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plating filmsとは 意味・読み方・使い方
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「plating films」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 167件
Second plating films 24a, 24b are respectively formed on surfaces of the first plating films 22a, 22b.例文帳に追加
第1のめっき皮膜22a、22bの表面には、第2のめっき皮膜24a、24bが形成される。 - 特許庁
The coating films should preferably be evaporation films embodied by the ion plating process.例文帳に追加
各被膜は、イオンプレーティング法で形成された蒸着膜とするのが好ましい。 - 特許庁
Next, the plating films are subjected to CMP polishing down to the desired thickness, by which the pit defects 27 are annihilated together with the plating films 25.例文帳に追加
次に、所望の厚さまでメッキ膜をCMP研磨して、メッキ膜25とともにピット欠陥27を消失させる。 - 特許庁
To simultaneously realize the good embedment of copper plating films for wiring in semiconductor devices, etc., into connecting holes for wiring and the improving in the quality of the copper plating films in a method of forming the copper plating films described above.例文帳に追加
半導体デバイス等における配線用銅メッキ膜を形成する方法において、配線用接続孔への良好な埋め込みと銅メッキ膜の膜質向上とを同時に実現すること。 - 特許庁
Plating liquids are moved among the plating baths 45 and 46, and plating liquid storing baths 49 and 50, so that plating films to be formed on an electroconductive member 21 can be selected.例文帳に追加
メッキ浴槽45、46とメッキ液収納浴槽49、50でメッキ液を移動させることで、導電部材21に形成されるメッキ膜を選択できる。 - 特許庁
Second plating films 24a, 24b consisting of Sn are formed, as the outermost layer, to cover the first plating films 22a, 22b.例文帳に追加
第1のめっき皮膜22a、22bを覆うようにして、最外層としてSnからなる第2のめっき皮膜24a、24bが形成される。 - 特許庁
Plating films 22 of a desired thickness are deposited on the semiconductor wafers 21 and thereafter plating films 25 are deposited thereon in order to annihilate the pit defects 24 arising in consequence of microbubbles 23 in the plating films 22 (at this time, the fresh pit defects 27 are generated in the plating films 25).例文帳に追加
本発明のウエハ処理は、半導体ウエハ21に所望の厚さのメッキ膜22を成膜し、次に、メッキ膜22内にマイクロバブル23が起因して発生したピット欠陥24を消滅させるために、メッキ膜25を成膜する(この際に、メッキ膜25内には、新たなピット欠陥27が発生している)。 - 特許庁
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「plating films」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 167件
To obtain an electroless plating method which is capable of making a deposition rate of plating films uniform in necessary positions.例文帳に追加
必要な位置におけるメッキ膜の成膜速度を均一にすることができる無電解メッキ方法を得る。 - 特許庁
Next, plating films are formed on the terminal electrodes 12-17 of the chip component 10 by a barrel plating method.例文帳に追加
次いで、バレルめっき法によりチップ部品10の端子電極12〜17にめっき膜を形成する。 - 特許庁
Films made of copper, nickel, chromium or nickel chromium are desirably formed by plating.例文帳に追加
銅、ニッケル、クロム、ニッケル−クロムの被膜はメッキにより形成するのが好ましい。 - 特許庁
To easily form fine circuit patterns and to enhance the adhesion property of electroless plating films in short plating processing.例文帳に追加
微細な回路パターンを容易に形成でき、しかも短時間の処理で無電解めっき被膜の密着性を高める。 - 特許庁
Plating electrode films are formed on the bottom and the side face of the viahole.例文帳に追加
ビアホールの底面および側面にはめっき用電極膜が形成されている。 - 特許庁
Since the leads 14 are therefore exposed from the shear-droop sides 19, it is possible to perform measurement without being affected by plating films formed in the surfaces of the leads 14 or oxide films in the surfaces of the plating films.例文帳に追加
従って、だれ面19からはリード14が露出しており、リード14の表面に形成されたメッキ膜や、メッキ膜の表面の酸化膜の影響を受けることなく測定を行うことができる。 - 特許庁
To provide an electroplating device where, in the case surface treatment is performed to the objects to be plated by dipping the same into a liquid bath, satisfactory plating films, particularly, plating films having uniform plating thickness are formed.例文帳に追加
液槽に浸漬することにより、被めっき物に表面処理を施す場合に、良好なめっき被膜、特に均一的なめっき厚を有するめっき被膜を形成する電解めっき装置を提供する。 - 特許庁
The second metal films 221 and 222 are plating films having a film thickness thinner than that of the first metal films 211 and 221 and bonded onto the first metal films 211 and 221.例文帳に追加
第2の金属膜212、222は、めっき膜であって、第1の金属膜211、221の膜厚よりも小さい膜厚を有して、第1の金属膜211、221の上に付着されている。 - 特許庁
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