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lightly-doped drain structureとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 LDD構造
「lightly-doped drain structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 23件
To limit the formation region for an LDD(lightly doped drain) structure and prevent an increase in the space factor of a semiconductor substrate.例文帳に追加
LDD構造の形成領域を制限して半導体基板の占有面積の増加を防止する。 - 特許庁
To provide a lightly doped drain(LDD) structure and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
本発明は、軽度にドープされたドレイン (LDD) 構造とその製造方法とに関する。 - 特許庁
The drain regions of the PMOSs 20_1, 20_2 are provided with a two-layer structure comprised of P-type heavily doped diffusion layer and lightly doped diffusion layer.例文帳に追加
そして、PMOS20_1,20_2のドレイン領域をP型の高濃度拡散層と低濃度拡散層による2層構造とする。 - 特許庁
To improve an yield in a method of manufacturing an insulated gate field effect transistor in an LDD (Lightly Doped Drain) structure having a fine gate electrode.例文帳に追加
微細なゲート電極を有するLDD(Lightly Doped Drain)構造の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを製造する方法において、製造歩留りを向上させる。 - 特許庁
The switching transistor has a lightly doped drain (LDD) structure or an offset structure and the current transistor has a self-aryne structure.例文帳に追加
スイッチングトランジスタは、LDD構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。 - 特許庁
The switching transistor is made to have an LDD(lightly-doped drain) structure or an offset structure, and the current transistor is made to have a self-aligned structure.例文帳に追加
スイッチングトランジスタは、LDD構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。 - 特許庁
The switching transistor has a lightly doped drain (LDD) structure or an offset structure and the current transistor has a self-alignment structure.例文帳に追加
スイッチングトランジスタは、LDD構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。 - 特許庁
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「lightly-doped drain structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 23件
A lightly doped source/drain region is formed on the substrate surface between the second insulating film and the gate structure.例文帳に追加
第2絶縁膜とゲート構造物間の基板表面に低濃度ソース/ドレーン領域が形成される。 - 特許庁
A gate electrode side spacer of the metal oxide transistor, having a lightly-doped drain structure, is formed of polysilicon.例文帳に追加
LDD構造を有するMOSトランジスタのゲート電極部サイドスペーサをポリシリコンで形成した。 - 特許庁
The present invention reduces short channel effects but does not include a lightly doped drain region (LDD structure).例文帳に追加
本発明は、ショートチャネルの影響を低減し、薄くドープしたドレイン領域(LDD構造)を有さない。 - 特許庁
A thin-film transistor 30 on an element substrate 10 has: a bottom gate structure; and a GOLD structure including a channel region 1g, a lightly-doped source region 1b, a lightly-doped drain region 1c, a heavily-doped source region 1d and a heavily-doped drain region 1e in an island-like semiconductor film 1a formed of a polysilicon film.例文帳に追加
素子基板10上の薄膜トランジスター30は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜1aにチャネル領域1g、低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1c、高濃度ソース領域1d、高濃度ドレイン領域1eを備えたGOLD構造を備えている。 - 特許庁
To improve hot carrier resistance, and to improve frequency characteristics by reducing gate/drain capacitance in a high frequency region in an MOS transistor having an LDD(lightly-doped drain) structure.例文帳に追加
LDD(ライトリィ・ドープト・ドレイン)構造を有するMOS型トランジスタにおいて、ホットキャリア耐性を向上させると共に、高周波領域でのゲート−ドレイン間容量の低減により周波数特性を改善する。 - 特許庁
A substrate is doped being inclined by 30-60° with respect to a direction of irradiation to form a self-aligned impurity region (Lov) of low concentration that overlaps a gate electrode, and thus to form a TFT having a GOLD (gate-drain overlapped lightly doped drain) structure.例文帳に追加
本発明は、基板を照射方向に対して30°〜60°傾けてドーピングを行い、ゲート電極と重なる低濃度不純物領域(Lov)を自己整合的に形成してGOLD構造を備えたTFTを作製することを特徴とする。 - 特許庁
To perform off-set control with a TFT(thin-film transistor), without forming an LDD(lightly-doped drain) region and to provide a structure of thin- film integrated element, wherein the light incident from a transparent insulating substrate side is shielded surely.例文帳に追加
LDD領域を形成することなく、TFTのオフセット制御を行うとともに、透明絶縁性基板側からの入射光の遮光を確実に行う薄膜集積素子の構造の提供。 - 特許庁
To form a number of small thin film transistors having an accurate LDD (lightly doped drain) structure in an arrangement on a substrate for use in a liquid crystal display apparatus or the like.例文帳に追加
液晶表示装置等に用いるため、微小かつ多数の精度のよいLDD構造の薄膜トランジスタを基板上に配列して形成する。 - 特許庁
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