semiconductor Sとは 意味・読み方・使い方

The peeling means 16 is provided so that the protection sheet S may be peeled from the semiconductor wafer W while the sticking face of the protection sheet S of the semiconductor wafer W is directed downward.例文帳に追加

剥離手段１６は、半導体ウエハＷの保護シートＳ貼付面を下向きとした状態で、保護シートＳを半導体ウエハＷから剥離可能に設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor device of the BGA package structure, there is no solder resist layer at a disconnection preventing region 148, centered at a position S immediately below the outer ridge of the semiconductor chip.例文帳に追加

BGAパッケージ構造の半導体装置において、半導体チップの外縁直下の位置Sを中心とした断線防止領域148には、ソルダーレジスト層が不存在である。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, TESTING METHOD FOR THE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND PROBE CARD USED FOR BURN-IN STRESS AND D/S例文帳に追加

半導体集積回路装置、半導体集積回路装置のテスト方法、バーインストレス＆Ｄ／Ｓに用いられるプローブカード - 特許庁

The semiconductor elements S, S' are bonded to the insulating substrate P such that two or more semiconductor elements of the same kind are not mounted on the one insulating substrate P, and the area A of a surface of the second metal plate M2 which is opposed to the heat sink B is set to be 1 to 2.5 times as large as the overall area At of the semiconductor elements S, S'.例文帳に追加

半導体素子Ｓ，Ｓ′は、一枚の絶縁基板Ｐに対し同種の半導体素子が２個以上は搭載されないようにして、絶縁基板Ｐに接合され、第２金属板Ｍ２の放熱板Ｂとの対向面の面積Ａが、半導体素子Ｓ，Ｓ′の総面積Ａｔの１〜２．５倍に設定される。 - 特許庁

The underspace below a first bonding wire 7 connected to the first semiconductor element 5 is filled with insulative resin 11 having a viscosity ranging from 1 Pa s or more to less than 1000 Pa s under filled-up conditions or with light-hardening insulative resin.例文帳に追加

第１の半導体素子５に接続された第１のボンディングワイヤ７の下部空間には、充填時粘度が1Pa・s以上1000Pa・s未満の絶縁性樹脂１１、もしくは光硬化型絶縁性樹脂が充填されている。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a semiconductor base S, a cell transistor T having a pair of source/drain diffusion layers 11 formed on the semiconductor base S, and a ferroelectric capacitor C connected to the cell transistor T.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板Ｓと、半導体基板Ｓ上に形成された一対のソース／ドレイン拡散層１１を有するセルトランジスタＴと、セルトランジスタＴに接続された強誘電体キャパシタＣとを備える。 - 特許庁

A sheet cutting device 10 that cuts the sheet S whose size exceeds the circumference of a semiconductor wafer W with a cutter blade 12 along the circumference of the semiconductor wafer W after affixing the sheet S to the semiconductor wafer W.例文帳に追加

半導体ウエハＷの外周からはみ出る大きさのシートＳを半導体ウエハＷに貼付した後、当該半導体ウエハＷの外周に沿ってカッター刃１２で切断するシート切断装置１０である。 - 特許庁

A photoelectric conversion element 100 comprises a substrate 11 having a flat surface S, a plurality of semiconductor nanowires 2 which are arrayed on the flat surface S and extend in a tapered shape from the flat surface S, and a semiconductor layer 30 which fills gaps between the plurality of semiconductor nanowires 2 and has a carrier type different from that of the semiconductor nanowires 2.例文帳に追加

平坦面Ｓを有する基板１１と、平坦面Ｓ上に配列され、平坦面Ｓから先細り状に延びる複数の半導体ナノワイヤー２と、複数の半導体ナノワイヤー２同士の間隙を充填し、半導体ナノワイヤー２とは異なるキャリアタイプの半導体層３０と、を備える光電変換素子１００。 - 特許庁