substrate combination regionとは 意味・読み方・使い方

A second vertical region 116 is formed having a second light attenuation parameter through the combination of the first layer 106 and transparent substrate 102, and a third vertical region 117 is formed having a third light attenuation parameter through the transparent substrate102.例文帳に追加

また、透過基板１０２による第３の光減衰パラメータを有するように第３の垂直領域１１７を形成する。 - 特許庁

The color filter substrate is equipped with a second inner polarizing layer formed on the pixel region and contains the liquid crystal layer in combination with the array substrate.例文帳に追加

カラーフィルター基板は、画素領域に形成された第２インナー偏光子層を具備し、アレイ基板との合体を通じて液晶層を収容する。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device includes a drift layer 2 having an n-type and formed on a silicon carbide substrate 1, a base region 3 having a p-type formed adjacent to the drift layer 2, and a re-combination region 7 in which the drift layer 2 is formed and into which a re-combination center has been introduced.例文帳に追加

本発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１上に形成されたｎ型を有するドリフト層２と、ドリフト層２に接して形成されたｐ型を有するベース領域３と、ドリフト層２に形成され、再結合中心が導入された再結合領域７とを備える。 - 特許庁

First and second measurement-combination wiring layers 50A, 50B extending downward to the both ends of the vertical driving circuit 20 and the horizontal driving circuit 30 from first and second measurement-combination terminals 41A, 41B in a FPC (flexible printed circuit) region 40 are arranged on a glass substrate 1.例文帳に追加

ガラス基板１上には、ＦＰＣ領域４０の第１及び第２の測定兼用端子４１Ａ，４１Ｂから、垂直駆動回路２０及び水平駆動回路３０の両端部の下方に延びる第１及び第２の測定兼用配線層５０Ａ，５０Ｂが配置されている。 - 特許庁

A first vertical region 114 is formed having a first light attenuation parameter through the combination of the transparent substrate 102, first layer 106 and second layer 110.例文帳に追加

第１の層１０６及び透過基板１０２の組合せによる第２の光減衰パラメータを有するように、第２の垂直領域１１６を形成する。 - 特許庁

This method includes a step to grow the active region using a combination of (i) plasma-assisted molecular beam epitaxy; and (ii) molecular beam epitaxy using a gas including nitrogen-containing molecules which dissociate on the surface of the substrate at a temperature at which the active region is grown.例文帳に追加

当該方法は、活性領域を、（ｉ）プラズマアシスト分子線エピタキシーと、（ｉｉ）上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。 - 特許庁

Thus, this substrate can permit the formation of different devices on the optimum substrate region with the different surface orientation, the different thickness, the different structure from the bulk or SOI, or the combination of these different ones.例文帳に追加

そのため、この基板により、表面配向が異なるか、または厚さが異なるか、あるいはバルクまたはＳＯＩと構造が異なるか、あるいはこれら異なるものが組み合わされた最適な基板領域上に異なるデバイスを形成することができる。 - 特許庁