inverse sとは 意味・読み方・使い方

The total sum of values obtained by multiplying the contact lengths L_k found for all extracted nodes N_S by force P_S applied to the caulking piece model 2m is found, and the inverse number of the total sum is found as the coefficient of contact performance.例文帳に追加

抽出された全ての節Ｎ_Sについて求めた接触長さＬ_kと抽出された節Ｎ_Sがかしめ片モデル２ｍに作用する力Ｐ_Sとを乗じた値の総和を求めて、当該総和の逆数を接触性能係数として求める。 - 特許庁

ISOTOPE ANALYSIS METHOD IN HIGH PRECISION, HIGH S/N, AND HIGH EFFICIENCY BY NUCLEAR ISOMER GENERATION USING LASER INVERSE COMPTON GAMMA RAY例文帳に追加

レーザー逆コンプトンガンマ線を用いた核異性体生成による高精度、高Ｓ／Ｎ、高効率での同位体分析法 - 特許庁

An input/output characteristic (applied voltage-transmissivity curve) of the liquid crystal panel 6 is approximated by using the sigmoid inverse function which is an S-shaped function type.例文帳に追加

液晶パネル６の入出力特性（印加電圧−透過率曲線）を、Ｓ字型の関数型となるシグモイド関数を用いて近似する。 - 特許庁

The processing device 2 converts each S parameter into T parameters, and then obtains the true characteristic of DUT 4 by an inverse matrix operation.例文帳に追加

処理装置２は、各ＳパラメータをＴパラメータに変換後、逆行列演算によりＤＵＴ４の真の特性を得る。 - 特許庁

The S/N of the operation image is improved by forming the operation image by performing the NF operation on the basis of the inverse tangent.例文帳に追加

逆正接関数に基づいたＮＦ演算を行なって演算画像を生成することにより、演算画像のＳ／Ｎが向上する。 - 特許庁

A plurality of support pieces 2 in an inverse triangle shape formed on a sheet S are folded and the holder 1 in which the support pieces 2 are continued is provided.例文帳に追加

シートＳに形成された逆三角形状を成す複数枚の支持片２を折りたたみ、支持片２が連続するホルダー１を設ける。 - 特許庁

Then, the absolute value is time-averaged to calculate a time average value S(n)tav, its inverse {Av/S(n)tav} is obtained, and after inverse discrete Fourier transform of this is performed, by extracting transformation results from 0 to N/2 from among the (N) transformation results to perform correction (e.g. by multiplying 2), a delay profile is calculated.例文帳に追加

そして、その絶対値を時間平均することにより時間平均値Ｓ(n)tavを算出し、その逆数｛Ａｖ／Ｓ(n)tav｝を求め、これを逆離散フーリエ変換した後、その変換結果（Ｎ個）の中から０〜Ｎ／２の変換結果を抽出して補正（例えば×２）することで、遅延プロファイルを算出する。 - 特許庁

Inverse sputtering is executed to a forming face S of the semiconductor substrate 1 in order to remove a natural oxide film (not illustrated in Figure) formed on the forming face S of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

まず、半導体基板１の形成面Ｓに形成された図示しない自然酸化膜を除去するために、半導体基板１の形成面Ｓの逆スパッタリングを行う。 - 特許庁