nitrogen distributionとは 意味・読み方・使い方

The interaction due to boron and phosphorus is suppressed by the nitrogen in the nitrogen distribution layers 3N and 53N, so that a MOS transistor comprising low- resistance gate electrodes 5 and 55 and a specified threshold value is manufactured.例文帳に追加

窒素分布層３Ｎ，５３Ｎ中の窒素によりホウ素及びリンによる上記相互作用が抑制されて、低抵抗のゲート電極５，５５及び所定のしきい値を有するＭＯＳトランジスタが製造される。 - 特許庁

After the metastable nitrogen-containing polymer is stored at 55°C for one month, the rate of change of the narrow molecular distribution is less than 2%.例文帳に追加

準安定性窒素含有重合体が５５℃で１ヶ月間保存された後、狭い分子量分布の変化率が２％未満である。 - 特許庁

The half value width of the pore volume in the pore diameter distribution obtained by the nitrogen adsorption method is preferably equal to or less than a half of the average pore diameter.例文帳に追加

窒素吸着法により得られる、細孔径分布における細孔容積の半値幅は、好ましくは平均細孔径の１／２以下である。 - 特許庁

A pore distribution determined base on an adsorption isothermal curve of nitrogen gas in the porous titanium oxide layer 2 has the maximum value in 40 nm-2 μm of range.例文帳に追加

多孔質酸化チタン層２の窒素ガスの吸着等温線に基づいて決定される細孔分布が４０ｎｍ〜２μｍの範囲で最大値を示す。 - 特許庁

An ECU 4 controls the operation of a purge valve 6 or a hydrogen circulation valve 8 according to the estimated distribution state of nitrogen or liquid water in the fuel cell 10.例文帳に追加

ＥＣＵ４は、推定した燃料電池１０内の窒素や液水の分布状態に応じて、パージバルブ６や水素循環ポンプ８の動作を制御する。 - 特許庁

The nitrogen concentration distribution in the film thickness direction has the maximum value, and the peak is unevenly distributed on the board side from the film thickness center of the bottom insulation film BTM.例文帳に追加

その膜厚方向の窒素濃度分布が極大値を有し、また、そのピークがボトム絶縁膜ＢＴＭの膜厚中心より基板側に偏在する。 - 特許庁

To enable jetting of nitrogen gas corresponding to the mounting distribution of electronic components into a predetermined direction over a jet solder bath and to allow a large amount of nitrogen gas to be jetted on the side overly provided with electronic components.例文帳に追加

電子部品の実装分布に対応した窒素ガスを噴流はんだ槽上の所定の方向に噴出できるようにすると共に、電子部品が片寄って実装された側に多く窒素ガスを噴出できるようにする。 - 特許庁

A nitrogen implantation region 13 is formed by additionally implanting nitrogen near an interface with a P type well layer 12 formed into the low-density N type epitaxial layer 11, so that the density distribution of an N type impurity is made uniform.例文帳に追加

低濃度Ｎ型エピ層１１内に形成されるＰ型ウエル層１２との界面近傍に窒素を追加で打ち込んで窒素注入領域１３を形成しているので、Ｎ型不純物の濃度分布が均一化される。 - 特許庁