multilayered solidとは 意味・読み方・使い方

To make the light incident on a photodetecting sensor with high convergence efficiency, even when a wiring layer is multilayered or pixels are microfabricated, in a solid-state imaging device.例文帳に追加

本発明は、固体撮像素子において、配線層を多層化した場合や画素を微細化した場合でも、高い集光効率で受光センサ部に光を入射させることができるようにするものである。 - 特許庁

In a solid state imaging device equipped with a multilayered charge transfer electrode, a multilayered polycrystalline silicon electrode is formed, a side wall insulating film is interposed between side walls, and a silicide film is formed in a self-aligned manner on the exposed surface of the polycrystalline silicon film coming up from the side wall insulating film.例文帳に追加

多層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子において、複数層の多結晶シリコン電極を形成し、これらの側壁に側壁絶縁膜を介在させ、側壁絶縁膜から露呈する多結晶シリコン膜表面に自己整合的にシリサイド膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

A multilayered underlayer including a first metal underlayer, a second metal underlayer having non-solid solubility to the first metal underlayer and opening holes and a third metal underlayer having solid solubility to the first metal underlayer and non-solid solubility to the second metal underlayer is formed on a substrate and a magnetic recording layer is formed thereon.例文帳に追加

基板上に、第１の金属下地層と、第１の金属下地層に対し非固溶性を有し、開孔をもつ第２の金属下地層と、第１の金属下地層に対し固溶性を有し、かつ第２の金属下地層に対し非固溶性を有する第３の金属下地層とを含む多層下地層を形成し、その上に磁気記録層を形成する。 - 特許庁

In a pixel 1a of the solid-state imaging device 1, there is provided a light blocking interlayer connection member 15 for connecting each layer of a multilayered structure to at least a part of a peripheral wiring part 14 in a periphery of a photodiode 17.例文帳に追加

固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。 - 特許庁

This board is equipped with a three-dimensional circuit board 1 as a molding and a multilayered circuit part formed by laminating multiple layers of circuit patterns 21, 22 and so on at least one surface of the solid circuit board 1 across an insulating layer 4.例文帳に追加

成形品である立体回路基板１と、該立体回路基板１の少なくとも一面上に絶縁層４を介在させて複数層の回路パターン２１，２２…が積層された多層回路部とを備える。 - 特許庁

In a pixel 1a of the solid-state imaging device 1, a light shielding interlayer connection member 15 for connecting each layer of a multilayered structure are provided to at least a part of a peripheral wiring part 14 in a periphery of a photodiode 17.例文帳に追加

固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。 - 特許庁

The packaging material is obtained by laminating: a first base material composed of a single layer or a multilayered member; a tackifier layer composed of a water dispersible delayed tack agent containing a thermoplastic resin, a tackifier resin and a solid plasticizer; a second base material composed of a single layer or a multilayered member; and a sealant layer composed of a thermoplastic resin in the order wherein the tackifier layer is laminated on at least a part.例文帳に追加

単層または多層の部材からなる第１基材と、熱可塑性樹脂、粘着付与樹脂および固形可塑剤を含む水性分散型のディレードタック剤からなる粘着付与層と、単層または多層の部材からなる第２基材と、熱可塑性樹脂からなるシーラント層とを順次積層してなり、前記粘着付与層は、少なくとも一部分に積層してなることを特徴とする包装材料である。 - 特許庁

To provide a technique capable of improving the performance of a semiconductor device capable of acting the function of storage or a switch and highly integrating even a multilayered three-dimensional structure inexpensively by attaining a device structure capable of highly accurately controlling the movement of ions in a solid electrolyte.例文帳に追加

固体電解質中のイオンの動きを高精度で制御できるデバイス構造とすることにより、記憶あるいはスイッチの機能ができる半導体装置の性能を向上させ、多層化した３次元構造も低コストで高集積化することができる技術を提供する。 - 特許庁