「etching step」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A plasma etching method according to an embodiment of the invention comprises, upon etching amorphous TiO_2, a first etching step where a radical reaction is dominant; and a second etching step where an ion irradiation is dominant.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング方法では、アモルファスＴｉＯ_２をエッチングするに際して、ラジカル反応が支配的な第１のエッチング工程と、イオン照射が支配的な第２のエッチング工程を含む。 - 特許庁

TWO STEP ETCHING OF BOTTOM ANTI-REFLECTIVE COATING LAYER IN DUAL DAMASCENE APPLICATION例文帳に追加

デュアルダマシン用途における下面反射防止コーティング層の２ステップエッチング - 特許庁

Etching stopper film 6es is formed on the interconnect 5w ((B)step).例文帳に追加

配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。 - 特許庁

Then, the pad oxide film 2 is removed to made it retreat by etching in a step (h).例文帳に追加

次に（ｈ）にてパット酸化膜２をエッチング除去して後退させる。 - 特許庁

An insulating layer 6 is formed on the etching stopper film 6es ((C)step).例文帳に追加

エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。 - 特許庁

A step-difference is formed on the alignment mark 21 through the etching process.例文帳に追加

このエッチング工程を通して、アライメントマーク２１に段差を形成する。 - 特許庁

A plurality of plasma dry etching steps are provided between a step of forming the floating gate 13 and a step of etching a passivation film 37.例文帳に追加

フローティングゲート１３を形成する工程からパッシベーション膜３７をエッチングする工程の間に複数のプラズマドライエッチング工程を有する。 - 特許庁

The groove 12 is formed through an etching step performed for exposing a gate layer to the surface and another etching step performed for separating elements from each other.例文帳に追加

ダイシング溝１２は、ゲート層を表面に露出するためのゲート出しエッチング工程と、素子を分離するためのエッチング工程で形成される。 - 特許庁

For example, in the first step the etching speed of an oxide 108 is increased, and in the second step, the etching speed of the oxide is reduced and the etching speed of other material 114 is increased.例文帳に追加

例えば、第１のステップは、酸化物１０８のエッチング速度を速くし、第２のステップは、酸化物のエッチング速度を遅くして他の材料１１４のエッチング速度を速くする。 - 特許庁

To provide a detection method of an etching end point in the dry semiconductor etching step, while can easily and accurately detect the etching end point.例文帳に追加

エッチング終了点を正確で容易に検出できる半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法を提供する。 - 特許庁

The wafer is subjected to chemical polishing through etching (step S3), and then both surfaces of the wafer are roughly polished (step S4).例文帳に追加

次に、エッチングによる化学研磨を行った（ステップＳ３）後、ウェハの両面を粗研磨する（ステップＳ４）。 - 特許庁

An etching (Step S1) is performed to a blank, and while coating a lubricant, a drawing work (Step S2) is performed.例文帳に追加

素材にエッチング（ステップＳ１）を行い、潤滑剤を塗布しながら引き抜き加工（ステップＳ２）を行う。 - 特許庁

After rough polishing, the wafer is subjected to vapor phase etching (step S5) to form an epitaxial film (step S6).例文帳に追加

粗研磨終了後、気相エッチングを行い（ステップＳ５）、その後、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 is used as an etching mask in the step of forming a hole 20 by etching.例文帳に追加

また、シリコン窒化膜７は、エッチングによりホール２０を形成する工程においてエッチングマスクとして利用される。 - 特許庁

In the substrate etching step, the substrate 1 is etched with the thin film 2 as a mask.例文帳に追加

基板エッチング過程は、薄膜２をマスクとして基板１をエッチングする。 - 特許庁

To reduce an etching cost by reducing a discontinuous operation step.例文帳に追加

不連続の作業工程を減じることによってエッチングコストを軽減すること。 - 特許庁

In a second dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the lower layer resist 11 as a mask and in a second ashing step, the lower layer resist 11 is removed.例文帳に追加

第２のドライエッチング工程で、下層レジスト１１をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第２のアッシング工程で、下層レジスト１１を除去する。 - 特許庁

A first etching step employs an etching method in which an etching rate to at least a second film and a third film is high and etching is performed until at least a first film is exposed.例文帳に追加

すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、少なくとも第１の膜を露出するまで行う。 - 特許庁

The pattern forming method comprises a step for forming an etching mask 2 on the surface of a substrate 1 of a sintered body material and a step for dry-etching the material through the etching mask 2 as a mask, wherein the cross sectional area of the etching mask 2 is a trapezoid.例文帳に追加

焼結体素材の基板１の表面にエッチングマスク２を形成する工程と、前記エッチングマスク２をマスクとしてドライエッチングする工程を含むパターン形成方法において、前記エッチングマスク２の断面形状が台形をなす。 - 特許庁

