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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英・英日専門用語 > grounded gate amplifierの意味・解説 

grounded gate amplifierとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 ゲート接地増幅器


日英・英日専門用語辞書での「grounded gate amplifier」の意味

grounded-gate amplifier


「grounded gate amplifier」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

EMITTER GROUNDED AMPLIFIER CIRCUIT IN GATE DRIVE CIRCUIT OF MOSFET例文帳に追加

MOSFETのゲート駆動回路におけるエミッタ接地増幅回路 - 特許庁

To suppress changes in output waveform of a distributed amplifier, which is equipped with a plurality of cascode amplifier circuits composed of source grounded transistors and gate grounded transistors.例文帳に追加

ソース接地トランジスタとゲート接地トランジスタとからなるカスコード増幅回路を複数個備える分布型増幅器の、出力波形の変化を抑制する。 - 特許庁

A 1/r current source 14 runs current inversely proportional to variation of load resistors 26, 27 of the amplifier circuit 200 so that gate bias points of gate-grounded transistors 24, 25 that are connected to the source-grounded transistors 22, 23 remain constant, and deterioration of linearity at a drain terminal of a gate-grounded transistor is suppressed.例文帳に追加

1/r電流源14により、増幅回路200の負荷抵抗26,27のばらつきに反比例する電流を流すことによって、ソース接地トランジスタ22,23に接続されたゲート接地トランジスタ24,25のゲートバイアス点を一定に保ち、ゲート接地トランジスタのドレイン端子における線形性の劣化を抑制する。 - 特許庁

An LDMOS (Lateral Diffused MOS) FET1, having a grounded source terminal, operates as a source-grounded amplifier through the application of a gate voltage Vgs from a gate bias terminal 3 via a temperature compensating circuit 2 and a choke coil and through the application of a drain voltage Vds from a drain bias terminal 4 via the choke coil, respectively.例文帳に追加

LDMOS FET1は、ソース端子が接地され、ゲートバイアス端子3から温度補償回路2およびチョークコイルを介してゲート電圧Vgsが、またドレインバイアス端子4からチョークコイルを介してドレイン電圧Vdsがそれぞれ印加され、ソース接地型増幅器として動作する。 - 特許庁

In a source grounded GaAsFET amplifier 22, an output from a voltage follower containing a operational amplifier 34 is connected to a gate of GaAsFET4.例文帳に追加

ソース接地型のGaAsFET増幅器22において、演算増幅器34で構成されたボルテージフォロワの出力をGaAsFET4のゲートに接続する。 - 特許庁

A local oscillation amplifier 1 is constituted of a field effect transistor 4, its source is grounded at high frequency by using a capacitor 20, and its gate is connected with a resistor 7, whose one end is grounded and a resistor 8.例文帳に追加

局部発振増幅器1は電界効果型トランジスタ4で構成され、ソースは容量20で高周波的に接地され、ゲートは一端が接地された抵抗7と抵抗8が接続され、抵抗8の他端は電源供給端子19に接続される。 - 特許庁

例文

In the Fig. 1, an output of an operation amplifier 103 is connected to a control gate of a memory transistor 101, and a constant current source 102 is connected to a drain electrode, and the source electrode is grounded.例文帳に追加

図1において、メモリトランジスタ101のコントロールゲートにはオペアンプ103の出力が、ドレイン電極には定電流源102が接続されており、ソース電極は接地されている。 - 特許庁

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「grounded gate amplifier」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

In an output stage amplifier circuit, a collector of the oscillation transistor TR1 is connected to the gate of an FET transistor TR2 via a capacitor C7 and a series circuit composed of a resistor R3 and a capacitor C6 is grounded.例文帳に追加

また出力段増幅回路は、発振用トランジスタTR1のコレクタからコンデンサC7を介してFETトランジスタTR2のゲートに接続し、更に抵抗R3とコンデンサC6から成る直列回路を接地する。 - 特許庁

The amplifier circuit has a first transistor T1 of which the source is connected to an input port and the gate is grounded, a second transistor T2 of which the gate is grounded, a first inductor L1 prepared between the drain of the first transistor and the source of the second transistor, and a second inductor L2 prepared between the drain and an output port of the second transistor.例文帳に追加

ソースが入力ポートに接続され、ゲートが接地される第1のトランジスタT1と、ゲートが接地される第2のトランジスタT2と、前記第1のトランジスタのドレイン及び前記第2のトランジスタのソース間に設けられる第1のインダクタL1と、前記第2のトランジスタのドレイン及び出力ポート間に設けられる第2のインダクタL2とを有する増幅回路。 - 特許庁

The transimpedance amplifier is equipped with a MOS transistor Q1 whose gate is grounded via a capacitor CG1 for an alternate current and a MOS transistor Q2 that is subjected to cascode connection with the MOS transistor Q1, whose gate is grounded via a capacitor CG2 for the alternate current, and further whose drain is connected to a load resistor RL.例文帳に追加

この発明は、ゲートをコンデンサCG1で交流的に接地させたMOSトランジスタQ1と、このMOSトランジスタQ1とカスコード接続され、ゲートをコンデンサCG2で交流的に接地させるとともにドレインに負荷抵抗RLを接続させたMOSトランジスタQ2とを備えている。 - 特許庁

As a GaAs FET 21 of the transmission amplifier 20, the one of a type for applying positive voltage to gate voltage Vg is used, a source is grounded, and "DC+4V" to be output from a first power supply part 22 is supplied to a drain via a low-pass filter 24.例文帳に追加

送信増幅器20のGaAsFET21としてゲート電圧Vgに正の電圧を印加するタイプのものを使用し、ソースを接地し、ドレインに第1電源部22から出力される「DC+4V」をローパスフィルタ24を介して供給する。 - 特許庁

The microwave power amplifier comprises a source-grounded FET 1, a first difference frequency short circuit 201 connected to the drain of the FET 1 for short-circuiting at a difference frequency between carrier frequencies and a second difference frequency short circuit 202 connected to the gate of the FET 1 for short-circuiting at a difference frequency between carrier frequencies.例文帳に追加

マイクロ波電力増幅器は、ソースが接地されたFET1と、FET1のドレイン側に接続され、キャリア周波数相互間の差周波数で短絡する第1の差周波短絡回路201と、FET1のゲート側に接続され、キャリア周波数相互間の差周波数で短絡する第2の差周波短絡回路202と、を備える。 - 特許庁

例文

A constant voltage circuit 40 includes a differential amplification part 41 having a first input terminal 44 to which a predetermined voltage is applied and a second input terminal connected to an output terminal 46, and a source-grounded amplifier 42 having a transistor T46 whose source is ground, whose drain is connected to the output terminal 46, and to whose gate output of the differential amplification part 41 is applied.例文帳に追加

定電圧回路40は、所定の電圧が印加される第1の入力端子44と、出力端子46に接続された第2の入力端子とを備えた差動増幅部41と、ソースが接地され、ドレインが出力端子46に接続され、ゲートに差動増幅部41の出力が与えられるトランジスタT46を備えたソース接地型増幅器42とを有する。 - 特許庁

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「grounded gate amplifier」の意味に関連した用語
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ゲート接地増幅器 日英・英日専門用語

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