growing a setとは 意味・読み方・使い方

A plurality of parameters including growing days 505, muscular strength 506, endurance 507, and force of judgement 508 are set for growing character grown by respective players and managed by a server device.例文帳に追加

また、各プレイヤが育成する育成キャラクタには、育成日数５０５、筋力５０６、持久力５０７及び判断力５０８を含む複数のパラメータが設定され、サーバ装置において管理されている。 - 特許庁

To set a proper green zone control standard while considering the basic plan, society needs, use trends and plant growing condition of a green zone.例文帳に追加

緑地の基本計画、社会ニーズ、利用動向、植物の生育状態などを考慮しつつ適切な管理水準を設定する。 - 特許庁

This greening method for growing plants on a vegetated surface 4 includes laying the vegetation mats 1 and 1' set with the chewing inhibitor 6 in a condition of leaving a plant growing space 7, on the vegetated surface 4.例文帳に追加

植生対象面４に植物を生育させる緑化方法において、植物生育空間７を残した状態で咀嚼阻害物６を設けた植生マット１，１’を、植生対象面４に敷設する。 - 特許庁

To provide a splint which can easily set spacings of planting, and stably holding a plurality of plants according to their growing states.例文帳に追加

植物の植え付け間隔を簡易に設定でき、その育成状況に合わせて複数の植物を簡易に安定保持できる添え木を得ること。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor, capable of epitaxially growing a semiconductor crystal over the whole surface of a substrate and facilitating the work to set wafers in a susceptor.例文帳に追加

基板全面に半導体結晶をエピタキシャル成長させることが可能で、かつサセプタへの基板のセット作業が容易な化合物半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The method for producing a crystal 10 by a sublimation method includes: a process for arranging a ground substrate made of a material different from the crystal 10; a process for growing a first crystal 11 on the ground substrate by raising the temperature to a set temperature; and a process for growing a second crystal 12 on the first crystal 11 at a temperature equal to or higher than the set temperature.例文帳に追加

結晶の製造方法は、昇華法により結晶１０を製造する方法であって、結晶１０と異なる材料の下地基板を配置する工程と、設定温度まで昇温することで、下地基板上に第１の結晶１１を成長する工程と、設定温度以上の温度で、第１の結晶１１上に第２の結晶１２を成長する工程とを備えている。 - 特許庁

In a vessel for growing (1,2), an SiC seed crystal 5 is set and a gas as a feed is supplied to it, and the SiC single crystal is grown from the SiC seed crystal 5.例文帳に追加

成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶５に対して原料となるガスを供給してＳｉＣ種結晶５からＳｉＣ単結晶を成長させる。 - 特許庁

The current density in growing the plated layer 4 supporting the diamond abrasive grains 5L is set ranging from 0.03 to 0.1 (A/dmm^2).例文帳に追加

ダイヤモンド砥粒５Ｌ…を支持するメッキ層４を成長させていくときの電流密度を、０．０３〜０．１〔Ａ／ｄｍｍ^２〕の範囲に設定する。 - 特許庁