「partial isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To make the source/drain of a transistor low in resistance and to reduce the leakage current in a semiconductor device which is formed on a SOI substrate and equipped with a partial trench isolation as an inter-element isolation.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成され、素子間分離として部分トレンチ分離を有する半導体装置において、トランジスタのソースドレインの低抵抗化およびリーク電流の低減を図る。 - 特許庁

The isolation insulating film 5 serves as a partial trench isolation that has not reached the BOX layer 2, and source/drain regions 17 are formed of first and second impurity ions which have different mass numbers.例文帳に追加

分離絶縁膜５は、ＢＯＸ層２に達していない部分トレンチ分離であり、ソースドレイン領域１７は、互いに質量数が異なる第１および第２不純物イオンにより形成されている。 - 特許庁

A body contact region 155a is provided in a region, located near the outside of the partial isolation region and on the extension line of the gate electrode.例文帳に追加

部分分離領域の外部近傍で、しかもゲート電極の延長上に位置する領域にボディコンタクト領域１５５ａを設ける。 - 特許庁

Then a channel stop is injected with energy such that it passes through a partial isolation oxide film PT11 to form a peak of an impurity profile within an SOI layer 3, and a channel stop layer N1 is formed within the SOI layer 3 under the partial isolation oxide film PT11, i.e., in a separated region.例文帳に追加

そして、部分分離酸化膜ＰＴ１１を通過してＳＯＩ層３内で不純物プロファイルのピークが形成されるエネルギーでチャネルストップ注入を行い、部分分離酸化膜ＰＴ１１の下部のＳＯＩ層３内、すなわち分離領域にチャネルストップ層Ｎ１を形成する。 - 特許庁

Both the ends of a gate electrode traversing the above part of a transistor active region 155b through the intermediary of a gate insulating film 159 are arranged on the partial isolation region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１５９を介してトランジスタ活性領域１５５ｂの上部を横切るゲート電極の両端は部分分離領域上に配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a SOI structure, in which an electric potential of a body region in an element-forming region isolated by a partial isolation region can be fixed with high stability.例文帳に追加

部分分離領域によって素子分離された素子形成領域におけるボディ領域の電位を安定性の良く固定できるＳＯＩ構造の半導体装置を得る。 - 特許庁

A trench 12 is formed in a boundary between the SOI region and the non-SOI region and is filled with an insulating material layer 13 for isolation, thereby forming the partial SOI wafer.例文帳に追加

上記ＳＯＩ領域と非ＳＯＩ領域との境界にトレンチ１２を形成し、分離用絶縁物層１３を埋め込んで部分ＳＯＩウェーハを形成する。 - 特許庁

Adjacent transistors are element-separated by a partial isolation oxide film 10p in the thick film SOI region 101 and the thin SOI region 102 respectively.例文帳に追加

厚膜ＳＯＩ領域１０１内及び薄膜ＳＯＩ領域１０２内はそれぞれ部分分離酸化膜１０ｐにより隣接するトランジスタ間が素子分離される。 - 特許庁

Upper surfaces of the complete isolating oxide film 10f and the partial isolation film 10p are higher than the upper surfaces of the SOI layer 3 of the thick film SOI region 101 and the thin film SOI region 102.例文帳に追加

完全分離酸化膜１０ｆ及び部分分離酸化膜１０ｐの上面は厚膜ＳＯＩ領域１０１及び薄膜ＳＯＩ領域１０２におけるＳＯＩ層３の上面よりも高く形成される。 - 特許庁

To simplify temporary work by reducing the installation number of temporary brackets which temporarily bear a vertical load of an upper structure, when a base-isolation device is installed in a partial section of an existing column so as to make an existing building have a base-isolated structure.例文帳に追加

既存柱の一部の区間に免震装置を設置して既存建物を免震構造化する場合に、上部構造の鉛直荷重を一時的に負担する仮設のブラケットの設置数を削減し、仮設作業を単純化する。 - 特許庁

To minimize the expansion of a chip size by bringing a first electrode into contact with the partial upper surface of a capacitor formation film simultaneously with a capacitor for circuit for a capacitor for detecting failure, at the same time bringing an isolation layer into contact with a lower surface, and providing a second electrode for leading the layer.例文帳に追加

ＭＩＳ型キャパシタを含む半導体集積回路においては、製作工程中にキャパシタ形成膜の異常が発生した場合、それを検出しようとしても、キャパシタが回路の一部であるため、キャパシタ単体での異常検出は行えない。 - 特許庁

To provide a base isolation device suitable for a lightweight building such as a wooden building or a mechanical facility, installable even in a residential state, safe and low-cost, and preventing tilting of a floor surface even when partial weight exists in the wooden building to be base-isolated.例文帳に追加

木造建築物などの軽量の建物や機械設備などに適した、居住状態のままでも設置が可能な安全かつ低コストで、かつ免震化される木造建築物に重量的な偏りが存在しても、床面が傾くことがない免震装置を提供すること。 - 特許庁

In a method of isolating an SOI transistor, by forming a trench and filling up the trench with an insulating film, there are provided a completely isolated region 157b where a trench is cut, until it reaches a ground insulating film and a partial isolation region 157a which is cut so as not to reach to the ground insulating film, leaving an SOI layer uncut.例文帳に追加

トレンチ形成及びトレンチへの絶縁膜の埋め込みによりＳＯＩトランジスタを分離する方法において、下地絶縁膜に達するまでトレンチを形成する完全分離領域と、下地絶縁膜まで達しないでＳＯＩ層を残すようトレンチを形成する部分分離領域１５７ａとを形成する。 - 特許庁

Provided are MHC complexes useful for a variety of applications including: (1) in vitro screens for identification and isolation of peptides that modulate activity of selected T cells, including peptides that are T cell receptor antagonists and partial agonists, and (2) methods for suppressing or inducing an immune response in a mammal.例文帳に追加

該ＭＨＣ複合体は：１）Ｔ細胞受容体アンタゴニストおよび部分アゴニストであるペプチドを含めた、選択されたＴ細胞の活性を調節するペプチドの同定および単離のためのインヴィトロにおけるスクリーン、および２）哺乳類において免疫応答を抑制または誘導するための方法、を含む種々の適用に有用である。 - 特許庁