plasma melt methodとは 意味・読み方・使い方

The method for manufacturing spherical titanium oxide particles comprises a thermal plasma treatment by feeding metal titanium pieces to thermal plasma to melt the metal titanium and solidifying liquid drops of the molten metal titanium outside the thermal plasma, with oxygen added to the thermal plasma, thereby forming titanium oxide on the surfaces of the solidified metal titanium particles.例文帳に追加

熱プラズマ中に金属チタン片を投入して溶融し、溶融した金属チタンの液滴を熱プラズマ外で凝固させる熱プラズマ処理であり、前記の熱プラズマ中に酸素を添加した熱プラズマ処理によって、凝固した金属チタン粒子の表面に酸化チタンを形成する球状酸化チタン粒子の製造方法である。 - 特許庁

The method may further contain a step wherein the carbonized matter is immediately introduced from the furnace 1 into an ash melting furnace and burned by the addition of a heat plasma to melt the resultant ash by generated heat including the heat plasma.例文帳に追加

この方法は、さらに、生じた炭化物を直ちに炉１ から灰溶融炉へ導いてここで熱プラズマを加味して炭化物を燃焼させ、生じた灰を熱プラズマを含む生成熱により溶融させる工程を含んでもよい。 - 特許庁

To provide a method and device for jetting powder by which powder of a plasma melt-spraying material is jetted pulselike to a space where plasma is to be generated or being generated and which has high response accuracy at the time of starting the jetting.例文帳に追加

プラズマ溶射材料である粉体を、プラズマが発生するか又はプラズマが発生している空間に対して、パルス的に噴射することが可能であり、かつその噴射開始時期の応答精度が高い粉体噴射方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The production method for a group III nitride crystal causes the crystal to grow by bringing a melt 7 containing a group III element and an alkali metal into contact with nitrogen plasma 8a.例文帳に追加

ＩＩＩ族元素とアルカリ金属とを含む融液７に窒素プラズマ８ａを接触させることによって、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法である。 - 特許庁

To provide a plasma display panel and manufacturing method therefore, which can control surface roughness of a rigid and tight membrane and also the top portion of a partition with high accuracy in melt-spinning membrane and also allows a low-priced and high quality display.例文帳に追加

溶射膜による隔壁形成において、強固で緻密な膜、且つ、隔壁の頂部の表面粗さを高精度に制御可能とし、低コストで高品位な表示を可能とするプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The method for removing B in the molten silicon 3 by blasting an Ar-5.0%-H_2O gas to the bath surface 3a of the molten silicon 3 accommodated in a crucible 1 as the container to plasma arc melt the molten silicon 3, wherein the molten silicon 3 accommodated in the crucible 1 is stirred at a rate of 250 rpm using a propeller 2.例文帳に追加

容器としてのルツボ１内に収容された溶融シリコン３の浴面３ａにＡｒ−５．０％Ｈ_２Ｏガスを吹き付けてプラズマアーク溶解しながら溶融シリコン３中のＢを除去する方法であって、ルツボ１内に収容された溶融シリコン３を、プロペラ２を用いて周方向に２５０ｒｐｍの速度で攪拌する。 - 特許庁

In the manufacturing method, the surface of an electrode 2 disposed on a pad of a semiconductor chip formed on a substrate 1 is cleaned with a plasma, ultrasonic waves are applied to the electrode 2 in a solder melt so as to remove an oxide film and the like from the surface of the electrode 2, and a solder bump 6 is directly formed on the surface of the electrode 2.例文帳に追加

基板１上に形成された半導体チップのパッド部の電極部２の表面をプラズマクリーニングし、次いで、はんだ溶融液中にて電極部２に超音波を印加してこの電極部２表面の酸化膜等を除去し、電極部２表面上に直接はんだバンプ６を形成する。 - 特許庁