photo-protectionとは 意味・読み方・使い方

To solve the problem that freedom of arrangement is low, to loosen arrangement restriction of a diode for protection and to raise the freedom of arrangement in a photo coupler circuit equipped with a photo coupler, since it is necessary to arrange a diode for protecting the photo coupler by being approximated to a diode of a light emitting element of the photo coupler and strong restriction must be provided in arrangement of the diode for protection.例文帳に追加

フォトカプラを備えたフォトカプラ回路に関し、フォトカプラを保護するダイオードをフォトカプラの発光素子のダイオードに近接して配置する必要があり、保護用のダイオードの配置に強い制約を設けなければならず、配置の自由度が低い問題を解決し、保護用のダイオードの配置制約を緩めて、配置の自由度を高めることを目的とする。 - 特許庁

An insulating protection film 18 composed of silicon nitride film or the like is formed between a reflection layer 19 and the anode layer 12 at lower layer side of the photo resonator 40.例文帳に追加

光共振器４０の下層側の反射層１９と陽極層１２との間には、シリコン窒化膜などからなる絶縁保護膜１８を形成する。 - 特許庁

The visible ray incident on the planar protection membrane 17 is made to reflect to the photo electric converting element 13 without scattering.例文帳に追加

平面状の保護膜17に入射する可視光は、散乱せず、光電変換素子13へ向けて反射させる。 - 特許庁

Moreover, the generation of the static breakage of the fluorescent substance protection layer 3 at its formation is prevented by eliminating the photosensitive resin protection layer on the electrode lead out part 104 by heat development by forming the fluorescent substance protection layer 3 with the photo sensitive resin protection layer.例文帳に追加

また、蛍光体保護層３を感光性樹脂保護層で形成し、電極取り出し部１０４上の感光性樹脂保護層を加熱現像によって除去することにより、蛍光体保護層３の形成時の静電破壊の発生を防止する。 - 特許庁

The solid-state imaging module 1 includes a solid-state imaging element 11 including a photo-detection unit 11r wherein a pixel for photoelectric-converting incident light into an electric signal is disposed, and a translucent protection unit 13 protecting the photo-detection section 11r.例文帳に追加

固体撮像モジュール１は、入射光を電気信号に光電変換する画素が配置された受光部１１ｒを有する固体撮像素子１１と、受光部１１ｒを保護する透光性保護部１３とを備える。 - 特許庁

The frame-like abutting section 13b (translucent protection unit 13) is positioned with respect to the photo-detection unit 11r by a positioning mark 11m provided around the photo-detection unit 11r.例文帳に追加

枠状当接部１３ｂ（透光性保護部１３）は、受光部１１ｒの周囲に設けられた位置決めマーク１１ｍにより受光部１１ｒに対して位置決めされる。 - 特許庁

Then, a resist mask 8 is formed on the conductive protection film 7 by a photo-resist method, and ions are doped on the conductive protection film 7 and the upper part electrode 6 through an opening part between the resist masks 8.例文帳に追加

そして、フォトレジスト法によりレジストマスク８を導電性保護膜７上に形成し、レジストマスク８間の開口部を通じて導電性保護膜７及び上部電極６にイオンをドープする。 - 特許庁

This overcurrent protection detector includes a poly-switch as the overcurrent protection element and a photo coupler for monitoring voltage applied to the load from the overcurrent protection element (RP1).例文帳に追加

請求項２の発明による過電流保護検出回路は、請求項１において、過電流保護素子（ＲＰ１）がポリスイッチであり、監視素子（ＰＣ１）が、過電流保護素子（ＲＰ１）から負荷に印加される電圧を監視するフォトカプラであることを特徴とする。 - 特許庁