sensitive field effect transistorとは 意味・読み方・使い方

To provide a sensor of high measurement sensitivity with high responsiveness by forming a porous membrane as a sensitive part of a field-effect transistor.例文帳に追加

多孔質膜を電界効果トランジスタの感応部に形成することで、測定感度が高く応答性に優れたセンサを提供する。 - 特許庁

This sensor is constituted of a porous body 106, having columnar pores 105 formed substantially vertically with respect to a substrate formed on a sensitive part (gate insulation film herein) of the field-effect transistor, and the field-effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタの感応部（ここではゲート絶縁膜）上に形成された基板に対してほぼ垂直に形成された円柱状の細孔１０５を有する多孔質体１０６と電界効果トランジスタから構成される。 - 特許庁

To provide an ion sensor wherein a plasticized polyvinyl chloride often used for a sensitive film matrix part which is the central part of an ion- sensitive field effect transistor (ISFET), which is an ion sensor, has higher durability than film material.例文帳に追加

イオンセンサーであるイオン感応性電界効果型トランジスタ(ISFET)の心臓部である感応膜マトリックス部分に多く使われる可塑化ポリ塩化ビニルが膜材料よりも耐久性を有するイオンセンサーを提供する。 - 特許庁

To provide an infrared solid state imaging device with high in temperature detection sensitivity and small in temperature detection sensitivity fluctuation, in the infrared solid state imaging device which includes a grounded source amplifier circuit containing a field effect transistor, with arranging the field effect transistors which are a heat sensitive body in an array configuration.例文帳に追加

感熱体である電界効果トランジスタをアレイ状に配置し、電界効果トランジスタを含むソース接地増幅回路を備えた赤外線固体撮像装置において、温度検出感度が高く、かつ温度検出感度のばらつきを小さくした赤外線固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide an infrared sensor with high temperature detection sensitivity by facilitating signal reading and facilitating the composition of a signal processing circuit in the infrared sensor using an electric field effect transistor for a heat sensitive body.例文帳に追加

電界効果トランジスタを感熱体に用いた赤外線センサにおいて、信号読み出しが容易で、信号処理回路の構成を容易にし、温度検出感度が高い赤外線センサを提供する。 - 特許庁

To provide a MOS transistor which is less sensitive to DIBL(drain- induced barrier lowering) effect and can avoid occurrence of leakage current at ends of channel region resulting from the effect of electric field of an adjacent semiconductor element.例文帳に追加

ＤＩＢＬ効果の影響を抑制したＭＯＳトランジスタを提供するとともに、隣り合う半導体素子からの電界の影響を受けてチャネル領域の端縁部において電流リークが発生することを防止したＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a field-effect transistor-type gas sensor for suppressing threshold variation without impairing a gate insulation film when forming an electrode of a sensitive material corresponding to a detecting object gas after previously forming a transistor structure.例文帳に追加

電界効果トランジスタ型のガスセンサにおいて、あらかじめトランジスタ構造を形成した後、検知対象のガスに対応した感応材料の電極を形成する際に、ゲート絶縁膜を損なうことなく、かつ、閾値ばらつきを抑制する製造方法を供給する。 - 特許庁

The infrared solid state imaging device includes a detection array (502) which is arranged a plurality of arrays of a pixel containing the field effect transistor as the heat sensitive body which outputs the temperature change as the electric signal change, a predetermined load (704) forming the grounded source amplifier circuit connecting to the field effect transistor, a signal reading circuit (509) which reads the output signal of the grounded source amplifier circuit.例文帳に追加

赤外線固体撮像装置は、温度変化を電気信号の変化として出力する感熱体として電界効果トランジスタを含む画素が複数個アレイ状に配置されてなる検出器アレイ（５０２）と、電界効果トランジスタと接続され、ソース接地増幅回路を形成する所定の負荷（７０４）と、ソース接地増幅回路の出力信号を読み出す信号読み出し回路（５０９）とを備える。 - 特許庁