top gate structureとは 意味・読み方・使い方

MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE OF TOP GATE STRUCTURE例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板の製造方法およびトップゲート構造薄膜トランジスタ基板 - 特許庁

The transistor TR1 has a top gate structure where a gate G1 is positioned above a semiconductor layer 14A, and the transistor TR2 has a bottom gate structure where a gate G2 is positioned below a semiconductor layer 14B.例文帳に追加

トランジスタＴR1は、ゲートＧ1が半導体層１４Aの上方に位置するトップゲート構造であり、トランジスタＴR2は、ゲートＧ2が半導体層１４Bの下方に位置するボトムゲート構造である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of improving gate withstand voltage decline defect in the semiconductor device provided with a top gate type structure.例文帳に追加

トップゲート型構造を有する半導体装置において、ゲート耐圧低下不良を改善できる半導体装置の製造方法を提供すること - 特許庁

A P-channel type circuit driving TFT80, however, since its first gate electrode 65a is longer than its second gate electrode 65b, shows the electrical characteristics of a self-aligned structure whether it is viewed as a device having a top gate structure or as a device having a bottom gate structure.例文帳に追加

これに対して、Ｐチャネル型の駆動回路用のＴＦＴ８０では、第１のゲート電極６５ａが第２のゲート電極６５ｂよりも長いため、トップゲート構造およびボトムゲート構造のいずれの構造としてみた場合でもセルフアライン構造の電気的特性を示す。 - 特許庁

The structure of a top gate TFT is simplified, and the TFT is made into a three-layer structure consisting of a semiconductor layer, an insulating layer, and a conductive layer.例文帳に追加

トップゲート型ＴＦＴの構造を簡素にし、半導体層と、絶縁層と、導電層の３層構造でＴＦＴを形成する。 - 特許庁

The solid imaging device 3 has a simple matrix structure, a plurality of bottom gate lines 41 arranged in parallel are arranged on a transparent substrate 17, a plurality of top gate lines 41 are arranged orthogonally to the bottom gate lines 41 in the plan view, and double gate transistors 20 are disposed at respective intersections of the bottom gate lines 41 and top gate lines 44.例文帳に追加

この固体撮像デバイス３は単純マトリクス構造であり、互いに平行に配列された複数のボトムゲートライン４１が透明基板１７上に配列され、複数のトップゲートライン４４が平面視してボトムゲートライン４１に対して直交するよう配列され、ボトムゲートライン４１とトップゲートライン４４の各交差部にダブルゲートトランジスタ２０が設けられている。 - 特許庁

A transistor including an oxide semiconductor comprises silicon oxide containing excessive oxygen (SiO_X(X>2)) for a base insulation layer in the case of a top-gate structure and for a protective insulation layer in the case of a bottom-gate structure.例文帳に追加

酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、トップゲート構造の場合は下地絶縁層に、ボトムゲート構造の場合は保護絶縁層に、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ（Ｘ＞２））を用いる。 - 特許庁

Further, at least an n^+ emitter region and a gate structure of a gate electrode, etc., are formed as the top-side element structure on the fourth epitaxial layer.例文帳に追加

ついで、第４エピタキシャル層上に、おもて面素子構造として、少なくともｎ^+エミッタ領域、およびゲート電極などのゲート構造を形成する。 - 特許庁