partial isolationとは 意味・読み方・使い方

A full isolation region 10 is formed in all the peripheral regions of the partial isolation regions 11a and 11b, the tap regions 21a and 21b, and active regions 1 and 2.例文帳に追加

部分分離領域１１ａ，１１ｂ、タップ領域２１ａ，２１ｂ及び活性領域１，２の周辺領域は全て完全分離領域１０が形成される。 - 特許庁

To make the source/drain of a transistor low in resistance and to reduce the leakage current in a semiconductor device which is formed on a SOI substrate and equipped with a partial trench isolation as an inter-element isolation.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成され、素子間分離として部分トレンチ分離を有する半導体装置において、トランジスタのソースドレインの低抵抗化およびリーク電流の低減を図る。 - 特許庁

Both the ends of a gate electrode traversing the above part of a transistor active region 155b through the intermediary of a gate insulating film 159 are arranged on the partial isolation region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１５９を介してトランジスタ活性領域１５５ｂの上部を横切るゲート電極の両端は部分分離領域上に配置される。 - 特許庁

Upper surfaces of the complete isolating oxide film 10f and the partial isolation film 10p are higher than the upper surfaces of the SOI layer 3 of the thick film SOI region 101 and the thin film SOI region 102.例文帳に追加

完全分離酸化膜１０ｆ及び部分分離酸化膜１０ｐの上面は厚膜ＳＯＩ領域１０１及び薄膜ＳＯＩ領域１０２におけるＳＯＩ層３の上面よりも高く形成される。 - 特許庁

To simplify temporary work by reducing the installation number of temporary brackets which temporarily bear a vertical load of an upper structure, when a base-isolation device is installed in a partial section of an existing column so as to make an existing building have a base-isolated structure.例文帳に追加

既存柱の一部の区間に免震装置を設置して既存建物を免震構造化する場合に、上部構造の鉛直荷重を一時的に負担する仮設のブラケットの設置数を削減し、仮設作業を単純化する。 - 特許庁

A trench 12 is formed in a boundary between the SOI region and the non-SOI region and is filled with an insulating material layer 13 for isolation, thereby forming the partial SOI wafer.例文帳に追加

上記ＳＯＩ領域と非ＳＯＩ領域との境界にトレンチ１２を形成し、分離用絶縁物層１３を埋め込んで部分ＳＯＩウェーハを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a SOI structure, in which an electric potential of a body region in an element-forming region isolated by a partial isolation region can be fixed with high stability.例文帳に追加

部分分離領域によって素子分離された素子形成領域におけるボディ領域の電位を安定性の良く固定できるＳＯＩ構造の半導体装置を得る。 - 特許庁

Adjacent transistors are element-separated by a partial isolation oxide film 10p in the thick film SOI region 101 and the thin SOI region 102 respectively.例文帳に追加

厚膜ＳＯＩ領域１０１内及び薄膜ＳＯＩ領域１０２内はそれぞれ部分分離酸化膜１０ｐにより隣接するトランジスタ間が素子分離される。 - 特許庁