gallium ionとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for further shortening an electrolyzation time, related to the metal gallium electrolysis collection method by which metal gallium is obtained by electrolyzing a solution containing a gallium ion.例文帳に追加

ガリウムイオンを含む溶液を電解して金属ガリウムを得る金属ガリウムの電解採取方法に関し、電解時間をより一層短縮する方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming a p-type gallium nitride semiconductor region, a gallium nitride semiconductor film 13 is ion-implanted with a p-type dopant 17 by using a mask 15 to form a gallium nitride semiconductor film 13b.例文帳に追加

マスク１５を用いて窒化ガリウム系半導体膜１３にｐ型ドーパント１７のイオン注入を行って、窒化ガリウム系半導体膜１３ｂを形成する。 - 特許庁

A repairing method comprises impregnating gallium ion into required depth of a specified position on a glass substrate which corresponds to the unprocessed parts of the dug grooves in the Levenson mask by using focused ion beam equipment, immersing the substrate in which the gallium ion has been impregnated, into an alkali solution, and partially dissolving and removing the part in which the gallium ion was impregnated.例文帳に追加

本発明の欠陥修正は、集束イオンビーム装置を用いてレベンソンマスクの掘り込み溝の掘り残し欠陥に相当するガラス基板の特定位置と必要深さにガリウムイオンを照射注入し、該ガリウムイオンを注入した基板をアルカリ溶液に浸してガリウムイオンが注入された部分を局部的に溶解除去させる手法を採用した。 - 特許庁

To improve decrease in transmittance of a photomask due to gallium injection by removing the gallium injected into a glass substrate for correcting a photomask defect by a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームによるフォトマスク欠陥修正でガラス基板に注入されたガリウムを除去してガリウム注入によるフォトマスクの透過率低下を改善する。 - 特許庁

A carbon nanotube 3 held in a space is irradiated with gallium ion beam going through the carbon nanotube 3.例文帳に追加

空間に保持したカーボンナノチューブ３に、カーボンナノチューブ３を貫通するガリウムイオンビームを照射する。 - 特許庁

This oxygen ion conducting solid electrolyte contains scandia-stabilized zirconia, gallium elements, and strontium elements.例文帳に追加

本酸素イオン伝導性固体電解質は、スカンジア安定化ジルコニアと、ガリウム元素と、ストロンチウム元素と、を含有する。 - 特許庁

A carbon nanotube 3 other than the one held in the space is removed by the irradiation of gallium ion beam.例文帳に追加

空間に保持したカーボンナノチューブ３以外のカーボンナノチューブ３を、ガリウムイオンビームの照射により除去する。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor film 13g includes a region 13h, where the implanted ion is activated and a region 13d which is kept undoped. as it is.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体膜１３ｇは、注入イオンが活性された領域１３ｈと、アンドープのままである領域１３ｄとを含む。 - 特許庁