「patternwise」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

The resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 laser light having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

This resist film 11 is selectively irradiated with extreme-ultraviolet radiation 12 having a wavelength of 1 to 30 nm band to carry out patternwise exposure and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対して、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の波長を持つ極紫外線１２を選択的に照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

The undersurface of the transparent heat-resistant film 5 is made uneven and the metal thin film 4 may be patternwise.例文帳に追加

透明耐熱性フィルム５の下面は凹凸を有していてもよく、金属薄膜４はパターン状であってもよい。 - 特許庁

The patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14 having a good section shape.例文帳に追加

パターン露光されたレジスト膜１１を現像して、良好な断面形状を有するレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

This apparatus is an electromotive liquid dispenser for discharging the viscous liquid to a substrate patternwise during an operation mode.例文帳に追加

動作モード中に、粘性液体のパターンを基板上に排出するための電動式液体ディスペンサである。 - 特許庁

To provide a water-soluble photoresist excellent in pattern size reproducibility after development independently of a change in the time elapsed after patternwise exposure in patternwise exposing and developing steps in a process for producing a shadow mask and a lead frame.例文帳に追加

シャドウマスク及びリードフレームの製造工程で、パターン露光、現像工程において、パターン露光後の焼き置き時間の変動に対し現像後のパターン寸法再現性に優れた水溶性レジストを提供することを目的とする。 - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

This resist film 12 is patternwise exposed and developed to form the objective resist pattern 12A comprising the resist film 12.例文帳に追加

レジスト膜１２に対してパターン露光及び現像を行なって、レジスト膜１２からなるレジストパターン１２Ａを形成する。 - 特許庁

The second resist film 13 is patternwise exposed with light of the second wavelength using a liquid crystal mask and the film 13 is developed.例文帳に追加

次に、第２の波長の光により、液晶マスクを用いて、第２レジスト膜１３をパターン露光し、第２レジスト膜１３を現像する。 - 特許庁

A chemical amplification type resist is applied on a semiconductor substrate 10 to form a resist film 11, this resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with ArF excimer laser light 13 through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is heated to carry out PEB (post-exposure baking).例文帳に追加

半導体基板１０の上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に対して、マスク１２を介してＡｒＦエキシマレーザ１３を照射して、パターン露光を行ない、その後、パターン露光されたレジスト膜１１に対して加熱（ＰＥＢ）を行なう。 - 特許庁

Next, partition walls 29 (29-2, 29-3) are baked to be formed patternwise so as to become higher than the metal supports 34 by several μm.例文帳に追加

次に、隔壁２９（２９−１、２９−２、２９ー３）をパターン化し焼成して金属支柱３４よりも数μｍ高くなるように形成する。 - 特許庁

By using the conductive layer applied substrate wherein the conductive layer is formed patternwise, a patterned film can be repeatedly produced.例文帳に追加

この導電性層がパターン状に形成された導電性層付基体によれば、パターン化されたフィルムを繰り返して製造することができる。 - 特許庁

The patternwise exposed resist film 102 is then developed to form a resist pattern 102a comprising the unexposed portion of the resist film 102.例文帳に追加

その後、パターン露光を行なったレジスト膜１０２に対して現像を行なうことにより、レジスト膜１０２ａの未露光部からなるレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁

To obtain a resist pattern having a rectangular cross section, when a chemical amplification type resist film is patternwise exposed with electron beams.例文帳に追加

化学増幅型のレジスト膜に対して電子ビームを用いてパターン露光を行なう場合に、矩形状の断面を有するレジストパターンが得られるようにする。 - 特許庁

To reduce the amount of out gas generated from a resist film in a patternwise exposing step and to obtain a resist pattern having a good section shape.例文帳に追加

パターン露光工程においてレジスト膜から発生するアウトガスの量を低減して、良好な断面形状を持つレジストパターンが得られるようにする。 - 特許庁

To prevent the swelling of a resist pattern obtained by subjecting a patternwise exposed resist film to development, rinsing and drying in a supercritical fluid.例文帳に追加

パターン露光されたレジスト膜に対して、現像、リンス及び超臨界流体中での乾燥を行なうことにより得られるレジストパターンが膨潤しないようにする。 - 特許庁

To obtain a good pattern shape when a resist film is patternwise exposed with light of 1 nm band to 180 nm band to form a resist pattern.例文帳に追加

露光光として１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。 - 特許庁

The light exposure in the plane direction may be stepwise or continuously reduced and the developer may be blown onto the patternwise exposed photosensitive layer from an oblique direction.例文帳に追加

前記面方向の露光量は段階的又は連続的に低減させてもよく、前記現像剤は、パターン露光後、感光層に対して斜め方向から噴出させてもよい。 - 特許庁

The patternwise exposed resist film 11 is developed in a supercritical fluid 16 to form the objective resist pattern 18 comprising the unexposed regions 11b of the resist film 11.例文帳に追加

パターン露光されたレジスト膜１１に対して超臨界流体１６中で現像を行なって、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなるレジストパターン１８を形成する。 - 特許庁

