intermetalとは 意味・読み方・使い方

The metal-insulating film-metal capacitor of an IC device is formed on an interlayer dielectric 110, and covered with an intermetal insulating film 150.例文帳に追加

集積回路素子の金属−絶縁膜−金属キャパシタは層間絶縁膜１１０上に形成され、金属間絶縁膜１５０によって覆われる。 - 特許庁

A metal wire 114 is formed above the semiconductor element 300 and in contact therewith, and a passivation layer 118, 902 is formed over the intermetal dielectric layer 112.例文帳に追加

金属ワイヤ［１１４］は半導体素子［３００］の上方にかつそれに接触して形成され、パッシベーション層［１１８］［９０２］は金属間誘電層［１１２］にわたって形成される。 - 特許庁

To provide a lubricating oil for a non-stage transmission having both a high intermetal friction coefficient which is required for a pushbelt type CVT oil and also an excellent abrasion preventive property for a belt and a pulley.例文帳に追加

プッシュベルト式ＣＶＴ油に要求される高い金属間摩擦係数と、ベルト及びプーリーに対する優れた摩耗防止性を両立する無段変速機用潤滑油組成物を提供する。 - 特許庁

On a primary interlayer dielectric 106 and lower metallic film pattern 108b, there is disposed an intermetal insulating film 112 having a via contact hall 120b that exposes part of the surface of the lower metallic film pattern 108b.例文帳に追加

第１層間絶縁膜１０６及び下部金属膜パターン１０８ｂ上には下部金属膜パターン１０８ｂの一部表面を露出させるビアコンタクトホール１２０ｂを有する金属間絶縁膜１１２が配される。 - 特許庁

A protective recessed part 200, 1000 formed with a sidewall passivation layer is formed through the passivation layer 118, 902 and the intermetal dielectric layer 112, and located between the metal wire 114 and the outside edge of the integrated circuit 100, 900.例文帳に追加

側壁パッシベーション層を備えた保護凹部［２００］［１０００］は、パッシベーション層［１１８］［９０２］および金属間誘電層［１１２］を通して形成され、金属ワイヤ［１１４］と集積回路［１００］［９００］の外側のエッジとの間にある。 - 特許庁

A method 1300 of manufacturing an integrated circuit 100, 900 provides a substrate 102 having a semiconductor element 300, and includes a step of forming an intermetal dielectric layer 112 over the substrate 102 and the semiconductor element 300.例文帳に追加

集積回路［１００］［９００］を製造する方法［１３００］は、半導体素子［３００］を有する基板［１０２］を提供し、基板［１０２］および半導体素子［３００］にわたって金属間誘電層［１１２］を形成するステップを含む。 - 特許庁

The aluminum plate contains 1×10^7-10^10/cm^3 of an Fe-contained intermetal compound having aluminum impurity of not less than 99.98 mass%, which contains Fe 5-50 ppm and Cu 5-40 ppm, the residual part consisting of an inevitable impurity and has grain size of 0.1-1 μmϕ when converted into a sphere.例文帳に追加

アルミニウム板は、アルミニウム純度が99.98質量%以上でFe5〜50ppm、Cu5〜40ppmを含有するとともに、残部が不可避的不純物からなり、球形に換算したときの粒径が0.1〜1.0μmφのFe含有金属間化合物を1×10^7〜10^10/cm^3の数、含有する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for evenly depositing silicon oxide layer having a low permittivity used for a gap filling layer in a sub- micron element, a premetal dielectric layer, an intermetal dielectric layer, shallow trench separating dielectric layer and the like.例文帳に追加

サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。 - 特許庁