silane plasmaとは 意味・読み方・使い方

Further, also when the SiCN film is used as the hard mask, similarly plasma treatment of trimethyl silane gas is first carried out.例文帳に追加

またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 - 特許庁

ORGANIC SILANE COMPOUND FOR FORMING Si-CONTAINING FILM BY PLASMA CVD AND METHOD FOR FORMING Si-CONTAINING FILM例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物及びＳｉ含有膜の成膜方法 - 特許庁

The ultra-high density Si plasma (10^14/cm^3) 1 generated by a pulsed laser beam is subjected to collision reaction against the plasma 2 generated through a different plasma reaction using a silane gas, a hydrogen gas, etc.例文帳に追加

パルスレーザー光によって発生した超高密度のＳｉプラズマ（１０^１４／ｃｍ^３）１を、シランガス、水素ガス等を用いた別のプラズマ反応で生成されたプラズマ２と衝突反応させる。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device and a plasma CVD method by which a low-defective amorphous silicon thin film of high quality which is free of mixing of high order silane can be obtained.例文帳に追加

欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なアモルファスシリコン薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及びプラズマＣＶＤ方を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device capable of obtaining a high quality amorphous silicon film having low defects and no contaminating high order silane, and to provide the method of the plasma CVD.例文帳に追加

欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なアモルファスシリコン薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及びプラズマＣＶＤ法を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film 5 composed of a plasma TEOS film, a silicon nitride film 7, and a silicon oxide film 9 composed of the plasma TEOS film are formed on the gate electrodes, and a plasma silane film 10 is formed on the upper surface.例文帳に追加

これらのゲート電極の上にプラズマＴＥＯＳ膜からなるシリコン酸化膜５、シリコン窒化膜７、プラズマＴＥＯＳ膜からなるシリコン酸化膜９を形成し、その上面にプラズマシラン膜１０を形成する。 - 特許庁

To provide a filming method for an amorphous silicon membrane having satisfactory film quality by markedly reducing a cluster quantity in silane-discharging plasma.例文帳に追加

シラン放電プラズマ中のクラスタ量を激減させて優れた膜質を有するアモルファスシリコン薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

After an insulating film as a silicon nitride film is subjected to plasma CVD film depositing, introduction of a silane gas is stopped, the film is subjected to plasma discharging for a predetermined time while a nitrogen gas and an ammonia gas are introduced, and then the plasma discharging is stopped.例文帳に追加

窒化シリコン膜からなる絶縁膜のプラズマＣＶＤ成膜処理の終了時に、シランガスの導入を停止した後、窒素ガスおよびアンモニアガスを導入したままプラズマ放電を所定時間行い、その後、プラズマ放電を停止する。 - 特許庁