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line AL isとは 意味・読み方・使い方
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Wiktionary英語版での「line AL is」の意味 |
linealis
発音
語形変化
Third-declension two-termination adjective.
| Number | Singular | Plural | |||
|---|---|---|---|---|---|
| Case / Gender | Masc./Fem. | Neuter | Masc./Fem. | Neuter | |
| Nominative | līneālis | līneāle | līneālēs | līneālia | |
| Genitive | līneālis | līneālium | |||
| Dative | līneālī | līneālibus | |||
| Accusative | līneālem | līneāle | līneālēs līneālīs |
līneālia | |
| Ablative | līneālī | līneālibus | |||
| Vocative | līneālis | līneāle | līneālēs | līneālia | |
同意語
- (consisting of lines): līneāris
「line AL is」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
A conductive layer for shielding, i.e. a fifth Al layer 38, is formed on the fourth Al interconnect line 35 through an interlayer insulating film 36.例文帳に追加
第４Ａｌ配線３５上に層間絶縁膜３６を介してシールド用の導電層である第５Ａｌ層３８を形成する。 - 特許庁
The Al film is etch-removed from unwanted parts such as the lens array's surface, etc., thus forming the interconnect line 28.例文帳に追加
Ａｌ膜は、レンズアレイ表面等、不要部分からエッチング除去され、配線２８が形成される。 - 特許庁
On the other hand, the upper layer of the SD wiring line is removed and an Al-Si alloy 72 of the SD wiring line is used as the lower electrode of the organic EL layer.例文帳に追加
一方、有機ＥＬ層の下部電極としてはＳＤ配線の上層を除去して、ＳＤ配線のうちのＡｌ−Ｓｉ合金７２を使用する。 - 特許庁
The engagement of the chain conveyor 1 with the hanger 2 is released in the starting end part of the component assembling line AL, and the chain conveyor is engaged again with the hanger 2 in the terminal end part of the component assembling line AL.例文帳に追加
チェーンコンベア１は、部品組立ラインＡＬの始端部ではハンガ２との係合が解除され、部品組立ラインＡＬの終端部ではハンガ２が再び係合する。 - 特許庁
An Al plug 31 penetrating the interlayer dielectric 1 and coming into contact with both the lower layer Cu interconnect line 21 and the upper layer Cu interconnect line 41 is provided.例文帳に追加
層間絶縁膜１を貫通して下層Ｃｕ配線２１と上層Ｃｕ配線４１との双方に接触するＡｌプラグ３１を設ける。 - 特許庁
To inhibit stress migration of an Al interconnect line and degradation of a lens shape in an integrated circuit that forms a micro-lens array using a silicon nitride film that is an interlayer dielectric film for the Al interconnect line.例文帳に追加
Ａｌ配線の層間絶縁膜であるシリコン窒化膜を用いてマイクロレンズアレイを形成する集積回路において、Ａｌ配線のストレスマイグレーション及びレンズ形状の崩れを防止する。 - 特許庁
Then a window part 6a is formed in the main GND line 6 and in the area inside the window part 6a, the signal line 4 of the 1st AL wire 1 and the bus line 8 of the 3rd AL wire 3 are electrically connected through a floating island conduction part 9 without coming into contact with the main GND line 6.例文帳に追加
そして、主ＧＮＤ線６に窓部６ａが形成され、窓部６ａの内側にあたる領域で第１ＡＬ配線１の信号線４と第３ＡＬ配線３のバスライン８とが浮島状の導電部９を介して主ＧＮＤ線６に接触しないように電気的に接続されている。 - 特許庁
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「line AL is」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
The periphery of a naked quartz optical fiber is coated with a melt of an Al eutectic alloy whose liquidus line temperature is lower than 660°C and the melt is solidified to manufacture the objective Al alloy coated quartz optical fiber.例文帳に追加
石英系裸光ファイバの外周に、液相線温度が６６０℃より低いＡｌ共晶系合金の溶融物を被覆、凝固させることで、Ａｌ合金コート石英系光ファイバを製造する。 - 特許庁
In this invention, since the Al eutectic alloy whose liquidus line temperature (melting point) is lower than 660°C is used, a holding temperature of the melt can be set at a temperature lower than a holding temperature (670-800°C) of conventional molten Al.例文帳に追加
本発明では、その液相線温度（融点）が６６０℃より低いＡｌ共晶系合金を使用するので、その溶融物の保持温度を従来の溶融Ａｌの保持温度（６７０〜８００℃）よりも低い温度に設定できる。 - 特許庁
The damping alloy material is an Fe-Al-Ni alloy material comprising each of Al and Ni at concentrations in the range surrounded by points A, B, C, D and E in Fig.1 and excluding the line segments of AB, BC, CD, DE and EA, and the balance Fe.例文帳に追加
ＡｌおよびＮｉのそれぞれを、図１の点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅで囲まれ、線分ＡＢ、ＢＣ、ＣＤ、ＤＥ、ＥＡを除外した範囲の濃度で含有し、残部がＦｅよりなるＦｅ−Ａｌ−Ｎｉ合金材料である制振合金材料。 - 特許庁
The thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or the thin line of the SiMC layer 14 doped with Al is formed inside the SiC substrate 11 to allow the SiC substrate 11 to emit light.例文帳に追加
また、ＳｉＣ基板１１の内部に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設け発光させる。 - 特許庁
A thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or a thin line of an SiMC layer 14 doped with Al is formed on an SiC substrate 11.例文帳に追加
ＳｉＣ基板１１上に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設けられている。 - 特許庁
The fit between the model and data is certainly good；the least square line presented by Watanabe et al.（1997）is of slightly steeper slope.例文帳に追加
モデルとデータは確かに一致している。Watanabeら（1997）によって示された最少二乗法による線は，少し勾配が大きい。 - 英語論文検索例文集
The fit between the model and data is certainly good；the least square line presented by Ueda et al.（1997）is of slightly steeper slope.例文帳に追加
モデルとデータは確かに一致している。Uedaら（1997）によって示された最少二乗法による線は，少し勾配が大きい。 - 英語論文検索例文集
The fit between the model and data is certainly good；the least square line presented by Wada et al.（1997）is of slightly steeper slope.例文帳に追加
モデルとデータは確かに一致している。Wadaら（1997）によって示された最少二乗法による線は，少し勾配が大きい。 - 英語論文検索例文集
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