patternwiseとは 意味・読み方・使い方

This resist film 11 is selectively irradiated with extreme-ultraviolet radiation 12 having a wavelength of 1 to 30 nm band to carry out patternwise exposure and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対して、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の波長を持つ極紫外線１２を選択的に照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

The undersurface of the transparent heat-resistant film 5 is made uneven and the metal thin film 4 may be patternwise.例文帳に追加

透明耐熱性フィルム５の下面は凹凸を有していてもよく、金属薄膜４はパターン状であってもよい。 - 特許庁

The patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14 having a good section shape.例文帳に追加

パターン露光されたレジスト膜１１を現像して、良好な断面形状を有するレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

This apparatus is an electromotive liquid dispenser for discharging the viscous liquid to a substrate patternwise during an operation mode.例文帳に追加

動作モード中に、粘性液体のパターンを基板上に排出するための電動式液体ディスペンサである。 - 特許庁

To provide a water-soluble photoresist excellent in pattern size reproducibility after development independently of a change in the time elapsed after patternwise exposure in patternwise exposing and developing steps in a process for producing a shadow mask and a lead frame.例文帳に追加

シャドウマスク及びリードフレームの製造工程で、パターン露光、現像工程において、パターン露光後の焼き置き時間の変動に対し現像後のパターン寸法再現性に優れた水溶性レジストを提供することを目的とする。 - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

This resist film 12 is patternwise exposed and developed to form the objective resist pattern 12A comprising the resist film 12.例文帳に追加

レジスト膜１２に対してパターン露光及び現像を行なって、レジスト膜１２からなるレジストパターン１２Ａを形成する。 - 特許庁