sputter deposition rateとは 意味・読み方・使い方

To provide a film deposition apparatus, and a film deposition method having the high rate of film deposition on a surface of an object for film deposition by the reaction of sputter particles or evaporation particles.例文帳に追加

スパッタ粒子または蒸発粒子を反応させることによる成膜対象物表面の成膜の成膜速度が速い成膜装置および成膜方法の提供。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MEASURING DISTRIBUTION OF SPUTTER DEPOSITION RATE FOR SIMULATION CALCULATION, METHOD FOR PROCESSING MEASURED DATA, AND METHOD FOR ESTIMATING GENERAL DISTRIBUTION CHARACTERISTICS例文帳に追加

シミュレーション計算のためのスパッタ堆積速度分布測定装置及び方法、測定データの処理方法、総合分布特性の予測方法 - 特許庁

To provide an ECR sputtering system capable of improving a deposition rate and of preventing the contamination of a microwave introducing window by sputter particles.例文帳に追加

成膜速度が向上し、かつ、スパッタ粒子によるマイクロ波導入窓の汚染を防止することができるＥＣＲスパッタリング装置の提供。 - 特許庁

To improve deposition rate without degrading the film thickness and characteristics of Ti film, Ti compound film, or the like, at the time of performing the sputter deposition of these films by using a Ti sputtering target.例文帳に追加

Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて、Ｔｉ膜やＴｉ化合物膜などをスパッタ成膜する際に、これらの膜の膜厚や特性などを劣化させることなく、堆積速度を向上させる。 - 特許庁

To provide an Al-based alloy sputtering target capable of increasing a deposition rate (sputter rate) when a sputtering target is used, and preferably capable of preventing the occurrence of splashes.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度（スパッタレート）が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this process, an amorphous thin piezoelectric substance film layer is deposited in the state that the crystallization rate R is smaller than the deposition rate S by making the substrate heating temperature lower than the crystallization temperature after the nucleation time C_1 when the sputter deposition is performed by heating to the crystallization temperature of a piezoelectric material.例文帳に追加

この工程で、圧電体材料の結晶化温度に加熱してスパッタ成膜を行う核生成時間Ｃ_1 の後に、基板加熱温度を結晶化温度より下げて結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより小さい状態で非晶質の圧電体薄膜層を成膜する。 - 特許庁