sputter-deposited～の英語

In order to remove the overhung part of the physical vapor deposited film, after liner/barrier/seed (110, 112 and 214) deposition, sputter etching is conducted.例文帳に追加

物理気相堆積膜のオーバハング部分を除去するために、ライナー／バリア／シード堆積（110,112,214）後に、スパッタエッチングが行なわれる。 - 特許庁

To provide a target for DC sputter deposition by which a transparent TiO_2 thin film can be vapor-deposited at high speed.例文帳に追加

透明なＴｉＯ_２薄膜を高速で蒸着できるＤＣスパッタ蒸着ターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of suppressing sputter in a space of a target joining part, and preventing mixing of impurities in a deposited film and local consumption of the joining part.例文帳に追加

ターゲット材接合部隙間のスパッタを抑え、成膜内への不純物混入及び接合部の局所的な消耗を防止する。 - 特許庁

The protective film 34 is, in an ion beam sputter method, deposited in relatively small ion beam input power density in the initial stages, and then deposited in relatively large ion beam input power density.例文帳に追加

保護膜３４は、イオンビームスパッタ法により、初期には、相対的に小さいイオンビーム投入電力密度で成膜し、その後、相対的に大きいイオンビーム投入電力密度で成膜することを特徴とする。 - 特許庁

The coating layer is deposited by holding the substrate with a substrate holding unit, rotating the substrate holding unit around a predetermined rotation axis, and changing relative positions of a sputter target and the substrate holding unit so as to change the angle between the normal line on the surface of the sputter target and the rotation axis with time.例文帳に追加

被覆層は、基材を基材保持部で保持し、所定の回転軸で基材保持部を回転させるとともに、スパッタターゲットの表面の法線と回転軸との間の角度が時間的に変化するようにスパッタターゲットと基材保持部の相対位置を変化させながら成膜する。 - 特許庁

The optical waveguide is manufactured by a self-cloning method, in which the ratio of the deposition to that of the etching is optimized, when the core or a part of the core formed with a dielectric multilayer type photonic crystal is sputter etched simultaneously or alternately sputter deposited.例文帳に追加

誘電体多層膜型のフォトニック結晶で構成されるコアあるいはコアの一部を、スパッタデポジションと同時あるいは交互にスパッタエッチングを行う際、デポジションとエッチングの比率を適正化する自己クローニング法により作製する。 - 特許庁

The first thin film is sputter deposited by using an Ag alloy target prepared by adding 0.1 to 4.0wt% Au and 0.5 to 10.0wt% Sn to Ag and the second thin film is sputter deposited by using an Ag alloy target prepared by adding 0.1 to 4.0wt% Au and ≤2.0wt% Sn to the Ag.例文帳に追加

第一薄膜が、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ及び０．５〜１０．０ｗｔ％のＳｎを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜が、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ及び２．０ｗｔ％以下のＳｎを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。 - 特許庁

Since the phase of the high frequency power on the target 12 is controlled by the variable capacitor 17 as shown in the voltage distribution 204, a difference in the sputter rate is generated between a center portion of the lens 4d where the film is deposited and a circumferential portion thereof, and a deposited film of the uniform film thickness is formed.例文帳に追加

可変コンデンサ１７によりターゲット１２上の高周波電力の位相が第４の電圧分布２０４のように制御されることで、被成膜用レンズ４ｄの中央部分と周辺部分のスパッタレートとに差が生じ、均一な膜厚の堆積膜が形成される。 - 特許庁