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interlayer spaceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 層間空間
「interlayer space」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 37件
Thereafter, an interlayer insulating film 12 is stacked, and a space between the gate electrodes 7 is filled with the interlayer insulating film 12.例文帳に追加
この後、層間絶縁膜１２を堆積し、ゲート電極７間のスペースを層間絶縁膜１２によって埋める。 - 特許庁
INTERLAYER SPACE CONTROL METHOD FOR MIXTURE OF SMECTIC LIQUID CRYSTAL COMPOUND例文帳に追加
スメクティック液晶化合物の混合物における層間隔を制御する方法 - 特許庁
To improve burying properties of an interlayer insulating film and a metal film in a space between memory cells while making the space narrower.例文帳に追加
メモリセル間の間隔を狭めつつ、この間隔に対する層間絶縁膜や金属膜の埋め込み性を改善すること。 - 特許庁
A second interlayer film 104 is formed on the wirings 102 and the inter-wiring space 103.例文帳に追加
複数の配線１０２の上及び配線間スペース１０３に第２の層間膜１０４が形成されている。 - 特許庁
The α-amino acids are interlayer dilating components for dilating the space between the layers in the layer-like clay mineral.例文帳に追加
このα−アミノ酸類は、層状粘土鉱物の層間を拡張する層間拡張成分である。 - 特許庁
The second interlayer film 104 is possessed of an air gap 105 formed in the inter-wiring space 103.例文帳に追加
第２の層間膜１０４は、配線間スペース１０３に形成されたエアギャップ１０５を有している。 - 特許庁
The inter-wiring space P1 of a first wiring layer 1 in the interlayer insulating film 2 is narrowed, so that the first wiring layer 1 in the interlayer insulating film 2 is increased in total amount, and the interlayer insulating film 2 which is low in hardness to cause deflection is reduced in total amount.例文帳に追加
層間絶縁膜２における第１配線層１の配線間スペースＰ１を密にすることによって、層間絶縁膜２における第１配線層１の総量を増加させ、撓みの原因となる硬度の低い層間絶縁膜２の総量を低減させている。 - 特許庁
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「interlayer space」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 37件
A space 91 is formed on interlayer films 56-58 formed on the substrate 51 along the division line in the plan view.例文帳に追加
基板５１上に形成された層間膜５６〜５８に、間隙９１が、前記平面視において前記分割線に沿って形成される。 - 特許庁
Wirings 102 are formed on a first interlayer film 101 on a semiconductor substrate 100, separating from each other by an inter-wiring space 103.例文帳に追加
半導体基板１００上の第１の層間膜１０１の上に複数の配線１０２が配線間スペース１０３を介して形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of embedding an interlayer insulation film between gate electrodes with superior repeatability even if a space between the gate electrodes is narrowed.例文帳に追加
ゲート電極間が狭まっても、ゲート電極間に再現性よく層間絶縁膜を埋め込むことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
The end 7 of a pad electrode 4 formed on a semiconductor substrate 1 including a patterned interlayer insulation film 3 is covered by a plated layer 5 without leaving any space in-between.例文帳に追加
パターニングされた層間絶縁膜３を含む半導体基板１上に形成されるパッド電極４の端部７をメッキ層５で隙間なく被覆する。 - 特許庁
On the side of each of the plurality of wiring layers 2, a hollow space 20 or an interlayer film 7 with a low dielectric constant of 2.5 or below are located.例文帳に追加
複数の配線層２の各々の横側には、中空空間２０もしくは２．５以下の誘電率を有する低誘電率の層間膜７が位置している。 - 特許庁
Also, since a space which is required when the interlayer film 3 near the scribe line 10 is eliminated according to the conventional technology is no longer necessary, the semiconductor device can be miniaturized.例文帳に追加
また、従来技術のようにスクライブライン１０近傍の層間膜３を除去した場合に必要なスペースが不要であり、半導体装置の微細化を実現できる。 - 特許庁
A semiconductor device includes: a first interlayer dielectric 11 having a plurality of first nanocolumn type holes 11b as space portions each having a cylindrical shape extending vertically to a principal surface of the semiconductor substrate; and low-layer wiring 12 selectively formed in the first interlayer dielectric 11.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板の主面に垂直な方向に筒状に延びる複数の空間部である第１のナノコラム型ホール１１ｂを有する第１の層間絶縁膜１１と、該第１の層間絶縁膜１１に選択的に形成された下層配線１２とを有している。 - 特許庁
A first insulating film (an interlayer dielectric II) is formed on the element and in the trench DTR to cover the element and form a hollow space in the trench DTR, respectively.例文帳に追加
上記素子上を覆うように、かつ溝ＤＴＲ内に中空を形成するように素子上および溝ＤＴＲ内に第１の絶縁膜（層間絶縁膜ＩＩ）が形成される。 - 特許庁
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