external field effectとは 意味・読み方・使い方

A characteristic of a resistance value in the magnetoresistance effect element 2 is thereby shifted by the bias magnetic field Hb, with respect to the external magnetic field Hex.例文帳に追加

したがって、外部磁界Ｈｅｘに対する磁気抵抗効果素子２の抵抗値の特性は、バイアス磁界Ｈｂだけシフトする。 - 特許庁

To provide temperature compensation for a magnetoresistive sensor which detects change in external magnetic field using as magnetic tunnel effect element.例文帳に追加

磁気トンネル効果素子を用いて外部磁界の変化を検出する磁気抵抗センサにおいて温度補償を図る。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element capable of increasing resistance to an external magnetic field by a top type laminated structure.例文帳に追加

トップ型の積層構造で外部磁場耐性を向上させることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To efficiently manufacture a magnetic non-volatile memory device having satisfactory magnetic shielding effect with respect to external magnetic field.例文帳に追加

外部磁界に対して充分な磁気シールド効果を有する磁気不揮発性メモリ素子を効率的に製造する。 - 特許庁

To provide a magnetic impedance effect element which can be arranged easily such that a bias field is directed in a specified direction with respect to the direction of an external field.例文帳に追加

バイアス磁界の方向が外部磁界の方向に対して所定の向きとなるように容易に配置することが可能な磁気インピーダンス効果素子を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive effect is negative at the temperature up to at least 298 K to an external magnetic field to one tesla.例文帳に追加

その磁気抵抗効果が、１テスラまでの外部磁場に対して、すくなくとも２９８Ｋまでの温度で負であることとした。 - 特許庁

This high frequency amplifier is provided with a gate voltage setting means for setting the gate voltage of a field-effect transistor 51 in accordance with an external voltage V1.例文帳に追加

外部電圧Ｖ１に応じて電界効果トランジスタ５１のゲート電圧を設定するゲート電圧設定手段を設ける。 - 特許庁

The magnetic sensor is provided, using a magnetoresistive effect element 5 containing a free layer 5d changing a magnetization direction by an external magnetic field.例文帳に追加

外部磁界によって磁化方向が変化する自由層５ｄを有する磁気抵抗効果素子５を用いた磁気センサである。 - 特許庁