「interlayer space」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The second interlayer film 104 is possessed of an air gap 105 formed in the inter-wiring space 103.例文帳に追加

第２の層間膜１０４は、配線間スペース１０３に形成されたエアギャップ１０５を有している。 - 特許庁

The inter-wiring space P1 of a first wiring layer 1 in the interlayer insulating film 2 is narrowed, so that the first wiring layer 1 in the interlayer insulating film 2 is increased in total amount, and the interlayer insulating film 2 which is low in hardness to cause deflection is reduced in total amount.例文帳に追加

層間絶縁膜２における第１配線層１の配線間スペースＰ１を密にすることによって、層間絶縁膜２における第１配線層１の総量を増加させ、撓みの原因となる硬度の低い層間絶縁膜２の総量を低減させている。 - 特許庁

A space 91 is formed on interlayer films 56-58 formed on the substrate 51 along the division line in the plan view.例文帳に追加

基板５１上に形成された層間膜５６〜５８に、間隙９１が、前記平面視において前記分割線に沿って形成される。 - 特許庁

Wirings 102 are formed on a first interlayer film 101 on a semiconductor substrate 100, separating from each other by an inter-wiring space 103.例文帳に追加

半導体基板１００上の第１の層間膜１０１の上に複数の配線１０２が配線間スペース１０３を介して形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of embedding an interlayer insulation film between gate electrodes with superior repeatability even if a space between the gate electrodes is narrowed.例文帳に追加

ゲート電極間が狭まっても、ゲート電極間に再現性よく層間絶縁膜を埋め込むことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The end 7 of a pad electrode 4 formed on a semiconductor substrate 1 including a patterned interlayer insulation film 3 is covered by a plated layer 5 without leaving any space in-between.例文帳に追加

パターニングされた層間絶縁膜３を含む半導体基板１上に形成されるパッド電極４の端部７をメッキ層５で隙間なく被覆する。 - 特許庁

On the side of each of the plurality of wiring layers 2, a hollow space 20 or an interlayer film 7 with a low dielectric constant of 2.5 or below are located.例文帳に追加

複数の配線層２の各々の横側には、中空空間２０もしくは２．５以下の誘電率を有する低誘電率の層間膜７が位置している。 - 特許庁

Also, since a space which is required when the interlayer film 3 near the scribe line 10 is eliminated according to the conventional technology is no longer necessary, the semiconductor device can be miniaturized.例文帳に追加

また、従来技術のようにスクライブライン１０近傍の層間膜３を除去した場合に必要なスペースが不要であり、半導体装置の微細化を実現できる。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a first interlayer dielectric 11 having a plurality of first nanocolumn type holes 11b as space portions each having a cylindrical shape extending vertically to a principal surface of the semiconductor substrate; and low-layer wiring 12 selectively formed in the first interlayer dielectric 11.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の主面に垂直な方向に筒状に延びる複数の空間部である第１のナノコラム型ホール１１ｂを有する第１の層間絶縁膜１１と、該第１の層間絶縁膜１１に選択的に形成された下層配線１２とを有している。 - 特許庁

A first insulating film (an interlayer dielectric II) is formed on the element and in the trench DTR to cover the element and form a hollow space in the trench DTR, respectively.例文帳に追加

上記素子上を覆うように、かつ溝ＤＴＲ内に中空を形成するように素子上および溝ＤＴＲ内に第１の絶縁膜（層間絶縁膜ＩＩ）が形成される。 - 特許庁

Vacuum or gas exists in that space and since the dielectric constant is significantly low as compared with that of an interlayer insulation film, parasitic capacitance between the wirings can be reduced.例文帳に追加

