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in GaAsとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ひ化ガリウムインジウム
「in GaAs」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 420件
In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加
本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁
In the tandem solar cell including an InGaP/(In)GaAs/Si 3-junction structure solar cell, an (In)GaAs solar cell layer and an Si solar cell layer are bonded together across a Ge interposing layer formed at part of the (In)GaAs solar cell layer.例文帳に追加
InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。 - 特許庁
On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加
n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁
The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加
本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁
In the GaAs layer formation step, a GaAs layer containing GaAs is formed on the surface of a precursor 11 of the semiconductor laser device.例文帳に追加
ＧａＡｓ層形成工程では、半導体レーザ素子の前駆体１１の表面上に、ＧａＡｓを含むＧａＡｓ層を形成する。 - 特許庁
An andoped GaAs layer 3, an n+-type GaAs layer 4, and an n-type GaAs layer 5 undergo epitaxial growth in this order via a GaAs buffer layer 2 on a semi-insulating GaAs substrate 1 to form a channel layer.例文帳に追加
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓバッファー層２を介してアンドープＧａＡｓ層３、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層４およびｎ型ＧａＡｓ層５を順次エピタキシャル成長させてチャネル層を形成する。 - 特許庁
A p-type GaAs layer 2 in a thickness of 300 nm is formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加
ｎ型ＧａＡｓ基板１上へ厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＡｓ層２を形成する。 - 特許庁
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「in GaAs」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 420件
In the impurity activation step, the temperature of GaAs layer formed in the GaAs layer formation step is raised to activate predetermined impurities in the GaAs layer.例文帳に追加
不純物活性化工程では、ＧａＡｓ層形成工程で形成したＧａＡｓ層の温度を上昇させ、ＧａＡｓ層内に、予め定める不純物を活性化させる。 - 特許庁
The technology disclosed herein adopts a configuration, wherein a resistor Rbb9 is provided in parallel with a voltage drive bias circuit including a transistor (GaAs-HBT) Trb1.例文帳に追加
GaAs-HBTからなるTrb1を含む電圧駆動バイアス回路と並列に、抵抗Rbb9を設けた構成とする。 - 特許庁
In the second heating, the substrate 1 is heated with a GaAs substrate placed on the GaAs film 2.例文帳に追加
第２の加熱工程では、ＧａＡｓ膜２上にＧａＡｓ基板を載せた状態で、基板１を加熱する。 - 特許庁
The semiconductor device is constructed in such a manner that a back metal electrode film 7a on the back of the semi-insulating GaAs substrate 1 is ohmic-joined with the semi-insulating GaAs substrate 1, and a side metal electrode film 7b on the side of a via hole 6 is ohmic-joined on the interface with the semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加
半絶縁性GaAs基板１の裏面に形成された裏面金属電極膜７ａが、半絶縁性GaAs基板１とオーミック接合し、バイアホール６の側面に形成された側面金属電極膜７ｂが、半絶縁性GaAs基板１との界面でオーミック接合した構造とする。 - 特許庁
It is possible to prevent cracks from occurring in the dielectric body 14 by an Al slide in a temperature rising or falling process since the recessed part is in the GaAs substrate 11.例文帳に追加
GaAs基板１１に凹部があるので、昇温降温を行うプロセスにおけるAlスライドによって誘電体１４にクラックが生じない。 - 特許庁
An n-type GaAs layer 2, an n-type AlGaAs layer 3 and a non- doped GaAs layer 4 are formed on a semiinsulative GaAs substrate 1 in the order of these layers 2, 3 and 4.例文帳に追加
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にｎ型のＧａＡｓ層２、ｎ型のＡｌＧａＡｓ層３、およびノンドープのＧａＡｓ層４がこの順に形成されている。 - 特許庁
InAs dot formed by using strain relaxation on a GaAs layer is buried in a GaAs film 4 to a thickness not more than a thickness of dot thickness.例文帳に追加
ＧaＡs層上に歪み緩和を利用して形成したInＡsドットをＧaＡs膜でドットの厚さ以下の厚さまで埋め込む。 - 特許庁
To provide a technology of preventing an idle current from unflowing when a reference voltage Vref is lowered in a GaAs-HBT power amplifier.例文帳に追加
GaAs-HBT電力増幅器において基準電圧Vrefを低くした際に、アイドル電流が流れなくなることを防止する。 - 特許庁
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