The unevenness of an aperture dimensionality by etching is suppressed by preventing the etching rate from becoming quick as the etching step progresses, and a process efficiency is improved.例文帳に追加

エッチング工程が進むにつれてエッチングレートが速くなるのを防ぐことで、エッチングによる開口寸法のバラつきを抑えて、加工精度を向上させる。 - 特許庁

Holes 108 are formed by etching the capping layer and the insulating layer on the element isolation structure using the hard mask as an etching mask in a first etching step.例文帳に追加

そのハードマスク層をエッチングマスクとした第１エッチング工程で素子分離構造上のキャッピング層と誘電体層をエッチングしてホール１０８を形成する。 - 特許庁

To provide an etching method which can reduce deposition of particles on a liquid crystal display panel, in an etching apparatus to be used in a step of manufacturing the panel, and the etching apparatus.例文帳に追加

液晶表示パネルの製造工程で使用されるエッチング装置において、パーティクル付着を低減させるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In an initial stage of etching, the first etching step in which a relatively high etching pressure is set is conducted to isotropically etch an opening region of a mask pattern.例文帳に追加

エッチング開始当初はエッチング圧力を比較的高めに設定した第１のエッチング工程を実施し、マスクパターンの開口領域を等方エッチングする。 - 特許庁

In the correlation relation acquiring process, there are performed in order a step of acquiring etching apparatus log in the etching process for each semiconductor wafer and measurement of the etching size.例文帳に追加

相関関係取得工程は、各半導体ウェハに対するエッチング処理におけるエッチング装置ログの取得、及び、エッチング寸法の測長を順に行う。 - 特許庁

In a dry etching device for dry-etching a silicon-oxide film using a C_5F_8 gas as an etching gas, a stabilization step immediately before a STEP 3 of performing actual etching operation is divided into two steps, that is, a STEP 1 of not introducing the C_5F_8 gas and a STEP 2 of introducing the C_5F_8 gas.例文帳に追加

Ｃ_５Ｆ_８ガスをエッチングガスとして用いて酸化シリコン系膜をドライエッチングするドライエッチング装置において、実際にエッチング処理を行う処理ステップ（ＳＴＥＰ３）の直前の安定化ステップを、Ｃ_５Ｆ_８ガスの導入を行わないＳＴＥＰ１とＣ_５Ｆ_８ガスの導入を行うＳＴＥＰ２との２段階に分けて行う。 - 特許庁

The etching protective film which is not etched but remaining on a side wall part of the step 22 forms an etching protective film 23' for separation.例文帳に追加

ここで段差２２の側壁部にエッチングされずに残ったエッチング保護膜が分離用エッチング保護膜２３’を構成する。 - 特許庁

In the second deposition step, deposition is performed to fill the trench having the opening enlarged in the etching step with a silicon film.例文帳に追加

第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。 - 特許庁

The method further comprises the step of dry etching all the clad layer 14 in Fig. (b).例文帳に追加

（ｂ）において、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を全てドライエッチングする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the color filter using first mixed gas and second mixed gas, the color filter is manufactured by a stopper layer formation step, a colored layer formation step, a photo resist layer formation step, an image formation step, a first etching step, a second etching step and a photo resist layer removal step.例文帳に追加

第１の混合ガスと第２の混合ガスとを用いたカラーフィルタの製造方法において、ストッパー層形成工程と、着色層形成工程と、フォトレジスト層形成工程と、画像形成工程と、第１のエッチング工程と、第２のエッチング工程と、フォトレジスト層除去工程とによりカラーフィルタを製造する。 - 特許庁

In the manufacturing method of an inkjet recording head having a protective film forming step forming the etching protect film 9 for protecting a device face formed constituting the inkjet recording head for discharging an ink on a substrate from an etching liquid and an etching step etching the substrate using the etching liquid after the protective film forming step, the etching protect film 9 including a filler is used as the etching protective film 9.例文帳に追加

インクを吐出するためのインクジェット記録ヘッドを構成する基板上に形成されたデバイス面をエッチング液から保護するためのエッチング保護膜９を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後に、基板をエッチング液を用いてエッチングするエッチング工程とを有するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、前記エッチング保護膜９にフィラーを含むエッチング保護膜９を用いる。 - 特許庁

A main component of chemicals used in at least two steps of the polishing step, the cleaning step and the recess-etching step, is the same.例文帳に追加

前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 - 特許庁

In the method of manufacturing the color filter using first mixed gas and second mixed gas, the color filter is manufactured by a first stopper layer formation step, a colored layer formation step, a second stopper layer formation step, a photo resist layer formation step, an image formation step, a first etching step, a photo resist layer removal step and a second etching step.例文帳に追加

