resonant tunnelingとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device for switching which uses a resonant tunneling phenomenon and operates in a normally-off manner.例文帳に追加

共鳴トンネル現象を利用するスイッチング用半導体装置であり、ノーマリーオフで作動するものを実現する。 - 特許庁

When a voltage is applied to the gate electrode, the base energy levels become equal to each other and a resonant tunneling phenomenon occurs, so the semiconductor device turns on.例文帳に追加

ゲート電極に電圧を印加すると基底エネルギー準位が一致して共鳴トンネル現象が起きるために、半導体装置はオンする。 - 特許庁

The base energy levels are not equal to each other and no resonant tunneling phenomenon occurs, so the semiconductor device is normally off.例文帳に追加

基底エネルギー準位が不一致であり共鳴トンネル現象が起きないためノーマリーオフとなる。 - 特許庁

A resonant tunneling diode 400 is etched in a lateral quantum well 406 and has a lateral carrier transfer through the tunneling barriers 404, 408 grown when trenches that form quantum wires or quantum dots are re-embedded.例文帳に追加

共振トンネリング・ダイオード４００は、横方向量子ウェル４０６中にエッチングされると共に、量子ワイヤまたは量子ドットを形成する溝を再埋込みするときに成長するトンネリング障壁４０４，４０８を通した横方向のキャリア輸送を有している。 - 特許庁

To provide a lateral resonant tunneling structure including sub-lithographic constituent elements formed of a number of angular deposits for forming widths, and a simple manufacturing method thereof with regard to two or more tunneling barriers and quantum wells simultaneously formed therebetween.例文帳に追加

２つ以上のトンネリング障壁及びこれらの間に同時に形成される量子ウェルについて、線幅形成のための多数の角度付き堆積によって形成されるサブリソグラフィー構成要素を含んだ横方向共振トンネリング構造体及び簡単な製造方法を提供する。 - 特許庁

Multi-step stubs are provided on both ends of a micro slotted antenna having an active device composed of RTD (Resonant Tunneling Diode), etc. to reflect electromagnetic waves in a frequency band having a comparatively broad bandwidth from the multi-step stubs.例文帳に追加

ＲＴＤなどで構成される能動デバイスを備えた微細スロットアンテナの両端部に多段のスタブを設け、この多段スタブから比較的広い帯域幅を持った電磁波の周波数帯を反射させる。 - 特許庁

The oscillation element is equipped with the resonant tunneling diode constituted by interposing a gain medium constituted by including a first barrier layer, a quantum well layer 11, and a second barrier layer between a first thickness adjustment layer 9 and a second thickness adjustment layer 13.例文帳に追加

発振素子は、第1の障壁層と量子井戸層11と第2の障壁層とを含み構成される利得媒質を、第1の厚さ調整層9と第2の厚さ調整層13との間に介在させて構成されている共鳴トンネルダイオードを備える。 - 特許庁