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nitric elementとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 窒素質成分
「nitric element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
This dissolving method is characterized by dissolving a metal including the element of the V group into an acid solution containing nitric acid or sulfuric acid, while blowing oxygen or ozone to the acid solution.例文帳に追加
酸素またはオゾンを酸溶液に吹き込みながらV族元素を含む金属を硝酸または硫酸を含む酸溶液に溶解させる。 - 特許庁
This is the transparent film having on a base material a conductive layer containing a single-wall carbon nanotubes having a COOM (M is metal element such as K and Na) group obtained by wet oxidation of the single-wall carbon nanotubes by nitric acid or mixture acid of nitric acid and sulfuric acid.例文帳に追加
単層カーボンナノチューブが硝酸あるいは硝酸と硫酸との混酸による湿式酸化されることで得られたCOOM(M=K,Na等の金属元素)基を有する単層カーボンナノチューブを含む導電層を、基材上に有する透明導電膜。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for polymer actuator element with characteristics improved by subjecting carbon nanotubes having a high aspect ratio into a nitric acid treatment to improve dispersibility thereof, and using the nitric acid treated carbon nanotubes in an electrode layer.例文帳に追加
高アスペクト比のカーボンナノチューブを硝酸処理して分散性を向上させ、硝酸処理されたカーボンナノチューブを電極層に用いて特性を向上させた高分子アクチュエータ素子の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
The cleaning liquid of a semiconductor element or a display element subjected to metallization is an aqueous solution produced by mixing a nitric acid, a sulfuric acid, a fluorine compound and a basic compound and conditioning pH to 7-10 where the concentration of water is 80 wt% or above.例文帳に追加
硝酸、硫酸、フッ素化合物および塩基性化合物を混合し、水の濃度が80重量%以上であるpH7〜10に調整した水溶液。 - 特許庁
After that, the entire package 1 is dipped into fuming nitric acid etchant heated at about 70°C for some 10 minutes to eliminate an electronic element protective resin 6, a resin internal wire wiring 4 and chip adhesive tape 7.例文帳に追加
その後、70℃近傍に加熱された発煙硝酸エッチング液中へ10分間程度、全体浸漬させて、電子素子保護樹脂6,樹脂内部ワイヤ配線4,チップ接着テープ7を除去する。 - 特許庁
The SiGe layer 11 is etched by a nitric acid solution via the SiGe removal hole, thus forming the cavity between the Si substrate 1 in the element region and the Si layer 13.例文帳に追加
そして、SiGe除去穴を介してSiGe層11をフッ硝酸溶液等でエッチングすることによって、素子領域のSi基板1とSi層13との間に空洞部を形成する。 - 特許庁
The purpose is attained by a method including a process for forming a suspension of hematite nucleus by a reaction between diluted nitric acid and iron element at ≥90°C.例文帳に追加
90℃以上での希硝酸と鉄元素の間の反応によってヘマタイト核の懸濁液を生成させる工程を含んでなる方法により上記課題が解決される。 - 特許庁
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「nitric element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
A nitric acid solution comprising the ions of any one kind of element selected from Ru, Rh and Pd as rare elements FP, and Re as a rare element is subjected to constant current electrolysis and is electrolytically reduced to deposit the above element ions on an electrode.例文帳に追加
希少元素FPであるRu、Rh、Pdまたは希少元素であるReのいずれか1種の元素イオンを含む硝酸溶液を定電流電解して電解還元することにより電極上に前記元素イオンを析出させる。 - 特許庁
Alternatively, a nitric acid solution comprising the ions of two or more kinds selected from the group consisting of Ru, Rh and Pd as rare elements FP, and Re as a rare element is subjected to constant current electrolysis and is electrolytically reduced, thus the element ions are collectively deposited on an electrode.例文帳に追加
あるいは、希少元素FPであるRu、Rh、Pdおよび希少元素であるReからなる群から選ばれた2種以上の元素イオンを含む硝酸溶液を定電流電解して電解還元することにより電極上に前記元素イオンを一括析出させる。 - 特許庁
Thereafter, by the use of etchant containing a hydrofluoric acid and a nitric acid, only the amorphous silicon formed in the element isolating region 2 is selectively removed by etching, and the single crystal silicon formed in the active region 5 is hardly etched.例文帳に追加
その後、フッ酸と硝酸とを含むエッチング液を用い、アクティブ領域5に形成された単結晶シリコン部分をほとんどエッチングすることなく素子分離領域2に形成されたアモルファスシリコンのみを選択的にエッチングして除去する。 - 特許庁
In the overcurrent protection element in which the metal foils are provided on both surfaces of the sheet-shaped conductive composition, the metal foil is a rolling foil and its surface is roughened by a chemical treatment using a chemical solution of at least one or more of phosphoric acid, chromic acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrogen peroxide, and fluoric acid.例文帳に追加
シート状の導電性組成物の両面に金属箔を設けてなる過電流保護素子において、該金属箔が圧延箔であって、その表面をリン酸、クロム酸、硫酸、硝酸、塩酸、過酸化水素、フッ酸の少なくとも1以上の薬液による化学的処理により粗面化したことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method and a device capable of opening an LSI package and of exfoliating and removing a protective film which covers the surface of a circuit element, a remaining film or the like of a packaging material without using a powerful drug such as a hydrofluoric acid, a fuming nitric acid, and a strong sulfuric acid.例文帳に追加
弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬を全く用いることなしに、LSIパッケージの開封および回路素子表面を被覆している保護膜やパッケージ材料残存膜等の剥離・除去作業を行うことができる方法及び装置を提供すること。 - 特許庁
The surface of an electronic component package 1 is polished with a polishing paper until an electronic element 3 is exposed on the top of an electronic element 3 to be analyzed, and a nitrohydrofluoric acid etchant in which a hydrofluoric acid and a nitric acid are mixed at a ratio of 3:1 or a potassium hydroxide solution is used in this state to dissolve and eliminate the exposed electronic element 3.例文帳に追加
電子部品パッケージ1の表面を、解析対象となる電子素子3の上部の電子素子3が露出するまで研磨紙などで研磨し、この状態でフッ化水素酸と硝酸が3対1の比率で混合されたフッ硝酸エッチング液、または水酸化カリウム水溶液を用いて、露出した電子素子3を溶解して除去する。 - 特許庁
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