high speed transistorsとは 意味・読み方・使い方

High-speed MOS transistors (32) are provided by forming a conductive layer (24) embedded in transistor gate sidewall spacers (27).例文帳に追加

トランジスタゲートサイドウォールスペーサ（２７）に埋め込まれた導電層（２４）を形成することによって高速ＭＯＳトランジスタ（３２）は、用意される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, wherein not only the variations in the threshold voltages of its transistors are prevented, but also is able to operate at a high speed.例文帳に追加

トランジスタのしきい値電圧の変動を防止して信頼性の向上が図れる上に、高速動作が可能な半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory, comprising selective transistors having short gate lengths suited for making a high-speed and highly integrated structure.例文帳に追加

選択トランジスタのゲート長が短く、高速化及び高集積化に適した構成の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize a high-speed operation and to reduce a leak current by connecting transistors different in threshold in series and inserting them between power sources.例文帳に追加

異なるしきい値を持つトランジスタを直列に接続して電源間に挿入することにより、高速動作及びリーク電流の低減を実現する。 - 特許庁

To integrate high-speed, low power-consumption transistors, in particular, field-effect transistors having strained Si for their channels, with a heterobipolar transistor.例文帳に追加

高速、低消費電力のトランジスタ、特にひずみＳｉをチャネルとして有する電界効果トランジスタ、およびヘテロバイポーラトランジスタを集積化することを目的とする。 - 特許庁

To provide a logic circuit comprising multi-stage connection of a plurality of current mode logic circuits each configured with field effect transistors that improves the transconductance g_m and the cut-off frequency f_T of the transistors and attains a high speed/broadband configuration.例文帳に追加

電界効果型トランジスタで構成した複数の電流モード論理回路を多段接続した論理回路において、トランスコンダクタンスｇ_ｍやトランジスタの遮断周波数ｆ_Tを改善し、かつ高速・広帯域化する。 - 特許庁

To make it possible to write a signal at a high-speed scanning permitting time-shared display without increasing mobility of transistors and decreasing numerical aperture although a conventional design technique of transistors is used.例文帳に追加

トランジスタの移動度能力向上や開口率の低下等を引き起こさず、従来のトランジスタの設計手法を用いながら、時間分割表示が可能となる高速走査にて信号が書き込めるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of reading out data at a high speed, by eliminating charge supplying transistors necessary for holding the "H" level of bit lines in accordance with the increase of off-leakage of transistors due to miniaturization, and accelerating the reading speed of stored data in the "L" level of the bit lines.例文帳に追加

微細化によりトランジスタのオフリークが増大して行く中で、ビット線の「Ｈ」レベルを保持するために必要な電荷供給用のトランジスタをなくし、ビット線が「Ｌ」レベルになる記憶データの読み出しを高速化することで、高速読み出しが可能な半導体集積回路を提供する。 - 特許庁