shaped chargeとは 意味・読み方・使い方

The cup-shaped member 40 is arranged in the combustion chamber 17 so that a transfer charge 36 stored in a transfer charge storage chamber 41a faces the ignition unit 31.例文帳に追加

カップ状部材４０は、伝火薬収容室４１ａに収容された伝火薬３６が点火部３１に面した状態となるように燃焼室１７内に配置される。 - 特許庁

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer having a columnar part, a charge storage layer formed to surround a side surface of the columnar part, and a word line conductive layer formed to surround the charge storage layer.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、柱状部を含むＵ字状半導体層と、柱状部の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層を取り囲むように形成されたワード線導電層とを備える。 - 特許庁

To solve the problem wherein a characteristic variation in each charge detection circuit causes an output error in signal voltage to be the occurrence factor of stripe-shaped noise when a configuration provided with a plurality of charge detection circuits is provided.例文帳に追加

複数の電荷検出回路を設けた構成にすると、各電荷検出回路の特性バラツキによって信号電圧に出力誤差が生じ、スジ状ノイズの発生要因となる。 - 特許庁

The charge controlling agent has basic particles containing at least a charge controlling material and a granulating agent, and the basic particles have been shaped with the granulating agent.例文帳に追加

少なくとも荷電制御物質を含む基本粒子と、造粒化剤とを有してなり、前記基本粒子が前記造粒化剤を用いて造粒されてなる荷電制御剤である。 - 特許庁

Sheet-shaped or battery-cover-shaped solar cells are stuck or mounted on a back surface of a cellular phone to charge lithium batteries of the phone using sunlight and the like.例文帳に追加

シート状若しくは電池蓋形状のソーラー電池を携帯電話裏面に貼付け若しくは装着し、それにより電話機本体のリチウム電池を充電する。 - 特許庁

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer 34 functioning as bodies of the memory transistors MTr1 to 8, a charge storage layer 33b formed to surround the U-shaped semiconductor layer 34 and configured to hold data by storing charges, and word line conductive layers 31a to 31d formed to surround the U-shaped semiconductor layer 34 via the charge storage layer 33b.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、メモリトランジスタＭＴｒ１〜８のボディとして機能するＵ字状半導体層３４と、Ｕ字状半導体層３４を取り囲むように形成され、電荷を蓄積することによりデータを保持する電荷蓄積層３３ｂと、電荷蓄積層３３ｂを介してＵ字状半導体層３４を取り囲むワード線導電層３１ａ〜３１ｄとを備える。 - 特許庁

The drain side selection transistor SDTr includes a drain side column shaped semiconductor layer 47 extending upward, a charge accumulation layer 46b formed so as to surround the side face of the drain side column shaped semiconductor layer 47 and a drain side conductive layer 42 formed so as to surround the side face of the charge accumulation layer 46b.例文帳に追加

ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒは、上方に延びるドレイン側柱状半導体層４７と、ドレイン側柱状半導体層４７の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層４６ｂと、電荷蓄積層４６ｂを取り囲むように形成されたドレイン側導電層４２とを備える。 - 特許庁

A memory string MS includes: a channel-shaped semiconductor layer 45 including a columnar portion 45A extending in a stacking direction on a substrate; a charge storage layer 44b surrounding the columnar portion 45A; and word-line conductive layers 41a to 41d stacked so as to surround the charge storage layer 44b.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、基板上に積層方向に延びる柱状部４５Ａを含むＵ字状半導体層４５と、柱状部４５Ａを取り囲むように形成された電荷蓄積層４４ｂと、電荷蓄積層４４ｂを取り囲むように積層されたワード線導電層４１ａ〜４１ｄとを備える。 - 特許庁