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Weblio専門用語対訳辞書での「f-electron」の意味

f-electron

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。


「f-electron」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 33



例文

An electron injecting layer 11e is formed (f).例文帳に追加

次いで電子注入層11eを形成する(f)。 - 特許庁

And, F(Rcosθ, Rsinθ)(=F(X, Y)) is computed, and intensity distributions of electron beams are computed through an inverse Fourier transformation (step S20).例文帳に追加

そして、F(Rcosθ,Rsinθ)(=F(X,Y))を計算し、逆フーリエ変換して電子ビームの強度分布f(x,y)を算出する(ステップS20)。 - 特許庁

A fogging electron amount distribution F(x, y, σ) is calculated by using the irradiation amount distribution E(x, y) and a function g(x, y) describing a fogging spread distribution (S106).例文帳に追加

照射量分布E(x,y)とかぶり広がり分布を記述する関数g(x,y)とを用いてかぶり電子量分布F(x,y,σ)を算出する(S106)。 - 特許庁

This functional metal complex polymer obtained from a compound of formula (1) (R is H, Cl, Br, F, NO_2, CN, or Ph group) as an electron acceptor and any other metal ion as an electron donor.例文帳に追加

下記(1)式の を電子受容体とし、他の金属イオンを電子供与体として得られる機能性金属錯体高分子である。 - 特許庁

The aperture member 25 has an opening 25a at a front side of the electron emitting direction of the filament F.例文帳に追加

アパーチャ部材25は、フィラメントFの電子放出方向前方に開口25aを有する。 - 特許庁

In the reaction space F where laser beam L1 passes in multiplex, the electron beam E and the laser beam L interact with each other to generate X-ray.例文帳に追加

レーザー光L1が多重に通過する反応空間Fで、電子ビームEとレーザー光Lとを相互作用させ、X線を発生させる。 - 特許庁

例文

Then, by a deflecting system 15, the Auger electron that passes through a focus point (f) of an input lens 12 is deflected to an input lens 12.例文帳に追加

そして、偏向器15により、インプットレンズ12のフォーカス点fを通過したオージェ電子はインプットレンズ12の方へ偏向される。 - 特許庁

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「f-electron」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 33



例文

When a current-carrying quantity to the filament F is adjusted so that an electron quantity per unit time generated in the filament F becomes constant, such a change that the frequency f of an alternating current supplied to the filament F is lowered below a prescribed value and then increased is observed, and after the frequency change like this, the filament F is disconnected quickly.例文帳に追加

フィラメントFで発生する単位時間当たりの電子量が一定となるようにフィラメントFへの通電量を調整していると、フィラメントFへ供給される交流の周波数fが所定値以上低下した後に増加するという変化が観察され、このような周波数変化の後にフィラメントFが速やかに断線する。 - 特許庁

Furthermore, because of energization of the electromagnetic coil 3 for deflection, and because the electron beam is incident on the refuge part F3 of the hood electrode F in the defocus state, damage of the hood electrode F is suppressed.例文帳に追加

また、偏向用電磁コイル3の通電により、電子ビームはフード電極Fの退避部位F3にデフォーカス状態で入射されるため、フード電極Fの損傷が抑制される。 - 特許庁

A charge amount distribution C(x, y) in an irradiation region and a non-irradiation region is calculated by using the irradiation amount distribution E(x, y) and the fogging electron amount distribution F(x, y, σ) (S108).例文帳に追加

照射量分布E(x,y)とかぶり電子量分布F(x,y,σ)を用いて、照射域及び非照射域の帯電量分布C(x,y)を算出する(S108)。 - 特許庁

This method comprises rectifying granules F to a single-granule array, dropping the resultant array in the air, imparting rotation to each falling granule and horizontally or diagonally irradiating each rotatingly falling granule F with electron beams.例文帳に追加

粒状物Fを単粒の配列になるように整流して空中に落下させ、落下する粒状物の各粒に回転運動を付与し、回転しながら落下する粒状物Fの各粒に水平又は斜め方向から電子線を照射する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, contriving avoidance and suppression of reduction in the turn-on voltage V_F of a gate electrode and the improvement of the inplane uniformity of the threshold voltage V_th of the gate electrode in the semiconductor device, having an HEMT (High Electron Mobility Transistor) structure.例文帳に追加

HEMT構造を有する半導体装置において、ゲート電極のTurn-On電圧V_Fの低下を回避ないし抑制と、ゲート電極の閾値電圧V_thの面内均一性の向上が図られた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The sidewall member 24 has an opening 24a at the electron-emitting direction side of the filament F, and is provided on the base member 23 so as to surround filament F.例文帳に追加

側壁部材24は、フィラメントFの電子放出方向側に開口24aを有し、フィラメントFの周囲を取り囲むようベース部材23に設けられる。 - 特許庁

When being irradiated with an electron beam EB from an electron emission source 7, the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 is excited, and deep UV light DUV is radiated from a light-extraction face F of a sapphire (0001) substrate 1.例文帳に追加

電子放出源7より電子線EBが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層5が励起されて深紫外光DUVがサファイア(0001)基板1の光取り出し面Fより放射される。 - 特許庁

例文

In this method, the filament F is replaced when the frequency f of the alternating current is changed like this, therefore, the manufacturing yield of the wire and the quantity productivity thereof can be improved, and this electron beam irradiation device having frequency monitor function can be applied therefor.例文帳に追加

本発明では、交流の周波数fが上記の如く変化した場合にフィラメントFを交換することとしたので、電線の製造歩留まり及び量産性を向上させることができ、これには周波数モニター機能つきの電子線照射装置が適用できる。 - 特許庁

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