第１の混合ガスと第２の混合ガスとを用いたカラーフィルタの製造方法において、第１のストッパー層形成工程と、着色層形成工程と、第２のストッパー層形成工程と、フォトレジスト層形成工程と、画像形成工程と、第１のエッチング工程と、フォトレジスト層除去工程と、第２のエッチング工程とによりカラーフィルタを製造する。 - 特許庁

A second semiconductor stacked layer etching step S7-3 in the ridge waveguide part forming step S7 and a first semiconductor part etching step S9-3 in the semiconductor diffracting grating element forming step S9 are performed together at a time.例文帳に追加

リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第２半導体積層エッチング工程Ｓ７−３と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第１半導体部エッチング工程Ｓ９−３とは、一括して行われる。 - 特許庁

The chemical mechanical polishing method comprises a step for removing a film deposited on a substrate entirely or partially by etching, and a step for polishing the substrate chemically and mechanically following to the etching step.例文帳に追加

膜が堆積された基板の前記膜の全部あるいは一部をエッチング除去するエッチング工程と；エッチング工程の後に、前記基板を化学機械研磨する工程とを備える化学機械研磨方法。 - 特許庁

This etching step includes a step (step S7) of setting an incident angle of an ion beam made incident on the surface of the magnetic recording medium side of the laminated part to ≥40° to ≤88°, and carrying out ion beam etching or dry etching by ion milling.例文帳に追加

このエッチング段階は、前記積層部の前記磁気記録媒体側の面に入射させるイオンビームの入射角度を、４０゜以上８８゜以下に設定して、イオンビームエッチング又はイオンミリングによるドライエッチングを行う段階（ステップＳ７）を含む。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a step of finely working a resist pattern, formed in a lithography step by isotropic etching using ozone and another step of etching a work by using the finely worked resist pattern as a mask are performed by means of the same etching system EM1.例文帳に追加

オゾンを用いた等方性エッチングによってリソグラフィ工程で形成されたレジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして被加工材をエッチングする工程とを同一のエッチング装置ＥＭ１で行う。 - 特許庁

Alternatively, a buff polishing or jet scrubbing step (S22) may be performed before a resist coating step (S7), or a buff polishing or jet scrubbing step (S23) may be performed between a soft etching step (S9) and a gold plating step (S10).例文帳に追加

またレジスト塗布工程（Ｓ７）の前に、バフ研磨又はジェットスクラブ（Ｓ２２）を行ってもよいし、ソフトエッチング（Ｓ９）と金めっき処理（Ｓ１０）との間に、バフ研磨又はジェットスクラブ（Ｓ２３）を行ってもよい。 - 特許庁

Then, by the etching of a second step, the remaining first oxidized film is removed completely.例文帳に追加

そして、第２ステップのエッチングで、残りの第１の酸化膜が完全に除去される。 - 特許庁

The etching method comprises a step for rotating the substrate 122 on the rotatable substrate support member, and a step for feeding the etching solution to a periphery 126 of the substrate.例文帳に追加

本方法は、回転可能な基板支持体上に位置決めされた基板１２２を回転させるステップと、エッチング液を基板の周縁部分１２６に送給するステップとを含む。 - 特許庁

To improve etching resistance by increasing a resist film thickness in a lithography process step.例文帳に追加

リソグラフィ工程において、レジスト膜厚を厚くしてエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁

When etching a shape on the substrate 1 with an insulating lower layer 3 inside a chamber, an etching step by plasma and a passivated-layer depositing step by plasma are repeated alternately.例文帳に追加

チャンバー内の絶縁性下層３付き基板１に形状をエッチングする際に、プラズマによるエッチング・ステップとプラズマによる不動態化層の蒸着ステップとを交互に繰り返す。 - 特許庁

Further, the slight sagging of the outer periphery is removed by dry etching of next step.例文帳に追加

しかも、外周部の若干の研磨ダレは、次工程のドライエッチングで除去される。 - 特許庁

The stopper film 65 is formed by using a material in which an etching rate of an etching in the step of forming the contact holes 71, 72 is smaller than that in the step of forming the interlayer insulating film 7.例文帳に追加

ストッパ膜６５は、コンタクトホール７１、７２を形成する工程のエッチングのエッチングレートが、層間絶縁膜７よりも小さい材料を用いて形成する。 - 特許庁

The method includes a step which performs underlayer etching for forming a mounting part and further a step which performs an upper layer etching for forming the plural prove fingers.例文帳に追加

本方法は、取付部分を形成するために下層をエッチングする段階と、複数のプローブフィンガを形成するために上層をエッチングする段階とを更に含む。 - 特許庁

Besides, the active layer side face is protected by the protection layer formed in the first etching step and therefore, damage to the active layer 24 during the second etching step is reduced.例文帳に追加

活性層側面はその上に第１のエッチングで形成された保護層で保護されるので、第２のエッチング中における活性層２４へのダメージは低減される。 - 特許庁