stress pulseとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device for controlling the degradation of pressure resistance and the change of a threshold voltage by gate pulse stress.例文帳に追加

ゲートパルスストレスによる耐圧劣化およびしきい値電圧の変動を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The spot of pulse laser beams is scanned in the direction orthogonal to the direction of the maximum principal stress in the surface of a workpiece.例文帳に追加

パルスレーザビームのスポットを、被加工材の表面における最大主応力の方向と直交する向きに走査する。 - 特許庁

To provide an image display device in which deterioration in a TFT element characteristic due to the stress of pulse voltage is suppressed.例文帳に追加

パルス電圧ストレスによるＴＦＴ素子特性の劣化促進を抑制した画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a non-volatile semiconductor memory having high reliability and capable of reducing the stress to be applied to a memory cell at the time of applying an erase pulse.例文帳に追加

消去パルス印加時にメモリセルに加えられるストレスを低減できる信頼性の高い不揮発性半導体メモリ装置を得る。 - 特許庁

The residual compressive stress in the direction of the maximum principal stress in the surface of the workpiece can be selectively increased by setting the average number of irradiation of pulse laser beams at the same point to be at least two.例文帳に追加

ここで、同一点におけるパルスレーザビームの照射回数の平均値を２回以上とすることで、被加工材表面における最大主応力の方向の残留圧縮応力を選択的に高めることができる。 - 特許庁

Signal waveforms detected from a plurality of multilayer dielectrics are compared by use of a pulse electrostatic stress method applying a pulse voltage to the multilayer dielectric comprising a plurality of layers having different dielectric constants, and detecting pulse-like stress generated in the multilayer body at that time, so that similarity between the multilayer dielectrics is decided.例文帳に追加

誘電率の異なる複数の層からなる多層誘電体にパルス電圧を印加し、その時に該多層体内部に発生するパルス状の応力を検出するパルス静電応力法を用い、複数の多層誘電体から検出された信号波形を比較することにより該多層誘電体間の類似度を判定する。 - 特許庁

This residual stress measuring device 1 has a constitution equipped with a pulse laser device 2 for emitting a pulse laser, an optical system 3 for condensing pulse laser light, a shock wave generation part 4 for generating a shock wave, a detection part 5 for detecting the shape of a surface reformed film, and a PC 6 for computing the residual stress from the shape of the detection part 5.例文帳に追加

本実施形態に係る残留応力測定装置１は、パルスレーザを発射するパルスレーザ装置２と、パルスレーザ光を集光する光学系３と、衝撃波を生成する衝撃波生成部４と、表面改質膜の形状を検出する検出部５と、検出部５の形状から残留応力を演算するＰＣ６と、を備えて構成される。 - 特許庁

The laser machining apparatus condenses the laser pulse and irradiates the vicinity of the surface of the sapphire with the laser pulse to form a stress strain region starting at the surface of the sapphire and directed to the inside and having a shape extending in the optical axis direction by utilizing self-channeling effects.例文帳に追加

本発明のレーザ加工装置は、レーザパルスをサファイアの表面近傍に集光照射して、サファイアの表面を起点として内部に向かう、光軸方向に伸張した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する。 - 特許庁