oxide heating elementとは 意味・読み方・使い方

To obtain a heating element capable of widely utilizing the respective functions of fly ash, red oxide and diatomaceous earth as far-infrared highly radiative materials, and to provide a device and a method for restoring the freshness of perishables using the heating element.例文帳に追加

フライアッシュ、紅ガラ、珪藻土の遠赤外線高放射材料としての機能を広範に利用可能な被加熱体、およびその使用による生鮮食品の鮮度再生装置および鮮度再生方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the gallium oxide nanostructure comprises the steps of: using a sintered compact comprising gallium oxide powder and the powder of at least one element selected from Si, Ge and Sn or the oxide powder of the selected element as a base stock; and heating the sintered compact in a substantially oxygenless atmosphere to mix at least one element selected from Si, Ge and Sn in the gallium oxide crystal.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 - 特許庁

This manufacturing method of the titanium oxide fine particles is provided with the process of heating titanium oxide sol which is in the presence of a specified urea compound, and the method is used for the photoelectric conversion element and the photocell.例文帳に追加

酸化チタンゾルを特定の尿素化合物の存在下で加熱する工程を有する酸化チタン微粒子の製造方法およびこれを用いた光電変換素子および光電池。 - 特許庁

By the introduction of the halogen element and the heating process, impurities such as hydrogen, moisture, hydroxyl or hydroxide are intentionally removed from the oxide semiconductor film to highly purify the oxide semiconductor film.例文帳に追加

このハロゲン元素導入および加熱工程によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。 - 特許庁

The substrate for a heating element package includes a metal plate; an insulating oxide layer partially formed on the surface of the metal plate; a first conductive pattern formed in one region of the insulating oxide layer and providing a heating element mounting area; and a second conductive pattern formed in other regions of the insulating oxide layer so as to be separated from the first conductive pattern.例文帳に追加

本発明による発熱素子パッケージ用基板は、金属プレートと、前記金属プレートの表面に部分的に形成された絶縁酸化物層と、前記絶縁酸化物層の一領域に形成され、発熱素子の実装領域を提供する第１の導電パターンと、前記第１の導電パターンと離隔するように前記絶縁酸化物層の他の領域に形成された第２の導電パターンとを含む。 - 特許庁

In this ceramic heater, the heating element containing a metal and a metal oxide is formed on the surfaces of the conductive past for a ceramic heater containing a metal and a metal oxide and of the ceramic substrate formed of a nitride ceramic or carbide ceramic, and the ceramic substrate and the heating element are tightly fitted to each other through an oxide film formed on the surfaces thereof.例文帳に追加

金属および金属酸化物を含有するセラミックヒーター用導電ペーストおよび窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなるセラミック基板の表面に、金属および金属酸化物を含有する発熱体が形成されたものであって、前記セラミック基板および前記発熱体は、これらの表面に形成された酸化膜を介して密着しているセラミックヒーター。 - 特許庁

To facilitate conversion of an oxide semiconductor precursor formed from a coated film into an oxide film by microwave heating, thereby improving a production efficiency of a thin-film transistor element having an oxide semiconductor film as an active layer.例文帳に追加

本発明の目的は、マイクロ波加熱を用いることによって、塗布膜から形成される酸化物半導体の前駆体の酸化膜への変換を容易として、酸化物半導体膜を活性層とする薄膜トランジスタ素子の生産効率を向上させることにある。 - 特許庁

To provide a composition for production of zinc oxide thin films, which uses an organozinc compound as a starting material, is easily handled because of no ignitability, and can form transparent zinc oxide thin films and group 3B element-doped zinc oxide thin films by heating at ≤300°C.例文帳に追加

有機亜鉛化合物を原料とし、発火性がなく取扱いが容易であり、３００℃以下の加熱で透明な酸化亜鉛薄膜および３Ｂ族元素がドープされた酸化亜鉛薄膜を形成できる酸化亜鉛薄膜製造用組成物を提供する。 - 特許庁