窒素分布の英語

その膜厚方向の窒素濃度分布が極大値を有し、また、そのピークがボトム絶縁膜ＢＴＭの膜厚中心より基板側に偏在する。例文帳に追加

The nitrogen concentration distribution in the film thickness direction has the maximum value, and the peak is unevenly distributed on the board side from the film thickness center of the bottom insulation film BTM. - 特許庁

シリコン層３，５３のシリサイド層１１，６１側の表面近傍に窒素分布層３Ｎ，５３Ｎを形成する。例文帳に追加

Nitrogen distribution layers 3N and 53N are formed near the surface on the side of silicide layers 11 and 61 of silicon layers 3 and 53. - 特許庁

準安定性窒素含有重合体が５５℃で１ヶ月間保存された後、狭い分子量分布の変化率が２％未満である。例文帳に追加

After the metastable nitrogen-containing polymer is stored at 55°C for one month, the rate of change of the narrow molecular distribution is less than 2%. - 特許庁

このようなボトム絶縁膜ＢＴＭの窒素濃度分布は、半導体表面領域ＣＨを窒素原子を含むプラズマに曝し、窒化することにより得られる。例文帳に追加

The nitrogen concentration distribution of the bottom insulation film BTM exposes the semiconductor surface area CH to plasma containing nitrogen atoms, and is obtained by nitriding. - 特許庁

この一様に窒素イオンを分布した窒素注入C60フラーレン薄膜は電子線露光前後のエッチングレートの差、基板に対する選択比がが著しく高いので、電子線リソグラフィー用ネガレジストに適している。例文帳に追加

This nitrogen-implanted C60 fullerene thin film is suitable for use as a negative resist for electron beam lithography because difference of etching rate is remarkable before and after electron beam exposure and etching selectivity to the substrate is high. - 特許庁

窒素分布層３Ｎ，５３Ｎ中の窒素によりホウ素及びリンによる上記相互作用が抑制されて、低抵抗のゲート電極５，５５及び所定のしきい値を有するＭＯＳトランジスタが製造される。例文帳に追加

The interaction due to boron and phosphorus is suppressed by the nitrogen in the nitrogen distribution layers 3N and 53N, so that a MOS transistor comprising low- resistance gate electrodes 5 and 55 and a specified threshold value is manufactured. - 特許庁

低濃度Ｎ型エピ層１１内に形成されるＰ型ウエル層１２との界面近傍に窒素を追加で打ち込んで窒素注入領域１３を形成しているので、Ｎ型不純物の濃度分布が均一化される。例文帳に追加

A nitrogen implantation region 13 is formed by additionally implanting nitrogen near an interface with a P type well layer 12 formed into the low-density N type epitaxial layer 11, so that the density distribution of an N type impurity is made uniform. - 特許庁

電子部品の実装分布に対応した窒素ガスを噴流はんだ槽上の所定の方向に噴出できるようにすると共に、電子部品が片寄って実装された側に多く窒素ガスを噴出できるようにする。例文帳に追加

To enable jetting of nitrogen gas corresponding to the mounting distribution of electronic components into a predetermined direction over a jet solder bath and to allow a large amount of nitrogen gas to be jetted on the side overly provided with electronic components. - 特許庁