total gate chargeとは 意味・読み方・使い方

In the nonvolatile memory which carries out write/erasure by changing the total charge amount by injecting electrons and holes into a silicon nitride film which makes up a charge storage layer, the gate electrode of a memory cell is made up of a two-layer film of a non-doped polysilicon layer 54 and a metal material electrode layer 59 in order to highly efficiently carry out charge injection from the gate electrode.例文帳に追加

電荷蓄積層を構成する窒化シリコン膜に電子および正孔を注入し、トータルの電荷量を変えることによって書き込み・消去を行う不揮発性メモリにおいて、ゲート電極からの電荷注入を高効率で行うために、メモリセルのゲート電極を、ノンドープのポリシリコン層５４とメタル材料電極層５９の２層膜で構成する。 - 特許庁

On a side surface of a memory gate electrode 12, an insulating film 10 is formed between a charge storage film 9 and an insulating film 11, and a total thickness of the insulating films 10 and 11 on the side surface of the memory gate electrode 12 is made larger than a thickness of the insulating film 11 under the memory gate electrode 12.例文帳に追加

メモリゲート電極１２の側面において、電荷蓄積膜９と絶縁膜１１との間に絶縁膜１０を形成し、メモリゲート電極１２側面の絶縁膜１０および１１の合計の厚さを、メモリゲート電極１２下部の絶縁膜１１の厚さよりも厚く形成する。 - 特許庁

A control circuit 230 controls the total charge amount to be injected to the EL 110 by applying a gate voltage to the Tr 210 according to the measured result by the circuit 220 to make the EL 110 emit light with a prescribed average luminance.例文帳に追加

制御回路２３０は、電荷検出回路２２０の測定結果に従って、駆動Ｔｒ２１０にゲート電圧を印加することによって、有機ＥＬ１１０に注入される総電荷量を制御し、有機ＥＬ１１０を所定の平均輝度で発光させる。 - 特許庁