Substrate Carrier Speedとは 意味・読み方・使い方

To provide a hand of a robot for a carrier having high rigidity and capable of horizontally holding a glass substrate and consistently conveying it at a high speed.例文帳に追加

高剛性でかつガラス基板を水平に保持し、高速で安定して搬送することができる搬送用ロボットハンドを提供する。 - 特許庁

To enhance the processing capability of a substrate by using a substrate processing apparatus which has increased substrate transfer amount per unit time by improving mounting method etc., of the substrate onto a holder on a carrier without changing the operation speed of a robot.例文帳に追加

ロボットの動作速度を変えず、キャリア上のホルダへの基板取付け方等を改良することにより単位時間当たりの基板移載量を増大した基板処理装置を用いることで基板の処理能力を高める。 - 特許庁

The carrier 3 and the rectangular substrate 1 are rotated-moved by the rotary ring 6 rotating with the rotation of the polishing pad 10, and thus the rectangular substrate 1 is polished at a high speed and pressure in a state where the rectangular substrate 1 is stably held without colliding with the carrier 3.例文帳に追加

研磨パッド１０の回転に伴なって回転する回転リング６によりキャリアー３および矩形基板１を回転移動させ、矩形基板１をキャリアー３と衝突することなく安定して保持した状態で矩形基板１の高速高圧研磨を行なう。 - 特許庁

As a result, the gas flow generator is provided configured so as to deliver a gas having a substantially uniform speed toward the substrate carrier inside the chamber.例文帳に追加

これにより、実質的に均一な速度で、チャンバー内の基板キャリアに向けて送達するように構成されたガス流れ生成器を備えている。 - 特許庁

Nano particles NP such as silicon are mixed with a carrier gas supplied from a cylinder 19 in an aerosol chamber 15 and are brought into a collision with a workpiece W (substrate) at high speed from a nozzle 14 by the carrier gas.例文帳に追加

エアロゾルチャンバー１５において、シリコンなどのナノ粒子ＮＰを、ボンベ１９から供給されるキャリアガスと混合し、キャリアガスによって、ノズル１４からワークＷ（基板）に、高速で衝突させる。 - 特許庁

PZT piezoelectric ceramics fine particles 3 are floated in carrier gas and are made into an aerosol, and this aerosol is injected from a nozzle 5 at a high speed on a substrate to deposite a film.例文帳に追加

ＰＺＴ圧電セラミックス微粒子３をキャリアガス中に浮遊させてエアロゾル化し、このエアロゾルをノズル５より高速で基板上に噴射して膜形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate where a lattice defect for life-time control over a carrier is not formed as a semiconductor device capable of switching at high speed with low ON resistance and a high breakdown voltage.例文帳に追加

低オン抵抗かつ高耐圧で高速スイッチング可能な半導体装置をキャリアのライフタイムコントロールの為の格子欠陥を形成していない半導体基板で実現する。 - 特許庁

When the Cu film 9 is polished by the CMP method, the polishing speed of the peripheral edge of the substrate is made lower than that of the central part of the substrate by making the pressure applied to a retainer ring 11 higher than to the silicon substrate 1 from a polish carrier, and the Cu film 9 is made to remain in the peripheral edge of the substrate.例文帳に追加

Ｃｕ膜９をＣＭＰ法により研磨する際、研磨キャリアからシリコン基板１に加わる圧力よりもリテーナーリング１１に加わる圧力を高くすることにより、基板中心部よりも基板周縁部の研磨速度を遅くして、基板周縁部にＣｕ膜９を残存させる。 - 特許庁