required growthとは 意味・読み方・使い方

GRAPE TO WHICH NO REQUIRED TREATMENT ON GROWTH BY CHEMICAL COMPONENT AND ORGANIC SYNTHETIC COMPONENT IS APPLIED例文帳に追加

化学成分および有機合成成分による生育上必要な処理を一切施さない葡萄。 - 特許庁

If the framework required economic growth to be sacrificed, the participation of many countries cannot be expected.発音を聞く 例文帳に追加

経済発展を犠牲にすることを求める枠組みでは、多くの国の参加は望めません。 - 経済産業省

A growth power calculating section 110 calculates the virtual power required for the shape deformation, and a growth pass calculating section 120 determines the deformation pass using the calculated growth force.例文帳に追加

そして、成長力算出部１１０において、形状変形に要する仮想の力を算出し、成長経路算出部１２０では、算出された成長力を用いて変形の経路を決定する。 - 特許庁

This growth adjuvant for crops is such one as to assist crop growth by burying into the culture soil for crops, and obtained by sustainedly releasably supporting a growth adjuvant agent 2 required for sound growth of crops, such as agrochemicals or fertilizer, on at least the surface of a support 1 comprising a biodegradable resin.例文帳に追加

農作物の養土中に埋めて農作物の成育を補助する農作物の成育補助材であって、生分解性樹脂よりなる担体１の少なくとも表面に農薬類、肥料類などの農作物の健全な成育に必要な成育補助剤２を徐放可能に担持させた。 - 特許庁

The method comprises forming a protective film for obstructing the crystal growth on a substrate, so that a first nitride semiconductor layer is exposed through window regions partly opened through the protective film, starting the selective growth of a second nitride semiconductor layer from the first nitride semiconductor layer at a required growth starting temperature and rising the temperature over the growth starting temperature to continue the crystal growth.例文帳に追加

基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第１窒化物半導体層が臨むように形成し、その第１窒化物半導体層からの第２窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。 - 特許庁

Vigorous action is required by each country to support a smooth adjustment to more balanced growth.発音を聞く 例文帳に追加

よりバランスの取れた成長のための円滑な調整を進めるためには、各国による力強い行動が必要。 - 財務省

An Si based semiconductor substrate 200 is prepared, and oxygen ion implantation and epitaxial growth of an Si based semiconductor layer are repeated if required.例文帳に追加

Ｓｉ系半導体基板２００を準備し、酸素イオン注入と、Ｓｉ系半導体層のエピタキシャル成長とを必要に応じて繰り返す。 - 特許庁

NUCLEAR LOCALIZATION OF SRC-FAMILY TYROSINE KINASE REQUIRED FOR GROWTH FACTOR INDUCED EUCHROMATINIZATION例文帳に追加

成長因子に誘発されるユークロマチン化（ｅｕｃｈｒｏｍａｔｉｎｉｚａｔｉｏｎ）に必要な、ＳＲＣ−ファミリーチロシンキナーゼの核局在 - 特許庁