この空間は真空または気体が存在する状態であり、これは層間絶縁膜に比べて比誘電率が非常に低いので、配線間の寄生容量を低減することができる。 - 特許庁

The subject hydrogen storage material has the carbon material having: an interlayer space for hydrogen occlusion, formed by removing a portion of or whole of an organic compound from a graphite intercalation compound comprising graphite and the organic compound intercalated in the graphite; and an active point at which hydrogen is adsorbed, being produced on the remaining organic compound and/or a part of hexagonal carbon layers defining the interlayer space.例文帳に追加

水素吸蔵材は、黒鉛の層間に有機化合物が挿入された黒鉛層間化合物の有機化合物の一部又は全てが取り出されて形成される水素侵入用の層間空間を有し、層間空間を形成している炭素六角網面の一部及び／又は層間に残存する有機化合物に水素を吸着する活性点が付与されている炭素材料を備える。 - 特許庁

To provide a device capable of measuring accurately even at a very low temperature in a limited space, a mechanical characteristic value such as interlayer fracture toughness or the like on laminated material such as fiber reinforced plastics or the like.例文帳に追加

繊維強化プラスチックなどの積層材料における層間破壊じん性などの機械的特性値を限られたスペースで、極低温下でも精度よく測定することのできる装置を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film positioned on the fusing element 103 is formed of a material which has a lower melting point than a material for the fusing element 103 and can form a space due to heat at the time of fusion of the fusing element 103.例文帳に追加

ヒューズ素子１０３の上に位置する層間絶縁膜は、ヒューズ素子１０３の材料よりも融点が低く、ヒューズ素子１０３の溶断時の熱によって空間を形成する材料によって形成する。 - 特許庁

To provide a reformed layer-like clay mineral which can easily exhibit the function of a layer-like clay mineral by the extension of the space between layers, to provide a method for producing the reformed layer-like clay mineral, and to provide an interlayer compound.例文帳に追加

層間が拡張されることで、層状粘土鉱物の機能を容易に発揮させることのできる改質層状粘土鉱物、改質層状粘土鉱物の製造方法、及び層間化合物を提供する。 - 特許庁

A buried material 19 is formed on the first interlayer insulating film 18 (Fig.3(b)), and annealing is performed to fuse the buried material 19 and to fill space in the trench 16 with the buried material 19 (Fig.3(c)).例文帳に追加

この後、第１層間絶縁膜１８の上に埋め込み材１９を形成し（図３（ｂ））、埋め込み材１９を溶融させて、トレンチ１６内の空間を埋め込み材１９で埋め込む熱処理を行う（図３（ｃ））。 - 特許庁

To prevent an interlayer dielectric including an SOG (Spin On Glass) film from cracking without providing a slit in a wiring layer or limiting the ratio of a line width and a space interval of a wiring layer positioned as a lower layer.例文帳に追加

配線層にスリットを設けたり、下層に位置する配線層にライン幅及びスペース間隔の比率を制限したりすることなく、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor substrate; an interlayer dielectric film formed on the semiconductor substrate; a wiring disposed in the interlayer dielectric film; and a first and a second anti-fuse wiring that are connected to the wiring, face each other with a space therebetween that provides electrical insulation, and are capable of conduction through the disposition of a conductive member in the space.例文帳に追加

本発明の実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に配置された配線と、前記配線に接続され、電気的に絶縁可能な間隔を有して対向し、前記間隔に導電部材を配置することにより導通可能な第１および第２の接続端部を有した第１および第２のアンチヒューズ配線と、を有する。 - 特許庁

This dew condensation-preventing device for a greenhouse 12 at least whose ceiling portion 17 has a double layered structure comprising transparent films or transparent plates has a dry air-charging means 22 for charging dry air into an interlayer space 20 between the two layers.例文帳に追加

少なくとも天面部１７を透明フィルムまたは透明板で２層構造としたグリーンハウス１２において、前記２層間の層間空間２０に乾燥空気を供給する乾燥空気供給手段２２とを有するグリーンハウス用結露防止装置。 - 特許庁

