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junction technologyとは 意味・読み方・使い方
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「junction technology」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 23件
SEAL INTEGRATED MEMBRANE ELECTRODE JUNCTION MANUFACTURING TECHNOLOGY例文帳に追加
シール一体型膜電極接合体製造技術 - 特許庁
MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR ENHANCING PRESSURE UNIFORMITY IN ANODE JUNCTION GAS-PHASE CELL例文帳に追加
陽極接合気相セル内の圧力均一性を増強する製造技術 - 特許庁
The light emitting element 520 and the hetero-junction phototransistor 510 are formed in a monolithic integration technology in a way that the hetero-junction phototransistor 510 is overlapped on the light emitting element 520.例文帳に追加
発光素子及びヘテロ接合フォトトランジスタはモノリシック集積化技術によってヘテロ接合フォトトランジスタ510が発光素子上に重なるように形成される。 - 特許庁
To provide manufacturing technology for enhancing pressure uniformity without generating a pressure difference in an anode junction gas-phase cell.例文帳に追加
陽極接合気相セル内の圧力差を生じさせず、圧力均一性を増強する製造技術を提供する。 - 特許庁
To provide a welding technology capable of obtaining a sound fused junction part with deep penetration without blow hole or incomplete penetration.例文帳に追加
ブローホールあるいは溶け不足のない、溶け込みの深い健全な溶融接合部を得ることのできる溶接技術を提供する。 - 特許庁
The manufacturing technology further includes a step for performing anode junction of a second wafer to one side part of the first wafer 300, and a step for performing anode junction of a third wafer to the opposite side part of the first wafer 300.例文帳に追加
さらに、第2ウェハを第1ウェハ300の一方の側部に陽極接合するステップと、第1ウェハ300の反対側の側部に第3ウェハを陽極接合するステップと、を有する。 - 特許庁
iii) The technology (excluding programs) pertaining to the design or manufacture of hetero-junction microchips (excluding high electron mobility transistors or hetero-junction bipolar transistors whose operating frequency is less than 31.8 gigahertz発音を聞く 例文帳に追加
三 ヘテロ接合の半導体素子(動作周波数が三一・八ギガヘルツ未満の高電子移動度トランジスタ又はヘテロ接合バイポーラトランジスタを除く。)の設計又は製造に係る技術(プログラムを除く。) - 日本法令外国語訳データベースシステム
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「junction technology」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 23件
Since the p-layer and the n-layer are formed by epitaxial growth technology, a heavily doped pn junction is formed with high accuracy.例文帳に追加
エピタキシャル結晶成長技術でp層、n層を形成しているので高不純物濃度のpn接合が精度よく形成される。 - 特許庁
The pseudomorphic high-electron-mobility transistors and the hetero-junction bipolar transistors are manufactured using a GaAs BiFET technology process.例文帳に追加
擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、GaAs BiFET技術プロセスを用いて製造される。 - 特許庁
To provide a technology for forming a photoelectric element having light-absorbing characteristics and a high open circuit voltage usable as a top cell of a multi-junction solar cell.例文帳に追加
多接合太陽電池のトップセルとしても利用可能な光吸収特性と、高い開放電圧を持つ光電素子を形成可能とする技術の提供。 - 特許庁
To provide a technology for forming a shallow p-n junction of a depth, from the surface of a semiconductor substrate which is 10 nm or less, without decreasing the throughput.例文帳に追加
スループットを低下させずに、半導体基板の表面からの深さが10nm以下の浅いpn接合を形成することのできる技術を提供する。 - 特許庁
The technology forms seal member intake through-holes 62a, 62b on a membrane electrode junction prior to injection molding in addition to manifold holes 16a to 16f.例文帳に追加
射出成形前の膜電極接合体に対して、マニホールド孔16a〜16fとは別に、貫通孔であるシール部材流入孔62a、62bを形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device to which distortion silicon technology can effectively be introduced while the occurrence of junction leakage current is suppressed and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加
接合リーク電流の発生を抑えつつ、効果的に歪みシリコン技術の導入を図り得る半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and apparatus for easily and sufficiently improving wettability of the junction surface in the brazing and soldering technology to join two pieces of members using a brazing filler metal.例文帳に追加
ろう材を用いて2個の部材を接合するろう接技術において、接合面のぬれ性を容易にかつ十分に改善し得る方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a proton conductive polymer membrane wherein peeling-off of bonded interface of membrane-electrode junction is suppressed even in a hot press method similar to a conventional technology and wherein a superior and stable membrane-electrode junction is capable of preparing, and provide the membrane-electrode junction using the same, and further provide a solid polymer fuel cell using the same.例文帳に追加
従来技術と類似したホットプレス法であっても、膜−電極接合体の接合界面の剥がれを抑制し、良好かつ安定な膜−電極接合体を調製するのが可能なプロトン伝導性高分子膜、これを使用した膜−電極接合体、更にはそれを使用した固体高分子型燃料電池を提供する - 特許庁
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