stacked waveguideとは 意味・読み方・使い方

The DBR semiconductor laser includes a laminate 47 consisting of a first clad layer 11, an optical waveguide layer 21, and a second clad layer 27 stacked in this order.例文帳に追加

第１クラッド層１１、光導波路層２１、第２クラッド層２７がこの順に積層された積層体４７を有する。 - 特許庁

To obtain a connection structure between a dielectric waveguide line and a high frequency line conductor electromagntically connecting the stacked dielectric waveguide line and the high frequency line conductor such as other microstrip line or coplanar line through the use of a slot hole 7 while keeping an excellent characteristic even when the characteristic impedance of the both differs.例文帳に追加

誘電体導波管線路に形成したスロット孔のみによる電磁結合では、様々な特性インピーダンスの高周波線路導体と良好な特性で接続できない。 - 特許庁

Next, two or more optical waveguide bodies 51 are stacked and stuck to form an optical waveguide unit 52, and an optical path conversion device 2 is made by forming a mirror surface 4c by dicing the optical waveguide unit 52 at a position where the 1st core 53a and the 2nd core 53b cross each other.例文帳に追加

ついで、複数の導波路体５１を積み重ねて貼り合わせて導波路ユニット５２を、第１コア５３ａと第２コア５３ｂとが交差する位置でダイシングしてミラー面４ｃを形成して、光路変換デバイス２を作製する。 - 特許庁

A 1st optical waveguide structured by stacking an InGaAsP active layer 152 and p-InP clad layer 154 on an InP substrate 150 is formed, and adjoining this, a 2nd optical waveguide with an InGaAsP core layer 160 and p-InP clad layer 162 stacked thereon is formed adjacent to the 1st optical waveguide.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１５０上にＩｎＧａＡｓＰ活性層１５２およびｐ−ＩｎＰクラッド層１５４が積層した構造の第一の導波路を形成し、これに隣接して、ＩｎＧａＡｓＰコア層１６０およびｐ−ＩｎＰクラッド層１６２が積層した第二の導波路を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a ridge type semiconductor laser comprises: a semiconductor stacked layer forming step S1 for forming a semiconductor stacked layer 23 having an active layer 13 and an etching stop layer 17; a first semiconductor stacked layer etching step S3; a semiconductor part forming step S5; a ridge waveguide part forming step S7; and a semiconductor diffracting grating element forming step S9.例文帳に追加

リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層１３とエッチングストップ層１７を含む半導体積層２３を形成する半導体積層形成工程Ｓ１と、第１半導体積層エッチング工程Ｓ３と、半導体部形成工程Ｓ５と、リッジ導波路部形成工程Ｓ７と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９とを備える。 - 特許庁

The antenna comprises waveguide slot array antennas 1A/1A which are stacked in two stages and operate as an antenna by forming a plurality of slots 2 on the narrow faces 1a/1a of waveguides 1/1.例文帳に追加

２段に積み重ねられ、導波管１・１の狭面１ａ・１ａに複数のスロット２を切ることでアンテナとして動作する導波管スロットアレーアンテナ１Ａ・１Ａを備える。 - 特許庁

Namely, the second dielectric substrate 7 is stacked on the other side of the first dielectric substrate 3 and a dielectric waveguide is composed of the second dielectric substrate 7 and first dielectric substrate 3.例文帳に追加

つまり、第１誘電体基板３の他方の側に第２誘電体基板７を積層し、この第２誘電体基板７及び第１誘電体基板３により誘電体導波路を構成している。 - 特許庁

A second semiconductor stacked layer etching step S7-3 in the ridge waveguide part forming step S7 and a first semiconductor part etching step S9-3 in the semiconductor diffracting grating element forming step S9 are performed together at a time.例文帳に追加

リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第２半導体積層エッチング工程Ｓ７−３と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第１半導体部エッチング工程Ｓ９−３とは、一括して行われる。 - 特許庁