sapphire substratesとは 意味・読み方・使い方

The sapphire substrates 10 are installed on a loading table 22 provided in a furnace chamber 21 of a heating device 2.例文帳に追加

サファイア基板１０を加熱装置２の炉室２１内に設けられる積載台２２に設置する。 - 特許庁

The manufacturing process of thin sapphire substrates comprises a step in which a single crystal nickel oxide thin film 2 is formed on a single crystal sapphire preform 1, a step in which a thin single crystal sapphire substrate 3 is formed on the single crystal nickel oxide thin film 2 and a step in which the thin single crystal sapphire substrate 3 and the single crystal sapphire preform 1 are separated.例文帳に追加

単結晶サファイヤ母材１上に単結晶酸化ニッケル薄膜２を成膜させる工程と、該単結晶酸化ニッケル薄膜２上に薄型単結晶サファイヤ基板３を成膜させる工程と、該薄型単結晶サファイヤ基板３と該単結晶サファイヤ母材１とを分離する工程を含むことを特徴とする、薄型単結晶サファイヤ基板３の成長方法。 - 特許庁

In the dry etching method, gallium-nitride compound layers 22-24, sapphire substrates 21 or alumina substrates are etched by plasma 26 generated from a reaction gas containing chlorine gas and gas of a compound (such as chloroform, dichloromethane, etc.), represented by a chemical formula C_xH_yCl_z, in which each of x, y, and z is a positive integer.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁

An atmospheric gas, in which a concentration of oxygen is increased more than in the atmosphere, is heated by heaters 23, and the sapphire substrates 10 are heated via the atmospheric gas.例文帳に追加

そして、大気中よりも酸素の濃度が高められた雰囲気ガスをヒータ２３によって加熱し、その雰囲気ガスを介してサファイア基板１０を加熱する。 - 特許庁

To obtain a sapphire substrate with a nitride semiconductor film which is free from dispersion in warp among substrates before epitaxial growth, during epitaxial growth and after epitaxial growth, and has desired warp after epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長前，エピタキシャル成長中およびエピタキシャル成長後に基板間の反りのバラツキが無く、かつエピタキシャル成長後に目的の反りを有する窒化物半導体膜付きサファイア基板を得ることを可能とする。 - 特許庁

Sapphire crystals or rutile crystals are attached as substrates for heat radiation to the incident side and the emitting side of an RIG film constituting the Faraday rotator, and the thickness of the RIG film is ≥130 μm and ≤200 μm.例文帳に追加

ファラデー回転子を構成するＲＩＧ膜の入射側および出射側に、放熱用基板としてサファイア結晶またはルチル結晶が接着されており、かつ前記ＲＩＧ膜の厚みが１３０μｍ以上、２００μｍ以下であるようにした。 - 特許庁

It is remarkable when the refractive indices of the semiconductor laminating structures 2 to 4 are larger than those of the substrates 1, and an effect is remarkable particularly when the light emitter is formed of the laminating structure of a group III nitride compound semiconductor and sapphire, silicon, SiC or a spinel is used as the substrate.例文帳に追加

これは、基板１の屈折率よりも半導体積層構造２〜４の屈折率の方が大きい場合に顕著であり、III族窒化物系化合物半導体の積層構造で発光部を形成し、サファイア、シリコン、ＳｉＣ又はスピネルを基板とする場合に特に効果が顕著となる。 - 特許庁

At least one junction surface of the tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate is activated by an inert gas or the neutralized beam, ion beam, or plasma of oxygen gas for making into an amorphous form; or an amorphous layer having a desired composition is film-formed in vacuum, at least on one junction surface of the substrates.例文帳に追加

タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面を、不活性ガスまたは酸素ガスの中性化ビーム、イオンビーム、若しくはプラズマにより活性化させてアモルファス化する、若しくはこれらの基板の少なくとも一方の接合表面上に、所望の組成のアモルファス層を真空成膜して形成する。 - 特許庁