melt sampleとは 意味・読み方・使い方

To provide a melt-texturization growth method of increased superconductive crystals using a sample 20 having a first material capable of exhibiting superconductive properties.例文帳に追加

超伝導特性を示すことができる第１の材料を有する試料２０を用いた、超伝導結晶の増進された溶融組織化成長の方法を提供する。 - 特許庁

(a) The sample S of the refractory material is brought into contact with a two-layered melt comprising a molten metal 1 and the molten slag 2 placed on the molten metal 1 over both layers 1 and 2 and the sample S and the melts 1 and 2 are relatively vibrated, to make the sample S worn out by the melts 1 and 2.例文帳に追加

（ａ）溶融メタル１と該溶融メタル１上に載った溶融スラグ２とよりなる二層状の溶融物に、両層１及び２にわたって耐火物の試料Ｓを接触させた状態で、試料Ｓと溶融物１及び２とを相対的に振動させて、溶融物１及び２により試料Ｓを損耗させる。 - 特許庁

To provide an apparatus with which a plastic tube (test tube) holding a liquid sample of a centrifugal separator used in the fields such as medicine, pharmacology, genetic engineering and the like can be tightly sealed through melt-bonding and long life and high quality of melt-bonding can be realized.例文帳に追加

本発明は、医学、薬学、遺伝子工学等の分野で使用されている遠心分離機の液体試料を保持するプラスチックチューブ(試験管)を溶着して密封する装置に関し、長寿命で溶着品質が高い装置を提供することである。 - 特許庁

The silicon single crystal pulling device 1 for pulling the silicon single crystal 6 from a melt 5 by a Czochralski method comprises a pulling furnace 2, a sample chamber 20 externally mounted on the pulling furnace 2 and housing the sublimable dopant, a shielding mechanism 24 thermally shielding the sample chamber 20 from the pulling furnace 2, and a supply means supplying the sublimable dopant to the melt 5 after canceling the shield by the shielding mechanism 24.例文帳に追加

チョクラルスキー法により融液５からシリコン単結晶６を引上げるシリコン単結晶引上装置１であって、引上炉２と、引上炉２に外付けされており昇華性ドーパントを収容する試料室２０と、引上炉２と試料室２０とを熱的に遮断する遮蔽機構２４と、遮蔽機構２４の遮断を解除した後に昇華性ドーパントを融液５に供給する供給手段と、を含む。 - 特許庁

The silicon single crystal pulling apparatus 1a pulls a doped silicon single crystal from a melt by Czochralski method, wherein a plurality of sample dishes 20a placed above a pulling furnace 2 are used as a storage means for storing a sublimable dopant.例文帳に追加

ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを用いる。 - 特許庁

To provide a method by which a high quality oxide superconductive bulk material in which facet is finally grown can be produced by again treating a sample failed in the growth of the facet in a top seeding melt growth method.例文帳に追加

本発明は、トップシード溶融凝固法においてファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法の提供を目的とする。 - 特許庁

A material sample is screened based on a large number of different bulk physical properties including Young's modulus (bending, uniaxial drawing, biaxial drawing, shearing), hardness (indentation), fracture (stress and strain at the time of fracture, toughness) adhesion (tackiness, loop tackiness), flow (viscosity, melt flow index, rheology), and the like.例文帳に追加

ヤング率（曲げ、一軸延伸、二軸圧縮、剪断）、硬度（インデンテーション）、破壊（破壊時の応力と歪み、靭性）、接着（タック性、ループタック性）、及び流れ（粘度、メルトフローインデックス、レオロジー）その他を含む、多数の異なるバルクな物理特性に基づいて、材料サンプルをスクリーニングする。 - 特許庁

The silicon single crystal pulling apparatus 1a pulls a doped silicon single crystal from a melt by Czochralski method, wherein, for example, a plurality of sample dishes 20a placed above a pulling furnace 2 are used as a storage means for storing a sublimable dopant.例文帳に追加

ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として、例えば引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを複数用いる。 - 特許庁