surface crack growthとは 意味・読み方・使い方

Thus, the semiconductor growth layer can be formed for preventing the crack with good surface flatness.例文帳に追加

このことにより、クラックを防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of a structure capable of suppressing occurrence of a crack by using a group III nitride semiconductor using a nonpolar surface or a semipolar surface as a growth principal surface.例文帳に追加

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、クラックの発生を抑制できる構造の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal by which the silicon carbide single crystal can be grow in a large length in a state flatly maintaining the growth surface of the single crystal without generating crack detects.例文帳に追加

炭化珪素単結晶の成長表面をフラットに保ったまま長尺成長できるようにし、かつ亀裂欠陥を発生させないようにする。 - 特許庁

A cracked surface 13 stops in a compression residual stress field 22 even if the cracked surface 13 is formed by the growth of a crack 12 when the member is loaded with repeated stress after the loading with excessive stress by setting.例文帳に追加

セッチングによる過大応力負荷後、繰返し応力を部材に負荷した場合、亀裂１２が成長して亀裂面１３が形成されたとしても、亀裂面１３は圧縮残留応力場２２に停留する。 - 特許庁

To provide matrix high-speed steel suitable for nitriding treatment in which, in a die used after being surface hardened by nitriding treatment, alloy components on the base-material side are optimized so that resistance to crack sensitivity and also crack growth rate can be decreased in a hardened layer (nitrided layer) as compared with the conventional one.例文帳に追加

本発明は、窒化処理により表面硬化させて使用する金型で、従来よりも硬化層（窒化層）の耐割れ感受性が低く、き裂進展速度が遅くなるように母材側の合金成分を最適化した窒化処理に適したマトリックスハイス鋼を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element capable of preventing a crack from occurring and forming a nitride semiconductor growth layer with good surface flatness, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、クラックの発生が防止されるとともに、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成される窒化物半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁

When the silicon carbide single crystal 4 thus grows in such the state as embedded in the polycrystal 6, the temperature distribution of the growth surface of the silicon carbide single crystal 4 is approximately uniformed, and the silicon carbide single crystal can be grown in a long length in a state flatly maintaining the growth surface of the single crystal without generating crack detects.例文帳に追加

このように、炭化珪素単結晶４が多結晶６に埋め込まれるような状態で成長させると、炭化珪素単結晶４の成長表面の温度分布がほぼ均一となり、炭化珪素単結晶４の成長表面をフラットに保ったまま長尺化でき、かつ亀裂欠陥を発生させないようにできる。 - 特許庁