To obtain a good pattern shape when a resist pattern is formed by carrying out patternwise exposure using light of 1 nm band to 180 nm band as light for exposure.例文帳に追加

露光光として１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a surface flaw inspection device capable of detecting a patternwise flaw having no marked unevenness properties to sufficiently incorporate the same even in a quality inspection line of a product.例文帳に追加

顕著な凹凸性を持たない模様状の欠陥を検出し、製品の品質検査ラインにも十分組込むことができる表面検査装置を提供する。 - 特許庁

Then, after a resist film 13 is formed on the antireflection film 11 made brittle, it is patternwise-exposed and developed to form a resist pattern.例文帳に追加

次に、脆弱化した反射防止膜１１の上にレジスト膜１３を形成した後、該レジスト膜１３に対してパターン露光及び現像を行なってレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The resist film 11 is selectively irradiated with extreme UV rays 12 patternwise and then developed with a developer solution to form a resist pattern 13.例文帳に追加

レジスト膜１１に対して極紫外線１２を選択的に照射してパターン露光を行なった後、レジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１３を形成する。 - 特許庁

The resist film 11 is patternwise exposed with electron beams 13, and the exposed part 11a of the resist film 11 is made alkali-soluble by heat treatment.例文帳に追加

レジスト膜１１に対して電子ビーム１３によりパターン露光を行なった後、熱処理を行なってレジスト膜１１の露光部１１ａをアルカリ可溶性に変化させる。 - 特許庁

A bright pattern layer 1 comprising a binder resin containing a silver type or iridescent color type titanium coated mica powder is patternwise formed on a colored opaque base material B.例文帳に追加

着色不透明基材Ｂに、バインダー樹脂中にシルバータイプ又は虹彩色タイプの二酸化チタン被覆雲母粉を含有する光輝絵柄層１をパターン状に形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a relief pattern, a coating comprising the photosensitive resin composition is patternwise irradiated with active light and heated at 50-180°C and the unirradiated regions are removed by development.例文帳に追加

前記の感光性樹脂組成物からなる塗膜に、活性光線をパターン状に照射し、５０〜１８０℃で加熱した後、未照射部を現像除去するレリーフパターンの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a relief pattern includes a process of irradiating a coating film made of the above photosensitive resin composition patternwise with active rays and then developing and removing the irradiated portion with an alkali aqueous solution.例文帳に追加

前記の感光性樹脂組成物からなる塗膜に、活性光線をパターン状に照射し、照射部をアルカリ水溶液で現像除去するレリーフパターンの製造方法。 - 特許庁

An antireflection film 13 is formed with the composition on a substrate (10, 11) to be processed and a resist film 12 is formed on the film 13, patternwise exposed and developed.例文帳に追加

また、被処理基板上（１０，１１）に上記反射防止膜形成用組成物により反射防止膜１３を形成し、その上層にレジスト膜１２を形成し、パターン露光して現像する。 - 特許庁

To produce a polarized light separating element with a periodic lattice in a good yield by patternwise exposing a polydiacetylene oriented film formed on an optically isotropic substrate with UV.例文帳に追加

光学的等方性基板に形成したポリジアセチレン配向膜に紫外線をパターン露光することにより周期格子が形成された偏光分離素子を歩留り良く製造すること。 - 特許庁

The decorative sheet is obtained by providing a patternwise low gloss printing layer on one side of a transparent base material layer made of a synthetic resin and subsequently providing a surface protective layer to one side of the transparent base material layer while providing a pattern printing layer to the other side of the transparent base material layer, wherein the patternwise low gloss printing layer is colored by an inorganic pigment.例文帳に追加

合成樹脂製透明基材層の一方の面にパターン状低艶印刷層を設けた後に前記一方の面全面に表面保護層を設け、前記合成樹脂製透明基材層の他方の面側に絵柄印刷層を設けた化粧シートであって、前記パターン状低艶印刷層が無機顔料で着色されていることを特徴とする化粧シート。 - 特許庁

The first resist film 12 is then patternwise exposed with light of the first wavelength using the developed second resist film 13a as a mask, the second resist film 13a is removed and the first resist film 12 is developed.例文帳に追加

次に、第１の波長の光により、現像された第２レジスト膜１３ａをマスクとして、第１レジスト膜１２をパターン露光し、第２レジスト膜１３ａを除去し、第１レジスト膜１２を現像する。 - 特許庁

The patternwise exposed resist film is developed with an alkaline developer and rinsed with pure water and an organic solvent 14 is substituted for the pure water to form a patterned resist film 11A.例文帳に追加

パターン露光されたレジスト膜に対して、アルカリ性現像液による現像、純水によるリンス、及び純水と有機溶剤１４との置換を順次行なって、パターン化されたレジスト膜１１Ａを形成する。 - 特許庁

The mask blank is patternwise irradiated with the radiation 4, the protective film 5 is dissolved and removed with a solvent which does not substantially dissolve the resist film 3, and the resist film 3 is developed to form a pattern.例文帳に追加

