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ion beam sputterとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 イオンビームスパッタ; イオンビームスパッタリング法
「ion beam sputter」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 18件
ION GUN AND ION BEAM SPUTTER FILM FORMING DEVICE例文帳に追加
イオンガン及びイオンビームスパッタ成膜装置 - 特許庁
An ion source 2 projects a beam 2a (for instance, Argon (Ar) ion beam) to a target material 3 to sputter the target material 3.例文帳に追加
イオン源2は、ターゲット材3に向けてイオンビーム2a(例えば、アルゴン(Ar)イオンビーム)を照射し、ターゲット材3をスパッタする。 - 特許庁
To provide an ion implanting device in which ion implantation by a large area ion beam can be carried out in a large-scale substrate, uniformity of ion beam is controllable, there is no occurring of a sputter by the ion beam, and which can prevent adverse effect by a sputter.例文帳に追加
大面積イオンビームにより大型の基板にイオン注入を行うことができ、イオンビームの均一性を制御可能であり、かつイオンビームによるスパッタの発生がなく、スパッタによる悪影響を防止することができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
Ion beams B generated from an ion beam source 3 are radiated toward a sputter target 2 to generate film deposition particles toward a substrate W.例文帳に追加
イオンビーム源3から発生されたイオンビームBをスパッタターゲット2に向かって放射し、基板Wに向かって成膜粒子を発生させる。 - 特許庁
The protective film 34 is, in an ion beam sputter method, deposited in relatively small ion beam input power density in the initial stages, and then deposited in relatively large ion beam input power density.例文帳に追加
保護膜34は、イオンビームスパッタ法により、初期には、相対的に小さいイオンビーム投入電力密度で成膜し、その後、相対的に大きいイオンビーム投入電力密度で成膜することを特徴とする。 - 特許庁
The catalyst 4 with the dendritic structure is formed by a vacuum evaporation method like reactive sputter, reactive electron beam evaporation, or ion plating.例文帳に追加
樹枝状構造の触媒4は、反応性スパッタ、反応性電子ビーム蒸着、イオンプレーティング等の真空蒸着法により形成する。 - 特許庁
Recessed shape processing (recess-shaped sputter etching) using a converged ion beam is carried out along the width of the supercondcutvie film 210.例文帳に追加
超電導膜210の幅方向に集束イオンビームによる凹形加工(凹形スパッタエッチング)を行う。 - 特許庁
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「ion beam sputter」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 18件
The probe device reduces adverse effect on the sample caused by sputter particles generated by ion beam irradiation to the probe, debris of the probe, and the ion beams passing through the vicinity of the probe.例文帳に追加
本発明により、プローブへのイオンビーム照射により発生したスパッタ粒子,プローブの破片,プローブの近傍を通過したイオンビームなどによる試料などへの悪影響を低減できる。 - 特許庁
The structure part and/or the electrode layers and the buffer part are consecutively formed by a sputter method, a vapor deposition method, an aerosol deposition method, an ion plating method, an ion cluster method, a laser beam abrasion method, etc.例文帳に追加
緻密構造部及び/又は電極層と上記バッファ部とを、スパッタ法、蒸着法、エアロゾルデポジション法、イオンプレーティング法、イオンクラスタ法及びレーザービームアブレーション法などによって連続して形成する。 - 特許庁
To reduce lowering of detecting accuracy caused by sputter particles adhering again to a specimen and remaining gas in a specimen compartment adhering to the sputter particles, in a secondary ion mass spectrometer to detect only a desired element in the specimen by irradiating the specimen with a primary ion beam and analyzing a secondary ion generated by the irradiation by a mass spectrometer.例文帳に追加
試料35に1次イオンビーム32を照射し、それによって発生した2次イオン36を質量分析計40で分析して、試料35中の所望とする元素のみを検出するようにした2次イオン質量分析装置において、スパッタ粒子の試料35への再付着や、試料室内の残留ガスのスパッタ粒子への付着などによる検出精度の低下を低減する。 - 特許庁
Preferably, the film of the cosmetic has an outer film formed by covering the film with a resin embedding agent, and the cross-section forming part is sputter-coated by a focused ion beam.例文帳に追加
さらに、前記化粧料の膜は樹脂包埋剤で被覆して外膜を形成することが好ましく、断面形成部分に収束イオンビームによるスパッタコーティングすることが好ましい。 - 特許庁
Anodes 311 to 322 of a sputter ion pump P1 for exhausting the inside of an electron beam lens barrel 1 in the electron beam apparatus has a plurality of holes, and the plurality of holes are annularly arranged on the circumference of a vacuum chamber 12 in the electron beam lens barrel 1.例文帳に追加
電子線装置の電子線鏡筒1の内部を排気するためのスパッタイオンポンプP1のアノード311〜322は複数の孔を有し、これら複数の孔が電子線鏡筒1内の真空室12の周囲に環状に配列される。 - 特許庁
In a probe device having an ion beam system for irradiating an ion beam, and a probe control device for driving the probe arranged in a vacuum sample chamber, a zone for processing the probe with ion beams is arranged in the sample chamber, and sputter particles of the probe and ion beams passing through in the vicinity of the probe are captured in the zone.例文帳に追加
本発明は、イオンビームを照射できるイオンビーム装置と、真空試料室内に配置されたプローブを駆動するプローブ制御装置と、を備えたプローブ装置において、プローブをイオンビームで加工するための領域を試料室内に設け、プローブのスパッタ粒子やプローブ近傍を通過したイオンビームを当該領域に捕捉させることに関する。 - 特許庁
A steel material B compound species specification method uses the resonance multiphoton ionization sputter neutral particle mass analysis method of ionizing neutral particles 5, sputtered with an active primary ion beam 2, with laser light and taking mass analysis of an ion species taken in a mass analyzer 7 through a lead electrode 6 for the steel material containing the B compound.例文帳に追加
B化合物を含有する鋼材に対して、不活性な一次イオンビーム2によってスパッタリングされた中性粒子5をレーザー光でイオン化し、引出電極6を介して質量分析計7に取り込まれたイオン種の質量分析をするスパッタ中性粒子質量分析法を利用する。 - 特許庁
When a secondary ion 4 released from the surface of a sample 1 through sputter etching by ion beam radiation is detected, and the depth-wise distribution of the element containing in the sample 1 is measured, an ion beam is irradiated in a state where sample 1 is exposed to an oxygen atmosphere 2, and the element distribution on the extreme surface of the sample 1 is evaluated.例文帳に追加
イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料1の表面から放出される二次イオン4を検出し、試料1中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する際に、試料1を酸素雰囲気2に曝した状態でイオンビームを照射して、試料1の極表面での元素分布評価を行う。 - 特許庁
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イオンビームスパッタ装置
英和対訳
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