絶縁膜１１０を除去し、第２のエッチング工程で第１，第２補助パターンをエッチングマスクとしてハードマスクパターンを形成し、それをエッチングマスクとして第３のエッチング工程でエッチング対象膜１０１をエッチングする。 - 特許庁

The etching step may be performed by a dry process.例文帳に追加

前記エッチングステップがドライプロセスによって行われるものであってもよい。 - 特許庁

The flattening method includes a grinding step for grinding the surface of a substrate, and an etching step for etching the surface of the ground substrate.例文帳に追加

基板の表面を研磨する研磨工程と、前記研磨された基板の表面をエッチングするエッチング工程とを有する平坦化方法。 - 特許庁

Further, a method for processing the semiconductor wafer, wherein a planarizing step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that the etching step is performed as above and, in the mirror surface polishing step, a back side polishing step is performed after the acid-etching, and then a surface polishing step is performed.例文帳に追加

および平坦化工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程は上記のように行い、鏡面研磨工程は前記酸エッチング後、裏面研磨工程を行ない、その後表面研磨工程を行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, an oxide film forming step is performed after a recess etching step.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、リセスエッチング工程後に酸化膜形成工程を行う。 - 特許庁

The method also includes a step of etching the silicon layer 101 from a lower side of Fig. by using an ICP dry etching (C).例文帳に追加

そして、ＩＣＰドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層１０１のエッチングを行う（Ｃ）。 - 特許庁