The leaf 21B is bent toward the first transfer electrode 11 from the horizontal part 21A, and extends over the first transfer electrode 11 so as to form a space of a transparent interlayer insulation film above the leaf 21B extending over the first transfer electrode 11.例文帳に追加

枝葉部２１Ｂは、第１の転送電極１１上に延びる枝葉部２１Ｂの上方に透明な層間絶縁膜の空間を作るように第１の水平部２１Ａから第1の転送電極１１に向かって折れ曲がり第1の転送電極１１上に延びる。 - 特許庁

To provide a commutator for a motor and its manufacturing method, which is capable of significantly shortening work time and preventing occurrence of an interlayer short circuiting by reducing wire processing and bonding man-hours of jumper wires, and preventing a segment from swelling by a large amount to the outside, by eliminating a space of the jumper wires.例文帳に追加

渡り線の線処理及び接合工数を削減して、作業時間を大幅に短縮すると共にレアショートの発生を防止でき、さらに渡り線スペースを無くしてセグメントが外部に大きく膨らむのを防止できるモータ用整流子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The hydrogen storage material is produced by; preparing an organic-graphite intercalation compound where the organic compound is inserted; and reducing the organic-graphite intercalation compound to remove at least a portion of the inserted organic compound from the organic-graphite intercalation compound and to produce a carbon material having an interlayer space.例文帳に追加

層間に有機化合物が挿入された黒鉛層間有機化合物を調製し、黒鉛層間有機化合物を還元して有機化合物の少なくとも一部を黒鉛層間有機化合物から除去して層間空間を有する炭素材料が得られ、これにより水素吸蔵材を構成する。 - 特許庁

By pouring a filling material A containing a reinforcement material into a space 12 (e.g., interlayer exfoliation part) formed inside the composite material, cutting work and preparation of repair material which are required in the conventional art are made unnecessary, production of waste is suppressed, and the repairing processes are simplified.例文帳に追加

強化材を含有する充填材Ａを、複合材料１０内に形成された隙間（例えば層間はく離部）１２に注入することで、従前のような切削作業、修復材料の準備を不要とし、廃棄物の発生を抑制して、修復工程の簡素化を図ることができる。 - 特許庁

Furthermore, a process is provided, where an oxide film 301 as an interlayer insulating film is formed on an insulating film 102 and the gate electrode 201, so as to form a space with the undercuts of the gate electrode 201 through a CVD(chemical vapor deposition) method, which is carried out in an atmosphere of substantially one atmospheric pressure.例文帳に追加

さらに、実質的に１気圧の雰囲気下のＣＶＤ法により、ゲート電極２０１のアンダーカット部との間に空間を形成するように、１０２絶縁膜およびゲート電極上２０１に層間絶縁膜としての酸化膜３０２を形成する工程を有している。 - 特許庁

To provide a filler composition for the space between layers which, when used in the three-dimensional stacking of semiconductor device chips, forms a highly thermally conductive interlayer filling layer simultaneously with the bonding of the solder bumps or the like of a semiconductor device chip to the land, a coating fluid, and a process for producing a three-dimensional integrated circuit.例文帳に追加

半導体デバイスチップの３Ｄ積層化において、半導体デバイスチップ間のはんだバンプ等とランドの接合と同時に、熱伝導性の高い層間充填層を形成する層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation curable resin composition with excellent reactivity, and a prepreg for molding a composite material and members comprising the resin and a fiber reinforcement usable especially in the aeronautical or space field, and especially, a resin composition having compression characteristics and interlayer shear strength superior to those of conventional ones and advantageous in terms of cost.例文帳に追加

反応性に優れた放射線硬化樹脂組成物、及びこの樹脂と繊維強化材とからなる、特に航空・宇宙分野で利用可能な複合材料・部材を成形するためのプリプレグ、特に、従来のものよりも圧縮特性や層間せん断強度に優れ、且つ、コスト的にも有利な樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To keep an interlayer insulating film as wide as possible while performing a damascene process by the use of an existing metal wiring pattern mask and to make a space between pieces of metal wiring wide enough for preventing them from interfering with each other so as to provide a method of forming the metal wiring of a semiconductor device and capable of preventing it from malfunctioning.例文帳に追加