次に、マスクブランクに放射線をパターン照射し、保護膜５を、化学増幅レジスト膜３を実質的に溶解しない溶媒で溶解除去し、化学増幅レジスト膜３を現像処理してパターンを形成する。 - 特許庁

Thereafter, the mark 55 formed on the flow channel unit 4 is recognized optically and a conductive paste 39 becoming the discrete electrodes 35 is printed on a piezoelectric sheet 41 patternwise on the basis of the position of the recognized mark 55.例文帳に追加

その後、流路ユニット４上に形成されたマーク５５を光学的に認識し、認識されたマーク５５の位置を基準にして、圧電シート４１上に、個別電極３５となる導電性のペースト３９をパターン印刷する。 - 特許庁

A single particle layer having fine particles bonded thereto in a single particle state is provided to the region, where a hydrophilic graft polymer chain is present, on a support having a surface on which the hydrophilic graft polymer chain is present patternwise.例文帳に追加

親水性グラフトポリマー鎖がパターン状に存在する表面を有する支持体上の該親水性グラフトポリマー鎖の存在する領域に、微粒子を単粒子状態で付着させた単粒子層を有することを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, a patterning foamable resin sheet formed into a patternwise shape using the foamed foamable resin sheet having a hue different from that of the foamable resin material sheet 1 is superposed on a plurality of the foamable resin material sheets 1 laminated within the mold 3 and hermetically sealed to be foamed under heating.例文帳に追加

金型３内に積層した複数枚の発泡樹脂素材板１の上に、その色彩と異なる発泡済みの発泡樹脂板で模様形状とした模様用発泡樹脂板を重ねて、密封し、加熱発泡させてもよい。 - 特許庁

Each mask layer comprising a heat sensitive material film and corresponding to the shape of an optical lens is patternwise formed on a substrate 10 comprising an optical material and it is deformed by heat treatment in such a way that the surface area is reduced to obtain each mask layer 30b.例文帳に追加

光学材料よりなる基板１０上に、感熱性材料膜よりなる光学レンズの形状に対応するマスク層をパターン形成し、熱処理を施し、表面積が小さくなるように変形させたマスク層３０ｂとする。 - 特許庁

The photomask is characterized in that it has a transparent substrate, a patternwise formed light shielding layer which blocks transmission of light and a transmittance adjusting layer which adjusts the quantity of light projected according to film thickness.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、透明基板と、パターン状に形成され、光の透過を遮断する遮光層と、膜厚により光の照射量を調整する透過率調整層と、を有することを特徴とするフォトマスクを提供する。 - 特許庁

A resist film 102 containing titanium oxide is formed on a substrate 101 and the formed resist film 102 is patternwise exposed by applying exposure light 103 comprising light whose wavelength is ≤400 nm or electron beams on the resist film 102 through a mask 104.例文帳に追加

基板１０１の上に酸化チタンを含むレジスト膜１０２を形成し、続いて、形成したレジスト膜１０２に波長が４００ｎｍ以下の光又は電子線からなる露光光１０３をマスク１０４を介して照射してパターン露光を行なう。 - 特許庁

In the method for manufacturing an article covered with a patterned film, a substrate is coated with a photosensitive composition containing a metal alkoxide and β-diketone, the resulting coating film is patternwise irradiated with light, the exposed area of the coating film is polymerized and the unexposed area is dissolved and removed.例文帳に追加

金属アルコキシドおよびβ−ジケトンを含む感光性組成物を基材に塗布し、塗布膜にパターン状に光照射して塗布膜の露光部を重合させそして非露光部を溶解して除去するパターン膜被覆物品の製造方法である。 - 特許庁

A halftone material film 11 and a resist film 21 are formed on a transparent substrate 1 consisting of synthetic quartz or the like and the resist film 21 is subjected to a series of patterning procedures such as patternwise exposure and development to form a resist pattern 21a on the halftone material film 11.例文帳に追加

合成石英等からなる透明基板１上に、ハーフトーン材料膜１１及びレジスト膜２１を形成し、レジスト膜２１をパターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ハーフトーン材料膜１１上にレジストパターン２１ａを形成する。 - 特許庁

In the pattern forming method in which the surface layer of a substrate 1 is patternwise etched using a resist pattern as a mask, the pattern forming region of the surface of the substrate 1 is divided into a dense first region 2a and a thin second region 2b in accordance with pattern forming density.例文帳に追加

基板１の表面層に対して、レジストパターンをマスクに用いたパターンエッチングを施すパターン形成方法において、基板１表面のパターン形成領域を、パターンの形成密度に応じて密な第１領域２ａと疎な第２領域２ｂとに分割する。 - 特許庁

To provide an inspection device for mask patterns which are used for an exposure device for manufacturing a semiconductor device by performing patternwise exposure of a mask to a substrate, the inspection device for the mask patterns being capable of inspecting inclusion of mutually different mask patterns in inclusion relation on the object substrate.例文帳に追加

基板上にパターン露光し半導体装置を製造するための露光装置に用いるマスクパターンの検査装置において、包含関係にある相異なるマスクパターンの対象基板上での包含の検査が出来るマスクパターンの検査装置を提供する。 - 特許庁