interconnection resistanceとは 意味・読み方・使い方

To provide a method, of forming an interconnection, in which a fine thin-film interconnection with a small contact resistance can be formed surely on a thick-film interconnection by a lift-off method.例文帳に追加

厚膜配線上に、リフトオフ法により、接触抵抗の小さい、微細な薄膜配線を確実に形成することを可能ならしめる。 - 特許庁

For example, an Ni interconnection which is hardly diffused is used for the gate electrode (G) on a channel region and a low-resistance Ag interconnection is used for the gate interconnection (GL) which does not overlap the channel region, to reduce interconnection resistance.例文帳に追加

例えば、チャネル領域上のゲート電極（Ｇ）部を拡散し難いＮｉ配線で構成し、チャネル領域とは重ならないゲート配線（ＧＬ）部は、抵抗の低いＡｇ配線を用い、配線の低抵抗化を図る。 - 特許庁

FORMATION OF LOW-RESISTANCE VIA CONTACT IN INTERCONNECTION STRUCTURE例文帳に追加

相互接続構造内での低抵抗バイア・コンタクトの形成 - 特許庁

Contact holes 10 and 11 for exposing a part of gate interconnection 3 and resistance interconnection 6 respectively are included.例文帳に追加

ゲート配線３および抵抗配線６の一部をそれぞれ露出させるコンタクトホール１０，１１を含む。 - 特許庁

To easily remove a Cu oxide formed on the surface of a Cu interconnection and thereby to reduce the wire resistance of the Cu interconnection including vias in the formation of the Cu interconnection using a damascene method.例文帳に追加

ダマシン法を用いたＣｕ配線形成において、Ｃｕ配線の表面に形成されるＣｕ酸化物を容易に除去し、ビアを含むＣｕ配線抵抗の低減を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a fully silicided gate process in which the width of a gate interconnection is narrow, wherein a contact area between the gate interconnection and a contact can be easily secured and the wire resistance of the gate interconnection can be made small without changing the designing rules of the gate interconnection.例文帳に追加

ゲート配線の幅が狭いフルシリサイド化ゲートプロセスを用いた半導体装置において、ゲート配線の設計ルールを変更することなく、ゲート配線とコンタクトとの接触面積を確保することが容易で且つゲート配線の配線抵抗が小さい半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a multilayer interconnection structure which can be formed with a low wiring resistance and a high yield.例文帳に追加

低配線抵抗でかつ高歩留りで形成可能な多層配線構造を得る。 - 特許庁