memory B-cellとは 意味・読み方・使い方

The memory cell portion (a) and control gate portion (b) are insulated and separated by an element separation layer 30.例文帳に追加

メモリセル部ａとコントロールゲート部ｂは、素子分離層３０によって絶縁分離される。 - 特許庁

In this ultraviolet erasable semiconductor memory, the channel width W_A of a MOSFET of one side of the two MOSFETs constituting the memory cell is formed narrower than the channel width W_B of the MOSFET of another side.例文帳に追加

メモリセルを構成する２つのＭＯＳＦＥＴの一方のチャネル幅Ｗ_Ａを他方のチャネル幅Ｗ_Ｂより狭く形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device in which, even when the row address of port A matches that of port B, both ports of the word lines of a memory cell belonging to its row is prevented from being opened and the memory cell is accessed independently from the port A and port B.例文帳に追加

ＡポートとＢポートのロウアドレスが一致した場合においても、そのロウに属するメモリセルのワード線が両ポートとも開くのを防止しつつ、ＡポートおよびＢポートからメモリセルに独立にアクセスする。 - 特許庁

This device has a memory cell array 11 having at least three memory cells A, B and C for storing data and a majority decision circuit for selecting data in the memory cell, which is not affected by a software error, according to a majority decision concerning the stored contents of the respective memory cells A, B and C.例文帳に追加

データを格納する少なくとも３つ以上のメモリセルＡ，Ｂ，Ｃを備えたメモリセルアレイ１１と、メモリセルＡ，Ｂ，Ｃの各々の記憶内容について多数決をとってソフトエラーを被っていないメモリセルのデータを選択する多数決回路とを有する。 - 特許庁

A test method of the nonvolatile semiconductor memory device has a (A) step for performing erasion of the memory cell with a FN system, and a (B) step for performing rewriting of the memory cell with the FN system after the (A) step.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置のテスト方法は、（Ａ）ＦＮ方式でメモリセルの消去を行うステップと、（Ｂ）上記（Ａ）ステップの後、ＦＮ方式でメモリセルの書き戻しを行うステップとを有する。 - 特許庁

Consequently, the influence of an proximity effect is absorbed in this portion, and the influence of the proximity effect does not attain to a memory element in a memory cell array area B as is the case with a DRAM adopting a conventional half cell.例文帳に追加

従って、この部分で近接効果の影響が吸収され、従来のハーフセルを採用したＤＲＡＭと同様に、メモリセルアレイ領域Ａ内の記憶素子には近接効果の影響は及ばない。 - 特許庁

When an opaque seal is attached to the optical window 6, a light from the outside part is shielded, and the memory cell controlling means 4 turns the memory cell 5 into a rewriting inhibiting state by the detection signal B outputted from the light detecting means 3.例文帳に追加

光学窓６に不透明なシールを貼ると、外部からの光が遮断され、このときに光検出手段３から出力される検出信号Ｂにより、メモリセル制御手段４は、メモリセル５を再書込み禁止状態にする。 - 特許庁

The memory cell array region has a plurality of sector regions 0, 1, etc., divided in the second direction B.例文帳に追加

前記メモリセルアレイ領域は、第２の方向Ｂで分割された複数のセクタ領域０，１，…を有する。 - 特許庁