既存の金属配線パターンマスクを用いてダマシン工程を実施しながら層間絶縁膜の幅を最大限確保し、金属配線間の間隔を広めて相互干渉を防止することにより、半導体素子の誤動作を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

A pressing piece 31a of a transverse deviation preventive member 31 projecting from a skeleton 20 side to return the position in the horizontal direction of an exterior facing material 1 to a specified position when the interlayer displacement of the skeleton 20 is returned, is inserted in a space of a shiplap joint part 25b of the exterior facing materials 1 adjacent to each other in the horizontal direction.例文帳に追加

横方向に隣接する外装材１の合じゃくり継目部２５ｂの隙間に、躯体２０の層間変位復帰時に外装材１の横方向の位置を所定位置に復帰させるための、躯体２０側から突出する横ずれ防止部材３１の押圧片３１ａを挿入して設けた。 - 特許庁

Furthermore, since the space between the objective lens and the sample is immersed in the liquid which has a refractive index approximate to that of a transparent film, even in the case a transparent interlayer insulating film is formed on the surface of a sample, fracturing of amplitude at an interface between the liquid and the insulating film is suppressed, and unevenness of brightness caused by thin film interferences is reduced.例文帳に追加

さらに、対物レンズと試料の間を透明膜に近い屈折率の液体で浸すことにより、試料表面に透明な層間絶縁膜が形成されている場合においても液と絶縁膜界面での振幅分割を抑制し、薄膜干渉による明るさむらを低減する。 - 特許庁

This device is composed of a silicon substrate 1, a silicide layer 2 formed on the silicon substrate 1, and field oxide films 3 formed on the silicide layer 2 separated from each other by a certain space and equipped with a monitoring pattern 7, formed outside an element region and an interlayer insulating film 4 which is formed on the silicide layer 2 and the field oxide films 3.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコン基板１と、そのシリコン基板１上に形成されたシリサイド層２と、そのシリサイド層２に間隔を隔てて複数配置されたフィールド酸化膜３からなり、素子領域の外部に形成されたモニターパターン部７と、シリサイド層２及びフィールド酸化膜３上に形成された層間絶縁膜４と、を有する。 - 特許庁

In an substantially rectangular remodeled window with a foamed cured body filled in almost the entire space between an existing window frame and a newly mounted window frame, when an interlayer deformation is horizontally applied to the upper side of the remodeled window, the allowable horizontal deformation quantity Δ is larger than C_1+C_2+H/W×(C_3+C_4).例文帳に追加

本発明は、既設窓枠と新設窓枠との間の空間部分の略全体に発泡硬化体が充填された、略長方形の改装窓において、改装窓の上辺に対して水平方向に層間変形を加えた時に、改装窓の許容水平変形量ΔがＣ_１＋Ｃ_２＋Ｈ／Ｗ×（Ｃ_３＋Ｃ_４）より大きくなる改装窓に関する。 - 特許庁

A semiconductor element having a gate insulating film 6 and a gate electrode 7 is formed on a semiconductor substrate 1, and a first wiring 16A connected electrically with the gate electrode 7 and a second wiring 16B connected electrically with the semiconductor substrate 1 are formed at any space in a second interlayer insulating film 14 formed on the semiconductor element.例文帳に追加

半導体基板１の上にゲート絶縁膜６及びゲート電極７を有する半導体素子が形成され、半導体素子の上に設けられた第２の層間絶縁膜１４には、ゲート電極７と電気的に接続された第１の配線１６Ａと、半導体基板１と電気的に接続された第２の配線１６Ｂとが互いに間隔をおいて形成されている。 - 特許庁